Бренды :: INFINEON TECHNOLOGIES

IPL65R340CFDAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10,9А; 104,2Вт; PG-VSON-4

0.0

КОД:

IPL65R340CFDAUMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В

493³⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPL65R340CFDAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10,9А; 104,2Вт; PG-VSON-4" 1.

IPL65R420E6AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10,1А; 83Вт; PG-VSON-4

0.0

КОД:

IPL65R420E6AUMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В

415⁷² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPL65R420E6AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10,1А; 83Вт; PG-VSON-4" 1.

IPL65R460CFDAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8,3А; 83,3Вт; PG-VSON-4

0.0

КОД:

IPL65R460CFDAUMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В

408¹⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPL65R460CFDAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8,3А; 83,3Вт; PG-VSON-4" 1.

IPL65R660E6AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7А; 63Вт; PG-VSON-4

0.0

КОД:

IPL65R660E6AUMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В

298³⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPL65R660E6AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7А; 63Вт; PG-VSON-4" 1.

IPN50R2K0CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 2,3А; 5Вт; PG-SOT223

0.0

КОД:

IPN50R2K0CE

Вид каналаобогащенный Заряд затвора6нC КорпусPG-SOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

89⁰² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPN50R2K0CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 2,3А; 5Вт; PG-SOT223" 1.

IPN50R800CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 4,8А; 5Вт; PG-SOT223

0.0

КОД:

IPN50R800CE

Вид каналаобогащенный Заряд затвора12,4нC КорпусPG-SOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

140¹⁵ ^₽

Доступность: 2903 шт.

Минимальное количество для товара "IPN50R800CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 4,8А; 5Вт; PG-SOT223" 1.

IPN50R950CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 4,2А; 5Вт; PG-SOT223

0.0

КОД:

IPN50R950CE

Вид каналаобогащенный Заряд затвора10,5нC КорпусPG-SOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

74⁸¹ ^₽

Доступность: 2803 шт.

Минимальное количество для товара "IPN50R950CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 4,2А; 5Вт; PG-SOT223" 1.

IPN60R1K5CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 3,2А; Idm: 8,4А; 5Вт; PG-SOT223

0.0

КОД:

IPN60R1K5CEATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-SOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPN60R1K5CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 3,2А; Idm: 8,4А; 5Вт; PG-SOT223" 1.

IPN60R2K1CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,4А; 5Вт; PG-SOT223

0.0

КОД:

IPN60R2K1CE

Вид каналаобогащенный Заряд затвора6,7нC КорпусPG-SOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

77⁶⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPN60R2K1CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,4А; 5Вт; PG-SOT223" 1.

IPN60R360P7SATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 6А; Idm: 26А; 7Вт; PG-SOT223

0.0

КОД:

IPN60R360P7SATMA1

ВерсияESD Вид каналаобогащенный КорпусPG-SOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPN60R360P7SATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 6А; Idm: 26А; 7Вт; PG-SOT223" 1.

IPN60R3K4CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 1,6А; Idm: 3,9А; 5Вт; PG-SOT223

0.0

КОД:

IPN60R3K4CEATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-SOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPN60R3K4CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 1,6А; Idm: 3,9А; 5Вт; PG-SOT223" 1.

IPN60R600P7SATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; 7Вт; PG-SOT223; ESD

0.0

КОД:

IPN60R600P7S

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора9нC КорпусPG-SOT223 МонтажSMD

148⁶⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPN60R600P7SATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; 7Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

IPN70R1K0CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 4,7А; 5Вт; PG-SOT223

0.0

КОД:

IPN70R1K0CE

Вид каналаобогащенный Заряд затвора15,2нC КорпусPG-SOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

312⁵⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPN70R1K0CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 4,7А; 5Вт; PG-SOT223" 1.

IPN70R1K5CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 3,4А; 5Вт; PG-SOT223

0.0

КОД:

IPN70R1K5CE

Вид каналаобогащенный Заряд затвора10,5нC КорпусPG-SOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

114⁵⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPN70R1K5CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 3,4А; 5Вт; PG-SOT223" 1.

IPN70R360P7SATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 7,5А; 7,2Вт; PG-SOT223; ESD

0.0

КОД:

IPN70R360P7S

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора16,4нC КорпусPG-SOT223 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPN70R360P7SATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 7,5А; 7,2Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

IPN70R900P7SATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 3,5А; 6,5Вт; PG-SOT223; ESD

0.0

КОД:

IPN70R900P7S

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора6,8нC КорпусPG-SOT223 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPN70R900P7SATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 3,5А; 6,5Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

IPN80R1K2P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,1А; 6,8Вт; PG-SOT223; ESD

0.0

КОД:

IPN80R1K2P7

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора11нC КорпусPG-SOT223

194¹³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPN80R1K2P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,1А; 6,8Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

IPN80R1K4P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; 7Вт; PG-SOT223; ESD

0.0

КОД:

IPN80R1K4P7

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора10нC КорпусPG-SOT223

187⁵⁰ ^₽

Доступность: 2980 шт.

Минимальное количество для товара "IPN80R1K4P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; 7Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

IPN80R2K4P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,7А; 6,3Вт; PG-SOT223; ESD

0.0

КОД:

IPN80R2K4P7

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора8нC КорпусPG-SOT223

148⁶⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPN80R2K4P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,7А; 6,3Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

IPN80R3K3P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,3А; 6,1Вт; PG-SOT223; ESD

0.0

КОД:

IPN80R3K3P7

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора6нC КорпусPG-SOT223

106⁰⁶ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPN80R3K3P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,3А; 6,1Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

IPN80R4K5P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1А; 6Вт; PG-SOT223; ESD

0.0

КОД:

IPN80R4K5P7

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора4нC КорпусPG-SOT223

143⁹⁴ ^₽

Доступность: 2167 шт.

Минимальное количество для товара "IPN80R4K5P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1А; 6Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

IPN80R600P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5,5А; 7,4Вт; PG-SOT223; ESD

0.0

КОД:

IPN80R600P7

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора20нC КорпусPG-SOT223

285⁹⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPN80R600P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5,5А; 7,4Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

IPN80R750P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 4,6А; 7,2Вт; PG-SOT223; ESD

0.0

КОД:

IPN80R750P7

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора17нC КорпусPG-SOT223

262³¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPN80R750P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 4,6А; 7,2Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

IPN80R900P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,9А; 7Вт; PG-SOT223; ESD

0.0

КОД:

IPN80R900P7

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора15нC КорпусPG-SOT223

268⁹⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPN80R900P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,9А; 7Вт; PG-SOT223; ESD" 1.