Товары от производителя IXYS - страница 54

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора185нC Код производителяIXFN140N30P Конструкция диодаодиночный транзистор
7 043.12 
Доступность: 7 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN140N30P, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 110А; SOT227B; винтами; 700Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности190нс Заряд затвора355нC Код производителяIXFN150N65X2 Конструкция диодаодиночный транзистор
8 999.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN150N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 145А; SOT227B; винтами; 1040Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора376нC Код производителяIXFN160N30T Конструкция диодаодиночный транзистор
5 388.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN160N30T, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 130А; SOT227B; винтами; 900Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности135нс Заряд затвора0,19мкC Код производителяIXFN170N25X3 Конструкция диодаодиночный транзистор
5 162.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN170N25X3, Модуль; одиночный транзистор; 250В; 146А; SOT227B; винтами; 390Вт" 300.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора258нC Код производителяIXFN170N30P Конструкция диодаодиночный транзистор
8 183.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN170N30P, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 138А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности270нс Заряд затвора434нC Код производителяIXFN170N65X2 Конструкция диодаодиночный транзистор
9 771.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN170N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 170А; SOT227B; винтами; 1170Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора240нC Код производителяIXFN180N15P Конструкция диодаодиночный транзистор
4 912.94 
Доступность: 2 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN180N15P, Модуль; одиночный транзистор; 150В; 150А; SOT227B; винтами; 680Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора364нC Код производителяIXFN180N25T Конструкция диодаодиночный транзистор
5 165.84 
Доступность: 23 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN180N25T, Модуль; одиночный транзистор; 250В; 168А; SOT227B; винтами; 900Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности150нс Заряд затвора235нC Код производителяIXFN200N10P Конструкция диодаодиночный транзистор
4 932.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN200N10P, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 200А; SOT227B; винтами; 680Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора193нC Код производителяIXFN20N120P Конструкция диодаодиночный транзистор
2 918.74 
Доступность: 17 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN20N120P, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 20А; SOT227B; винтами; 595Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора255нC Код производителяIXFN210N20P Конструкция диодаодиночный транзистор
7 859.04 
Доступность: 291 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN210N20P, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 188А; SOT227B; винтами; 1070Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора268нC Код производителяIXFN210N30P3 Конструкция диодаодиночный транзистор
6 869.82 
Доступность: 1 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN210N30P3, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 192А; SOT227B; винтами; 1500Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности190нс Заряд затвора375нC Код производителяIXFN210N30X3 Конструкция диодаодиночный транзистор
8 038.97 
Доступность: 12 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN210N30X3, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 210А; SOT227B; винтами; 695Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности128нс Заряд затвора204нC Код производителяIXFN220N20X3 Конструкция диодаодиночный транзистор
7 213.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN220N20X3, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 160А; SOT227B; винтами; 390Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора358нC Код производителяIXFN230N20T Конструкция диодаодиночный транзистор
6 576.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN230N20T, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 220А; SOT227B; винтами; 1090Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности140нс Заряд затвора460нC Код производителяIXFN240N15T2 Конструкция диодаодиночный транзистор
5 162.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN240N15T2, Модуль; одиночный транзистор; 150В; 240А; SOT227B; винтами; 830Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности165нс Заряд затвора345нC Код производителяIXFN240N25X3 Конструкция диодаодиночный транзистор
7 980.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN240N25X3, Модуль; одиночный транзистор; 250В; 240А; SOT227B; винтами; 695Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора250нC Код производителяIXFN24N100 Конструкция диодаодиночный транзистор
7 701.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN24N100, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 24А; SOT227B; винтами; Idm: 96А" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора197нC Код производителяIXFN26N100P Конструкция диодаодиночный транзистор
7 654.23 
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN26N100P, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 23А; SOT227B; винтами; Idm: 65А" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора255нC Код производителяIXFN26N120P Конструкция диодаодиночный транзистор
7 895.52 
Доступность: 7 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN26N120P, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 23А; SOT227B; винтами; 695Вт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки
Вид микросхемы
Опорное напряжение
Порог напряжения срабатывания
Тип выпрямительного моста
Тип диода
Тип микросхемы
Тип оптоизолятора
Тип реле
Тип транзистора
Исполнение реле
Конструкция диода
Напряжение коллектор-эмиттер
Полярность
Рабочее напряжение
Тип тиристора
Топология
Версия
Кол-во каналов
Коммутируемое напряжение
Механический монтаж
Напряжение переключения
Рабочий ток
Ток коллектора
Частота
Вид выхода
Емкость
Количество возможных положений
Контакты
Обратное напряжение макс.
Применение
Рассеиваемая мощность
Управляющее напряжение
Входное напряжение
Выходное напряжение
Импульсный ток
Напряжение затвор - эмиттер
Напряжение сток-исток
Прямой ток
Серия производителя
Внешние размеры
Интерфейс
Корпус
Падение напряжения макс.
Рабочий ток макс.
Тип модуля
Ток стока
Ток управления
Электрический монтаж
Вид памяти
Монтаж
Рабочая температура
Сопротивление в открытом состоянии
Технология
Вид канала
Заряд затвора
Класс напряжения
Время включения
Время готовности
Выходной ток
Напряжение затвор-исток
Прямой ток макс.
Вид упаковки
Напряжение изоляции
Ток коллектора в импульсе
Толщина радитора
Управляющий ток макс.
Ток стока в импульсном режиме
Время отпускания
Управляющий ток
Характеристики полупроводниковых элементов
Время срабатывания
Монтажная резьба
Алгоритм работы(позиция в скобках обозначает мгновенную позицию.)
Время выключения
Выводы