Товары от производителя ONSEMI - страница 132

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусWDFN8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
153.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMC8882, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 16А; 18Вт; WDFN8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC КорпусPower33 МонтажSMD
422.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMC89521L, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 8,2А; Idm: 40А; 16Вт; Power33" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусPower33 МонтажSMD
344.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMC9430L-F085, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 12А; 11,4Вт; Power33" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусPQFN12 МонтажSMD
611.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMD82100, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 25А; Idm: 80А; 2,1Вт; PQFN12" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC КорпусPQFN12 МонтажSMD
352.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMD82100L, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 24А; Idm: 80А; 38Вт; PQFN12" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC КорпусPQFN12 МонтажSMD
650.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMD8240L, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 62А; Idm: 464А; 42Вт; PQFN12" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC КорпусPQFN12 МонтажSMD
602.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMD8240LET40, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 73А; Idm: 489А; 50Вт; PQFN12" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора68нC КорпусPQFN12 МонтажSMD
493.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMD8260L, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 40А; Idm: 293А; 37Вт; PQFN12" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора68нC КорпусPQFN12 МонтажSMD
1 003.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMD8260LET60, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 47А; Idm: 304А; 44Вт; PQFN12" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC КорпусPQFN8 МонтажSMD
765.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMD8280, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 80В; 40А; Idm: 160А; 38Вт; PQFN8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусPQFN8 МонтажSMD
516.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMD84100, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 21А; Idm: 80А; 23Вт; PQFN8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусPQFN8 МонтажSMD
732.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMD86100, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 24А; Idm: 299А; 33Вт; PQFN8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора73нC КорпусPQFN8 МонтажSMD
637.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMD8680, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 80В; 42А; Idm: 487А; 39Вт; PQFN8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,7нC КорпусMicroFET МонтажSMD
136.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDME1023PZT, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -2,6А; Idm: -6А; 1,4Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,2нC КорпусMicroFET МонтажSMD
45.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDME1024NZT, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 3,8А; 1,4Вт; MicroFET" 5000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,7/4,2нC КорпусuDFN6 МонтажSMD
163.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDME1034CZT, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 3,8/-2,6А; 1,4Вт; uDFN6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусMicroFET МонтажSMD
134.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDME510PZT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6А; Idm: -15А; 2,1Вт; MicroFET" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,5нC КорпусMicroFET МонтажSMD
197.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDME820NZT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 9А; Idm: 40А; 2,1Вт; MicroFET" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусMicroFET МонтажSMD
155.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDME905PT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -8А; Idm: -30А; 2,1Вт; MicroFET" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусuDFN6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
134.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDME910PZT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -8А; 2,1Вт; uDFN6" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Внешние размеры
Рабочее напряжение
Срок поставки