Москва
 +7(499)550-50-61

Товары от производителя DIODES INCORPORATED - страница 153

Сортировать по:
Новинки ниже
ZXMHC10A07N8TC, Транзистор: N/P-MOSFET x2; полевой; 100/-100В; 0,9/-0,7А; 0,87Вт
0.0
ZXMHC10A07N8TC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
159.94 ₽
Доступность: 2049 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMHC10A07N8TC, Транзистор: N/P-MOSFET x2; полевой; 100/-100В; 0,9/-0,7А; 0,87Вт" 1.

ZXMHC10A07T8TA, Транзистор: N-MOSFET; полевой
0.0
ZXMHC10A07T8TA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяZXMHC10A07T8TA Полярностьполевой
414.53 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMHC10A07T8TA, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

ZXMHC3A01N8TC, Транзистор: N-MOSFET; полевой
0.0
ZXMHC3A01N8TC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяZXMHC3A01N8TC Полярностьполевой
176.82 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMHC3A01N8TC, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

ZXMHC3A01T8TA, Транзистор: N-MOSFET; полевой
0.0
ZXMHC3A01T8TA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяZXMHC3A01T8TA Полярностьполевой
387.38 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMHC3A01T8TA, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

ZXMHC3F381N8TC, Транзистор: N/P-MOSFET x2; полевой; 30/-30В; 3,98/-3,36А; 0,87Вт
0.0
ZXMHC3F381N8TC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
243.58 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMHC3F381N8TC, Транзистор: N/P-MOSFET x2; полевой; 30/-30В; 3,98/-3,36А; 0,87Вт" 1.

ZXMHC6A07N8TC, Транзистор: N-MOSFET; полевой
0.0
ZXMHC6A07N8TC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяZXMHC6A07N8TC Полярностьполевой
240.65 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMHC6A07N8TC, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

ZXMHC6A07T8TA, Транзистор: N/P-MOSFET x2; полевой; 60/-60В; 1,4/-1,2А; 1,3Вт
0.0
ZXMHC6A07T8TA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
379.31 ₽
Доступность: 2729 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMHC6A07T8TA, Транзистор: N/P-MOSFET x2; полевой; 60/-60В; 1,4/-1,2А; 1,3Вт" 1.

ZXMN10A07FTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,8А; 0,625Вт; SOT23
0.0
ZXMN10A07F
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
68.97 ₽
Доступность: 4 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN10A07FTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,8А; 0,625Вт; SOT23" 1.

ZXMN10A07FTA, Транзистор N-канальный MOSFET; полевой; 100 В; 0,8 А; 0,625 Вт; SOT23
0.0
ZXMN10A07FTA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
96.11 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMN10A07FTA, Транзистор N-канальный MOSFET; полевой; 100 В; 0,8 А; 0,625 Вт; SOT23" 1.

ZXMN10A07ZTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,1А; 1,5Вт; SOT89
0.0
ZXMN10A07ZTA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
122.52 ₽
Доступность: 1656 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN10A07ZTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,1А; 1,5Вт; SOT89" 1.

ZXMN10A09KTC, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 7,1А; 4,31Вт; TO252
0.0
ZXMN10A09KTC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
353.63 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMN10A09KTC, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 7,1А; 4,31Вт; TO252" 1.

ZXMN10A11GTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,9А; 2Вт; SOT223
0.0
ZXMN10A11GTA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
173.88 ₽
Доступность: 303 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN10A11GTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,9А; 2Вт; SOT223" 1.

ZXMN10A11KTC, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 3,1А; 4,06Вт; TO252
0.0
ZXMN10A11KTC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
178.28 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMN10A11KTC, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 3,1А; 4,06Вт; TO252" 1.

ZXMN10A25GTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 3,7А; 2Вт; SOT223
0.0
ZXMN10A25GTA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
225.97 ₽
Доступность: 966 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN10A25GTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 3,7А; 2Вт; SOT223" 1.

ZXMN10B08E6TA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,5А; 1,1Вт; SOT26
0.0
ZXMN10B08E6TA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT26 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
171.68 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMN10B08E6TA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,5А; 1,1Вт; SOT26" 1.

ZXMN2A01FTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1,9А; Idm: 8А; 0,625Вт; SOT23
0.0
ZXMN2A01FTA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
83.64 ₽
Доступность: 1474 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN2A01FTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1,9А; Idm: 8А; 0,625Вт; SOT23" 1.

ZXMN2A03E6TA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 3,4А; 1,1Вт; SOT26
0.0
ZXMN2A03E6TA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT26 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
191.49 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMN2A03E6TA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 3,4А; 1,1Вт; SOT26" 1.

ZXMN2A14FTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 3,3А; 1Вт; SOT23
0.0
ZXMN2A14FTA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
94.64 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMN2A14FTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 3,3А; 1Вт; SOT23" 1.

ZXMN2B01FTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,1А; Idm: 11,8А; 0,625Вт; SOT23
0.0
ZXMN2B01FTA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
90.24 ₽
Доступность: 992 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN2B01FTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,1А; Idm: 11,8А; 0,625Вт; SOT23" 1.

ZXMN2F30FHQTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4,1А; 0,96Вт; SOT23
0.0
ZXMN2F30FHQTA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
79.97 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMN2F30FHQTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4,1А; 0,96Вт; SOT23" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Рабочее напряжение
Срок поставки