Товары от производителя IXYS - страница 55

Вид каналаобогащенный Заряд затвора160нC Код производителяIXFN27N120SK Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
11 957.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN27N120SK, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 21,5А; SOT227B; винтами; SiC" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора279нC Код производителяIXFN300N10P Конструкция диодаодиночный транзистор
7 980.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN300N10P, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 295А; SOT227B; винтами; 1070Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности172нс Заряд затвора375нC Код производителяIXFN300N20X3 Конструкция диодаодиночный транзистор
8 862.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN300N20X3, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 300А; SOT227B; винтами; 695Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора310нC Код производителяIXFN30N120P Конструкция диодаодиночный транзистор
14 741.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN30N120P, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 30А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности150нс Заряд затвора640нC Код производителяIXFN320N17T2 Конструкция диодаодиночный транзистор
10 755.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN320N17T2, Модуль; одиночный транзистор; 170В; 260А; SOT227B; винтами; 1070Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора225нC Код производителяIXFN32N100P Конструкция диодаодиночный транзистор
6 479.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN32N100P, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 27А; SOT227B; винтами; Idm: 75А" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора195нC Код производителяIXFN32N100Q3 Конструкция диодаодиночный транзистор
15 943.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN32N100Q3, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 28А; SOT227B; винтами; Idm: 96А" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора360нC Код производителяIXFN32N120P Конструкция диодаодиночный транзистор
17 167.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN32N120P, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 32А; SOT227B; винтами; 1000Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора150нC Код производителяIXFN32N80P Конструкция диодаодиночный транзистор
6 220.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN32N80P, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 29А; SOT227B; винтами; 625Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора0,49мкC Код производителяIXFN340N07 Конструкция диодаодиночный транзистор
11 957.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN340N07, Модуль; одиночный транзистор; 70В; 340А; SOT227B; винтами; 700Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности130нс Заряд затвора525нC Код производителяIXFN360N10T Конструкция диодаодиночный транзистор
4 867.33 
Доступность: 244 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN360N10T, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 360А; SOT227B; винтами; 830Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности150нс Заряд затвора715нC Код производителяIXFN360N15T2 Конструкция диодаодиночный транзистор
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN360N15T2, Модуль; одиночный транзистор; 150В; 310А; SOT227B; винтами; 1070Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности180нс Заряд затвора380нC Код производителяIXFN36N100 Конструкция диодаодиночный транзистор
18 284.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN36N100, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 36А; SOT227B; винтами; Idm: 144А" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора0,35мкC Код производителяIXFN38N100P Конструкция диодаодиночный транзистор
8 393.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN38N100P, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 38А; SOT227B; винтами; Idm: 120А" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности132нс Заряд затвора365нC Код производителяIXFN400N15X3 Конструкция диодаодиночный транзистор
8 096.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN400N15X3, Модуль; одиночный транзистор; 150В; 400А; SOT227B; винтами; 695Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора310нC Код производителяIXFN40N110P Конструкция диодаодиночный транзистор
4 797.68 
Доступность: 1 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN40N110P, Модуль; одиночный транзистор; 1,1кВ; 34А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности434нс Заряд затвора300нC Код производителяIXFN40N110Q3 Конструкция диодаодиночный транзистор
4 332.50 
Доступность: 2 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN40N110Q3, Модуль; одиночный транзистор; 1,1кВ; 35А; SOT227B; винтами; 960Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора230нC Код производителяIXFN40N90P Конструкция диодаодиночный транзистор
7 094.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN40N90P, Модуль; одиночный транзистор; 900В; 33А; SOT227B; винтами; Idm: 80А" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности140нс Заряд затвора670нC Код производителяIXFN420N10T Конструкция диодаодиночный транзистор
5 481.76 
Доступность: 120 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN420N10T, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 420А; SOT227B; винтами; 670нC" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора0,35мкC Код производителяIXFN44N100P Конструкция диодаодиночный транзистор
7 305.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN44N100P, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 37А; SOT227B; винтами; Idm: 110А" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки
Вид микросхемы
Опорное напряжение
Порог напряжения срабатывания
Тип выпрямительного моста
Тип диода
Тип микросхемы
Тип оптоизолятора
Тип реле
Тип транзистора
Исполнение реле
Конструкция диода
Напряжение коллектор-эмиттер
Полярность
Рабочее напряжение
Тип тиристора
Топология
Версия
Кол-во каналов
Коммутируемое напряжение
Механический монтаж
Напряжение переключения
Рабочий ток
Ток коллектора
Частота
Вид выхода
Емкость
Количество возможных положений
Контакты
Обратное напряжение макс.
Применение
Рассеиваемая мощность
Управляющее напряжение
Входное напряжение
Выходное напряжение
Импульсный ток
Напряжение затвор - эмиттер
Напряжение сток-исток
Прямой ток
Серия производителя
Внешние размеры
Интерфейс
Корпус
Падение напряжения макс.
Рабочий ток макс.
Тип модуля
Ток стока
Ток управления
Электрический монтаж
Вид памяти
Монтаж
Рабочая температура
Сопротивление в открытом состоянии
Технология
Вид канала
Заряд затвора
Класс напряжения
Время включения
Время готовности
Выходной ток
Напряжение затвор-исток
Прямой ток макс.
Вид упаковки
Напряжение изоляции
Ток коллектора в импульсе
Толщина радитора
Управляющий ток макс.
Ток стока в импульсном режиме
Время отпускания
Управляющий ток
Характеристики полупроводниковых элементов
Время срабатывания
Монтажная резьба
Алгоритм работы(позиция в скобках обозначает мгновенную позицию.)
Время выключения
Выводы