Товары из категории транзисторы, стр.645

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
SISS04DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора93нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
248.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS04DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 80А; Idm: 300А; 42Вт" 1.

0.0
SISS05DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора115нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
164.34 
Доступность: 2495 шт.
 

Минимальное количество для товара "SISS05DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -86,6А; Idm: -300А; 42Вт" 1.

0.0
SISS06DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора77нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
176.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS06DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 138,1А; Idm: 300А" 1.

0.0
SISS08DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора82нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
198.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS08DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 156,4А; Idm: 300А" 1.

0.0
SISS10ADN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора61нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
192.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS10ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 86,8А; Idm: 150А" 1.

0.0
SISS10DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора75нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
190.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS10DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 150А; 36Вт" 1.

0.0
SISS12DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора89нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
213.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS12DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 200А; 42Вт" 1.

0.0
SISS22DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
294.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS22DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 72,5А; Idm: 150А" 1.

0.0
SISS22LDN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
207.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS22LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 74А; Idm: 150А; 42Вт" 1.

0.0
SISS23DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора300нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
143.41 
Доступность: 8437 шт.
 

Минимальное количество для товара "SISS23DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -50А; Idm: -200А; 36Вт" 1.

0.0
SISS26DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора37нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
300.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS26DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 60А; Idm: 150А; 36Вт" 1.

0.0
SISS26LDN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
224.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS26LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 65А; Idm: 150А; 36Вт" 1.

0.0
SISS27ADN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора117нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
159.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS27ADN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -50А; Idm: -200А" 1.

0.0
SISS27DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,14мкC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
125.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS27DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -50А; Idm: -200А" 1.

0.0
SISS28DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора75нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
204.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS28DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 60А; Idm: 150А; 36Вт" 1.

0.0
SISS30ADN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
224.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS30ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 43,5А; Idm: 120А" 1.

0.0
SISS30DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
201.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS30DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 43,5А; Idm: 120А" 1.

0.0
SISS30LDN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
224.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS30LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 44А; Idm: 120А; 36Вт" 1.

0.0
SISS32ADN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
198.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS32ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 50,3А; Idm: 120А" 1.

0.0
SISS32DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
226.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS32DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 50,3А; Idm: 150А" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж