Москва
 +7(499)550-50-61

Товары от производителя GeneSiC SEMICONDUCTOR - страница 3

Сортировать по:
Новинки ниже
GE04MPS06E, Диод: выпрямительный Шоттки; TO252-2; SiC; SMD; 650В; 8А
0.0
GE04MPS06E
Вид упаковкибобина, лента Импульсный ток22А Код производителяGE04MPS06E Конструкция диодаодиночный диод КорпусTO252-2
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GE04MPS06E, Диод: выпрямительный Шоттки; TO252-2; SiC; SMD; 650В; 8А" 1.

GE06MPS06A, Диод: выпрямительный Шоттки; SiC; THT; 650В; 6А; TO220-2; туба
0.0
GE06MPS06A
Вид упаковкитуба Импульсный ток27А Код производителяGE06MPS06A Конструкция диодаодиночный диод КорпусTO220-2
315.92 ₽
Доступность: 16 шт.
 

Минимальное количество для товара "GE06MPS06A, Диод: выпрямительный Шоттки; SiC; THT; 650В; 6А; TO220-2; туба" 1.

GE06MPS06E, Диод: выпрямительный Шоттки; TO252-2; SiC; SMD; 650В; 6А
0.0
GE06MPS06E
Вид упаковкибобина, лента Импульсный ток27А Код производителяGE06MPS06E Конструкция диодаодиночный диод КорпусTO252-2
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GE06MPS06E, Диод: выпрямительный Шоттки; TO252-2; SiC; SMD; 650В; 6А" 1.

GE08MPS06A, Диод: выпрямительный Шоттки; SiC; THT; 650В; 8А; TO220-2; туба
0.0
GE08MPS06A
Вид упаковкитуба Импульсный ток36А Код производителяGE08MPS06A Конструкция диодаодиночный диод КорпусTO220-2
463.52 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GE08MPS06A, Диод: выпрямительный Шоттки; SiC; THT; 650В; 8А; TO220-2; туба" 1.

GE08MPS06E, Диод: выпрямительный Шоттки; TO252-2; SiC; SMD; 650В; 8А
0.0
GE08MPS06E
Вид упаковкибобина, лента Импульсный ток36А Код производителяGE08MPS06E Конструкция диодаодиночный диод КорпусTO252-2
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GE08MPS06E, Диод: выпрямительный Шоттки; TO252-2; SiC; SMD; 650В; 8А" 1.

GE10MPS06A, Диод: выпрямительный Шоттки; SiC; THT; 650В; 10А; TO220-2; туба
0.0
GE10MPS06A
Вид упаковкитуба Импульсный ток44А Код производителяGE10MPS06A Конструкция диодаодиночный диод КорпусTO220-2
568.82 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GE10MPS06A, Диод: выпрямительный Шоттки; SiC; THT; 650В; 10А; TO220-2; туба" 1.

GE10MPS06E, Диод: выпрямительный Шоттки; TO252-2; SiC; SMD; 650В; 10А
0.0
GE10MPS06E
Вид упаковкибобина, лента Импульсный ток44А Код производителяGE10MPS06E Конструкция диодаодиночный диод КорпусTO252-2
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GE10MPS06E, Диод: выпрямительный Шоттки; TO252-2; SiC; SMD; 650В; 10А" 1.

GE2X10MPS06D, Диод: выпрямительный Шоттки; SiC; THT; 650В; 10Аx2; TO247-3; туба
0.0
GE2X10MPS06D
Вид упаковкитуба Импульсный ток44А Код производителяGE2X10MPS06D Конструкция диодадвойной, общий катод КорпусTO247-3
1 229.68 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GE2X10MPS06D, Диод: выпрямительный Шоттки; SiC; THT; 650В; 10Аx2; TO247-3; туба" 1.

GE2X8MPS06D, Диод: выпрямительный Шоттки; SiC; THT; 650В; 8Аx2; TO247-3; туба
0.0
GE2X8MPS06D
Вид упаковкитуба Импульсный ток36А Код производителяGE2X8MPS06D Конструкция диодадвойной, общий катод КорпусTO247-3
791.87 ₽
Доступность: 57 шт.
 

