Москва
 +7(499)550-50-61

Товары от производителя IXYS - страница 54

Сортировать по:
Новинки ниже
IXFN44N80P, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 39А; SOT227B; винтами; 694Вт
0.0
IXFN44N80P
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора200нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
5 079.24 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN44N80P, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 39А; SOT227B; винтами; 694Вт" 1.

IXFN44N80Q3, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 37А; SOT227B; винтами; 780Вт
0.0
IXFN44N80Q3
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора185нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
12 483.49 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN44N80Q3, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 37А; SOT227B; винтами; 780Вт" 1.

IXFN48N60P, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 40А; SOT227B; винтами; 625Вт
0.0
IXFN48N60P
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора150нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
4 595.01 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN48N60P, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 40А; SOT227B; винтами; 625Вт" 1.

IXFN50N120SIC, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 30А; SOT227B; винтами; 100нC
0.0
IXFN50N120SIC
Вид каналаобогащенный Время готовности26нс Заряд затвора0,1мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
14 636.83 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN50N120SIC, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 30А; SOT227B; винтами; 100нC" 3.

IXFN50N120SK, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 48А; SOT227B; винтами; SiC
0.0
IXFN50N120SK
Вид каналаобогащенный Время готовности54нс Заряд затвора115нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
16 570.07 ₽
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN50N120SK, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 48А; SOT227B; винтами; SiC" 1.

IXFN520N075T2, Модуль; одиночный транзистор; 75В; 480А; SOT227B; винтами; 940Вт
0.0
IXFN520N075T2
Вид каналаобогащенный Время готовности150нс Заряд затвора545нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
5 221.57 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN520N075T2, Модуль; одиночный транзистор; 75В; 480А; SOT227B; винтами; 940Вт" 1.

IXFN52N100X, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 44А; SOT227B; винтами; Idm: 100А
0.0
IXFN52N100X
Вид каналаобогащенный Время готовности260нс Заряд затвора245нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
9 965.52 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN52N100X, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 44А; SOT227B; винтами; Idm: 100А" 1.

IXFN52N90P, Модуль; одиночный транзистор; 900В; 43А; SOT227B; винтами; 890Вт
0.0
IXFN52N90P
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора308нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
9 200.29 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN52N90P, Модуль; одиночный транзистор; 900В; 43А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

IXFN56N90P, Модуль; одиночный транзистор; 900В; 56А; SOT227B; винтами; 1000Вт
0.0
IXFN56N90P
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора375нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
8 097.58 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN56N90P, Модуль; одиночный транзистор; 900В; 56А; SOT227B; винтами; 1000Вт" 300.

IXFN60N80P, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 53А; SOT227B; винтами; 1040Вт
0.0
IXFN60N80P
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора250нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 818.05 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN60N80P, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 53А; SOT227B; винтами; 1040Вт" 1.

IXFN62N80Q3, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 49А; SOT227B; винтами; 960Вт
0.0
IXFN62N80Q3
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора0,27мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
11 848.86 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN62N80Q3, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 49А; SOT227B; винтами; 960Вт" 1.

IXFN64N50P, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 50А; SOT227B; винтами; 625Вт
0.0
IXFN64N50P
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора150нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
4 664.71 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN64N50P, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 50А; SOT227B; винтами; 625Вт" 1.

IXFN64N60P, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 50А; SOT227B; винтами; 700Вт
0.0
IXFN64N60P
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора200нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
5 171.68 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN64N60P, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 50А; SOT227B; винтами; 700Вт" 1.

IXFN66N85X, Модуль; одиночный транзистор; 850В; 65А; SOT227B; винтами; 830Вт
0.0
IXFN66N85X
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора230нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
8 472.49 ₽
Доступность: 1 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN66N85X, Модуль; одиночный транзистор; 850В; 65А; SOT227B; винтами; 830Вт" 1.

IXFN80N50Q3, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 63А; SOT227B; винтами; 780Вт
0.0
IXFN80N50Q3
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора200нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 688.19 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN80N50Q3, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 63А; SOT227B; винтами; 780Вт" 1.

IXFN80N60P3, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 66А; SOT227B; винтами; 960Вт
0.0
IXFN80N60P3
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора0,19мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
5 400.59 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN80N60P3, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 66А; SOT227B; винтами; 960Вт" 1.

IXFN82N60P, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 72А; SOT227B; винтами; 1040Вт
0.0
IXFN82N60P
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора240нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 005.87 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN82N60P, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 72А; SOT227B; винтами; 1040Вт" 1.

IXFN82N60Q3, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 66А; SOT227B; винтами; 960Вт
0.0
IXFN82N60Q3
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора275нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
9 235.51 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN82N60Q3, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 66А; SOT227B; винтами; 960Вт" 1.

IXFN90N170SK, Модуль; одиночный транзистор; 1,7кВ; 67А; SOT227B; винтами; SiC
0.0
IXFN90N170SK
Вид каналаобогащенный Заряд затвора376нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами
90 130.59 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN90N170SK, Модуль; одиночный транзистор; 1,7кВ; 67А; SOT227B; винтами; SiC" 1.

IXFN90N85X, Модуль; одиночный транзистор; 850В; 90А; SOT227B; винтами; 1200Вт
0.0
IXFN90N85X
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора340нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
8 417.46 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN90N85X, Модуль; одиночный транзистор; 850В; 90А; SOT227B; винтами; 1200Вт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Внешние размеры
Рабочее напряжение
Срок поставки