Москва
 +7(499)550-50-61

Товары от производителя ONSEMI - страница 193

Сортировать по:
Новинки ниже
NCP456RFCCT2G, IC: power switch; high-side; 2А; Ch: 1; N-Channel; SMD; WLCSP6
0.0
NCP456RFCCT2G
Активное состояниевысокое Вид выходаN-Channel Вид микросхемыhigh-side Вид упаковкибобина, лента Выходной ток2А
137.20 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NCP456RFCCT2G, IC: power switch; high-side; 2А; Ch: 1; N-Channel; SMD; WLCSP6" 1.

NCP45750IMN24TWG, IC: power switch; high-side; 10А; Ch: 1; N-Channel; SMD; DFN12
0.0
NCP45750IMN24TWG
Активное состояниевысокое Вид выходаN-Channel Вид микросхемыhigh-side Вид упаковкибобина, лента Выходной ток10А
349.96 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NCP45750IMN24TWG, IC: power switch; high-side; 10А; Ch: 1; N-Channel; SMD; DFN12" 1.

NCP45760IMN24RTWG, IC: power switch; high-side; 8А; Ch: 1; N-Channel; SMD; DFN12
0.0
NCP45760IMN24RTWG
Активное состояниевысокое Вид выходаN-Channel Вид микросхемыhigh-side Вид упаковкибобина, лента Выходной ток8А
348.50 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NCP45760IMN24RTWG, IC: power switch; high-side; 8А; Ch: 1; N-Channel; SMD; DFN12" 1.

NCP45770IMN24TWG, IC: power switch; high-side; 20А; Ch: 1; N-Channel; SMD; DFN12
0.0
NCP45770IMN24TWG
Активное состояниевысокое Вид выходаN-Channel Вид микросхемыhigh-side Вид упаковкибобина, лента Выходной ток20А
410.12 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NCP45770IMN24TWG, IC: power switch; high-side; 20А; Ch: 1; N-Channel; SMD; DFN12" 1.

NCP45790IMN24RTWG, IC: power switch; high-side; 8А; Ch: 1; N-Channel; SMD; DFN14
0.0
NCP45790IMN24RTWG
Активное состояниевысокое Вид выходаN-Channel Вид микросхемыhigh-side Вид упаковкибобина, лента Выходной ток8А
584.01 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NCP45790IMN24RTWG, IC: power switch; high-side; 8А; Ch: 1; N-Channel; SMD; DFN14" 1.

NCP5030MTTXG, IC: driver; buck-boost,Н мост; контроллер LED; WDFN12; 2,2÷5,5В
0.0
NCP5030MTTXG
Вид микросхемыконтроллер LED Входное напряжение2,7...5,5В Выходное напряжение2,2...5,5В КорпусWDFN12 МонтажSMD
451.94 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NCP5030MTTXG, IC: driver; buck-boost,Н мост; контроллер LED; WDFN12; 2,2÷5,5В" 1.

NCP5104DR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; Ch: 2
0.0
NCP5104DR2G
Вид микросхемыhigh-/low-side, контроллер затвора Вид упаковкибобина, лента Время нарастания импульса160нс Время падения импульса75нс Выходной ток-500...250мА
187.82 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NCP5104DR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; Ch: 2" 1.

NCP5106ADR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; Ch: 2
0.0
NCP5106ADR2G
Вид микросхемыhigh-/low-side, контроллер затвора Вид упаковкибобина, лента Время нарастания импульса160нс Время падения импульса75нс Выходной ток-500...250мА
107.85 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NCP5106ADR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; Ch: 2" 2500.

NCP5106BDR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; Ch: 2
0.0
NCP5106BDR2G
Вид микросхемыhigh-/low-side, контроллер затвора Вид упаковкибобина, лента Время нарастания импульса160нс Время падения импульса75нс Выходной ток-500...250мА
104.92 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NCP5106BDR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; Ch: 2" 2500.

NCP5109ADR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; 200В
0.0
NCP5109ADR2G
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса160нс Время падения импульса75нс Выходной ток-500...250мА Класс напряжения200В
206.16 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NCP5109ADR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; 200В" 1.

NCP5109BDR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; 200В
0.0
NCP5109BDR2G
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса160нс Время падения импульса75нс Выходной ток-500...250мА Класс напряжения200В
211.30 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NCP5109BDR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; 200В" 1.

NCP5111DR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; Ch: 2
0.0
NCP5111DR2G
Вид микросхемыhigh-/low-side, контроллер затвора Вид упаковкибобина, лента Время нарастания импульса160нс Время падения импульса75нс Выходной ток-500...250мА
217.90 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NCP5111DR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; Ch: 2" 1.

NCP51530BDR2G, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; SO8; -3÷3,5А
0.0
NCP51530BDR2G
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса15нс Время падения импульса15нс Выходной ток-3...3,5А Класс напряжения700В
290.54 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NCP51530BDR2G, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; SO8; -3÷3,5А" 1.

NCP51530BMNTWG, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; DFN10; 700В
0.0
NCP51530BMNTWG
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса15нс Время падения импульса15нс Выходной ток-3...3,5А Класс напряжения700В
282.47 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NCP51530BMNTWG, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; DFN10; 700В" 1.

NCP51561BADWR2G, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; SO16; -9÷4,5А
0.0
NCP51561BADWR2G
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса19нс Время падения импульса19нс Выходной ток-9...4,5А Кол-во каналов2
563.46 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NCP51561BADWR2G, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; SO16; -9÷4,5А" 1.

NCP51561BBDWR2G, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; SO16; -9÷4,5А
0.0
NCP51561BBDWR2G
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса19нс Время падения импульса19нс Выходной ток-9...4,5А Кол-во каналов2
542.19 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NCP51561BBDWR2G, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; SO16; -9÷4,5А" 1.

NCP51705MNTXG, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; SiC; QFN24
0.0
NCP51705MNTXG
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Время нарастания импульса15нс Время падения импульса15нс Выходной ток-6...6А КорпусQFN24
610.42 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NCP51705MNTXG, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; SiC; QFN24" 1.

NCP51810AMNTWG, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; GaN; QFN15
0.0
NCP51810AMNTWG
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Выходной ток-2...1А КорпусQFN15 МонтажSMD Обозначение производителяNCP51810AMNTWG
253.12 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NCP51810AMNTWG, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; GaN; QFN15" 1.

NCP5181DR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -2,2÷1,4А; Ch: 2
0.0
NCP5181DR2G
Вид микросхемыhigh-/low-side, контроллер затвора Вид упаковкибобина, лента Время нарастания импульса60нс Время падения импульса40нс Выходной ток-2,2...1,4А
240.65 ₽
Доступность: 1710 шт.
 

Минимальное количество для товара "NCP5181DR2G, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -2,2÷1,4А; Ch: 2" 1.

NCP51820AMNTWG, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; GaN; QFN15
0.0
NCP51820AMNTWG
Вид микросхемыhigh-side, low-side, контроллер затвора Выходной ток-2...1А Класс напряжения650В КорпусQFN15 МонтажSMD
368.31 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NCP51820AMNTWG, IC: driver; high-side,low-side,контроллер затвора; GaN; QFN15" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Внешние размеры
Рабочее напряжение
Срок поставки