Минимальное количество для товара "GE2X8MPS06D, Диод: выпрямительный Шоттки; SiC; THT; 650В; 8Аx2; TO247-3; туба" 1.

G2R1000MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4А; Idm: 8А; 54Вт; TO263-7
0.0
G2R1000MT17J
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Код производителяG2R1000MT17J КорпусTO263-7 МонтажSMD
1 149.25 ₽
Доступность: 9 шт.
 

Минимальное количество для товара "G2R1000MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4А; Idm: 8А; 54Вт; TO263-7" 1.

G2R1000MT33J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 3,3кВ; 4А; Idm: 8А; 74Вт; TO263-7
0.0
G2R1000MT33J
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора21нC Код производителяG2R1000MT33J КорпусTO263-7
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "G2R1000MT33J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 3,3кВ; 4А; Idm: 8А; 74Вт; TO263-7" 1.

G2R120MT33J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 3,3кВ; TO263-7
0.0
G2R120MT33J
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Код производителяG2R120MT33J КорпусTO263-7 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "G2R120MT33J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 3,3кВ; TO263-7" 1.

G3R160MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 16А; Idm: 40А; 123Вт
0.0
G3R160MT12D
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора28нC Код производителяG3R160MT12D КорпусTO247-3
1 165.84 ₽
Доступность: 811 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R160MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 16А; Idm: 40А; 123Вт" 1.

G3R160MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 16А; Idm: 40А; 128Вт
0.0
G3R160MT12J
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора28нC Код производителяG3R160MT12J КорпусTO263-7
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "G3R160MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 16А; Idm: 40А; 128Вт" 1.

G3R160MT17D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 15А; Idm: 48А; 175Вт
0.0
G3R160MT17D
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора21нC Код производителяG3R160MT17D КорпусTO247-3
2 061.36 ₽
Доступность: 1 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R160MT17D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 15А; Idm: 48А; 175Вт" 1.

G3R160MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 15А; Idm: 48А; 187Вт
0.0
G3R160MT17J
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора51нC Код производителяG3R160MT17J КорпусTO263-7
2 426.20 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "G3R160MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 15А; Idm: 48А; 187Вт" 1.

G3R20MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт
0.0
G3R20MT12K
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора219нC Код производителяG3R20MT12K КорпусTO247-4
6 567.16 ₽
Доступность: 487 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R20MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт" 1.

G3R20MT12N, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 74А; SOT227B; винтами; 365Вт
0.0
G3R20MT12N
Вид каналаобогащенный Код производителяG3R20MT12N Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами
10 043.95 ₽
Доступность: 105 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R20MT12N, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 74А; SOT227B; винтами; 365Вт" 1.

G3R20MT17K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 88А; Idm: 300А; 809Вт
0.0
G3R20MT17K
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора400нC Код производителяG3R20MT17K КорпусTO247-4
19 814.26 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "G3R20MT17K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 88А; Idm: 300А; 809Вт" 1.

G3R20MT17N, Модуль; одиночный транзистор; 1,7кВ; 70А; SOT227B; винтами; 523Вт
0.0
G3R20MT17N
Вид каналаобогащенный Код производителяG3R20MT17N Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами
20 577.11 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "G3R20MT17N, Модуль; одиночный транзистор; 1,7кВ; 70А; SOT227B; винтами; 523Вт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки
Тип диода
Тип транзистора
Конструкция диода
Полярность
Механический монтаж
Обратное напряжение макс.
Рассеиваемая мощность
Импульсный ток
Напряжение сток-исток
Прямой ток
Корпус
Падение напряжения макс.
Тип модуля
Ток стока
Электрический монтаж
Монтаж
Сопротивление в открытом состоянии
Технология
Вид канала
Заряд затвора
Время готовности
Напряжение затвор-исток
Прямой ток макс.
Вид упаковки
Ток стока в импульсном режиме
Характеристики полупроводниковых элементов