Бренды :: INFINEON TECHNOLOGIES

IPD80R4K5P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1А; 13Вт; PG-TO252-3; ESD

0.0

КОД:

IPD80R4K5P7

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора17нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD

133⁵² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPD80R4K5P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1А; 13Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

IPD80R750P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 4,6А; 51Вт; PG-TO252-3; ESD

0.0

КОД:

IPD80R750P7

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора17нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPD80R750P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 4,6А; 51Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

IPD80R900P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,9А; 45Вт; PG-TO252-3; ESD

0.0

КОД:

IPD80R900P7

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора15нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD

236⁷⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPD80R900P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,9А; 45Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

IPD90N03S4L02ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 30В; 90А; 136Вт

0.0

КОД:

IPD90N03S4L02

Вид каналаобогащенный Заряд затвора110нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPD90N03S4L02ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 30В; 90А; 136Вт" 1.

IPD90N04S304ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T; полевой; 40В; 90А; 136Вт

0.0

КОД:

IPD90N04S304

Вид каналаобогащенный Заряд затвора60нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPD90N04S304ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T; полевой; 40В; 90А; 136Вт" 1.

IPD90N04S404ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 81А; Idm: 360А

0.0

КОД:

IPD90N04S404

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора20нC КорпусPG-TO252-3-313 МонтажSMD

234⁸⁵ ^₽

Доступность: 2374 шт.

Минимальное количество для товара "IPD90N04S404ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 81А; Idm: 360А" 1.

IPD90N04S405ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 61А; Idm: 344А

0.0

КОД:

IPD90N04S405ATMA1

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора18нC КорпусPG-TO252-3-313 МонтажSMD

206⁴⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPD90N04S405ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 61А; Idm: 344А" 1.

IPD90N06S407ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 63А; Idm: 360А; 79Вт

0.0

КОД:

IPD90N06S407ATMA2

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC КорпусPG-TO252-3-11 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPD90N06S407ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 63А; Idm: 360А; 79Вт" 1.

IPD90P03P4L04ATMA1, Транзистор: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; полевой; -30В; -90А; Idm: -360А

0.0

КОД:

IPD90P03P4L04ATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3-11 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-5...16В Напряжение сток-исток-30В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPD90P03P4L04ATMA1, Транзистор: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; полевой; -30В; -90А; Idm: -360А" 1.

IPD90R1K2C3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 3,2А; 83Вт; PG-TO252-3

0.0

КОД:

IPD90R1K2C3ATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток900В

296⁴⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPD90R1K2C3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 3,2А; 83Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD90R1K2C3BTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 3,2А; 83Вт; PG-TO252-3

0.0

КОД:

IPD90R1K2C3BTMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток900В

236⁷⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPD90R1K2C3BTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 3,2А; 83Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD95R1K2P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 3,7А; 52Вт; DPAK; ESD

0.0

КОД:

IPD95R1K2P7

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора15нC КорпусDPAK

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPD95R1K2P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 3,7А; 52Вт; DPAK; ESD" 1.

IPD95R2K0P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 2,4А; 37Вт; DPAK; ESD

0.0

КОД:

IPD95R2K0P7

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора10нC КорпусDPAK

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPD95R2K0P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 2,4А; 37Вт; DPAK; ESD" 1.

IPD95R450P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 8,6А; 104Вт; DPAK; ESD

0.0

КОД:

IPD95R450P7

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора35нC КорпусDPAK

471⁵⁹ ^₽

Доступность: 1540 шт.

Минимальное количество для товара "IPD95R450P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 8,6А; 104Вт; DPAK; ESD" 1.

IPD95R750P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 5,5А; 73Вт; DPAK; ESD

0.0

КОД:

IPD95R750P7

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора23нC КорпусDPAK

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPD95R750P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 5,5А; 73Вт; DPAK; ESD" 1.

IPDD60R050G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 47А; Idm: 135А

0.0

КОД:

IPDD60R050G7XTMA1

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора68нC КорпусPG-HDSOP-10-1 МонтажSMD

1 963⁰⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPDD60R050G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 47А; Idm: 135А" 1.

IPDD60R080G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 29А; Idm: 83А

0.0

КОД:

IPDD60R080G7XTMA1

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусPG-HDSOP-10-1 МонтажSMD

1 267⁰⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPDD60R080G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 29А; Idm: 83А" 1.

IPDD60R102G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 23А; Idm: 66А

0.0

КОД:

IPDD60R102G7XTMA1

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC КорпусPG-HDSOP-10-1 МонтажSMD

875⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPDD60R102G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 23А; Idm: 66А" 1.

IPDD60R125G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 20А; Idm: 54А

0.0

КОД:

IPDD60R125G7XTMA1

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC КорпусPG-HDSOP-10-1 МонтажSMD

896⁷⁸ ^₽

Доступность: 48 шт.

Минимальное количество для товара "IPDD60R125G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 20А; Idm: 54А" 1.

IPDD60R150G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 16А; Idm: 45А

0.0

КОД:

IPDD60R150G7XTMA1

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC КорпусPG-HDSOP-10-1 МонтажSMD

701⁷⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPDD60R150G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 16А; Idm: 45А" 1.

IPDD60R190G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 13А; Idm: 36А

0.0

КОД:

IPDD60R190G7XTMA1

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусPG-HDSOP-10-1 МонтажSMD

482⁹⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPDD60R190G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 13А; Idm: 36А" 1.

IPG20N04S408ATMA1, Транзистор: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 20А; 65Вт

0.0

КОД:

IPG20N04S408

Вид каналаобогащенный Заряд затвора28нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

214⁹⁶ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPG20N04S408ATMA1, Транзистор: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 20А; 65Вт" 1.

IPG20N04S409ATMA1, Транзистор: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 20А; 54Вт

0.0

КОД:

IPG20N04S409

Вид каналаобогащенный Заряд затвора21,7нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

158¹⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPG20N04S409ATMA1, Транзистор: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 20А; 54Вт" 1.

IPG20N04S4L11ATMA1, Транзистор: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 20А; Idm: 80А

0.0

КОД:

IPG20N04S4L11ATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В Напряжение сток-исток40В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPG20N04S4L11ATMA1, Транзистор: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 20А; Idm: 80А" 1.