Товары от производителя DACO Semiconductor - страница 6

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227H Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток150В Обозначение производителяDAMIA460N150
16 108.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DAMIA460N150, Модуль; одиночный транзистор; 150В; 270А; SOT227H; винтами" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227H Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток200В Обозначение производителяDAMIA500N200
18 562.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DAMIA500N200, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 300А; SOT227H; винтами" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227H Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток150В Обозначение производителяDAMIA560N150
16 947.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DAMIA560N150, Модуль; одиночный транзистор; 150В; 330А; SOT227H; винтами" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227H Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток150В Обозначение производителяDAMIA660N150
17 754.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DAMIA660N150, Модуль; одиночный транзистор; 150В; 400А; SOT227H; винтами" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227H Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток100В Обозначение производителяDAMIA700N100
15 931.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DAMIA700N100, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 520А; SOT227H; винтами" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227H Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток150В Обозначение производителяDAMIA760N150
18 562.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DAMIA760N150, Модуль; одиночный транзистор; 150В; 450А; SOT227H; винтами" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227H Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток60В Обозначение производителяDAMIA800N60
15 931.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DAMIA800N60, Модуль; одиночный транзистор; 60В; 600А; SOT227H; винтами; винтами" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227H Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток100В Обозначение производителяDAMIA830N100
16 625.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DAMIA830N100, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 620А; SOT227H; винтами" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227H Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток100В Обозначение производителяDAMIA960N100
17 432.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DAMIA960N100, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 720А; SOT227H; винтами" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227H Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток60В Обозначение производителяDAMIA960N60
16 625.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DAMIA960N60, Модуль; одиночный транзистор; 60В; 720А; SOT227H; винтами; винтами" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHW9434 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяDAGNH1001200
10 346.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DAGNH1001200, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHW9434 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяDAGNH100600
8 135.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DAGNH100600, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHW9434 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяDAGNH1501200
13 768.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DAGNH1501200, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHW9434 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяDAGNH2001200
17 270.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DAGNH2001200, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHW9434 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяDAGNH200600
11 363.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DAGNH200600, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHW9434 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяDAGNH751200
8 812.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DAGNH751200, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHW9434 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяDAGNH75600
6 876.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DAGNH75600, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

Версияmодуль Выводыпроволока Ø1,5мм Импульсный ток470А КорпусECO-PAC Механический монтажвинтами
2 179.02 
Доступность: 48 шт.
 

Минимальное количество для товара "DAR3PV086-160W, Диодный мост: трехфазный; Urmax: 1,6кВ; If: 90А; Ifsm: 470А; THT" 1.

Импульсный ток1кА Конструкция диода2 независимых диода КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Обозначение производителяCSRI2X100-065
8 912.69 
Доступность: 1 шт.
 

Минимальное количество для товара "CSRI2X100-065, Модуль: диодный; 2 независимых диода; 650В; If: 100Аx2; SOT227B" 1.

Импульсный ток1кА Конструкция диода2 независимых диода КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Обозначение производителяCSRI2X100-120
20 143.80 
Доступность: 1 шт.
 

Минимальное количество для товара "CSRI2X100-120, Модуль: диодный; 2 независимых диода; 1,2кВ; If: 100Аx2; SOT227B" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки