Москва
 +7(499)550-50-61

Товары от производителя ROHM SEMICONDUCTOR - страница 50

Сортировать по:
Новинки ниже
RF4C100BCTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -10А; Idm: -36А; 2Вт
0.0
RF4C100BCTCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23,5нC КорпусDFN2020-8S МонтажSMD
162.88 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RF4C100BCTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -10А; Idm: -36А; 2Вт" 1.

RF4E075ATTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,5А; Idm: -30А; 2Вт
0.0
RF4E075ATTCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусDFN2020-8S МонтажSMD
118.12 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RF4E075ATTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,5А; Idm: -30А; 2Вт" 1.

RF4E080BNTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 8А; Idm: 32А; 2Вт; DFN2020-8S
0.0
RF4E080BNTR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14,5нC КорпусDFN2020-8S МонтажSMD
110.05 ₽
Доступность: 2954 шт.
 

Минимальное количество для товара "RF4E080BNTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 8А; Idm: 32А; 2Вт; DFN2020-8S" 1.

RF4E080GNTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 8А; Idm: 32А; 2Вт; DFN2020-8S
0.0
RF4E080GNTR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,8нC КорпусDFN2020-8S МонтажSMD
106.38 ₽
Доступность: 2990 шт.
 

Минимальное количество для товара "RF4E080GNTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 8А; Idm: 32А; 2Вт; DFN2020-8S" 1.

RF4E100AJTCR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 10А; Idm: 36А; 2Вт; DFN2020-8S
0.0
RF4E100AJTCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусDFN2020-8S МонтажSMD
185.62 ₽
Доступность: 2780 шт.
 

Минимальное количество для товара "RF4E100AJTCR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 10А; Idm: 36А; 2Вт; DFN2020-8S" 1.

RF4E110GNTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 11А; Idm: 44А; 2Вт; DFN2020-8S
0.0
RF4E110GNTR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,4нC КорпусDFN2020-8S МонтажSMD
81.44 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RF4E110GNTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 11А; Idm: 44А; 2Вт; DFN2020-8S" 1.

RF4G060ATTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -6А; Idm: -24А; 2Вт; DFN2020-8S
0.0
RF4G060ATTCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17,2нC КорпусDFN2020-8S МонтажSMD
174.61 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RF4G060ATTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -6А; Idm: -24А; 2Вт; DFN2020-8S" 1.

RF4L040ATTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -4А; Idm: -16А; 2Вт; DFN2020-8S
0.0
RF4L040ATTCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17,3нC КорпусDFN2020-8S МонтажSMD
107.85 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RF4L040ATTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -4А; Idm: -16А; 2Вт; DFN2020-8S" 1.

RF6C055BCTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -5,5А; Idm: -18А; 1Вт; SOT363T
0.0
RF6C055BCTCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15,2нC КорпусSOT363T МонтажSMD
165.08 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RF6C055BCTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -5,5А; Idm: -18А; 1Вт; SOT363T" 1.

RF6E045AJTCR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 18А; 1Вт; SOT363T
0.0
RF6E045AJTCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,1нC КорпусSOT363T МонтажSMD
107.12 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RF6E045AJTCR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 18А; 1Вт; SOT363T" 1.

RHK003N06FRAT146, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 300мА; Idm: 1,2А; 200мВт; SMT3
0.0
RHK003N06FRAT146
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3нC КорпусSMT3 МонтажSMD
93.18 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RHK003N06FRAT146, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 300мА; Idm: 1,2А; 200мВт; SMT3" 1.

RHP020N06FRAT100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3
0.0
RHP020N06FRAT100
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC КорпусMPT3 МонтажSMD
59.43 ₽
Доступность: 670 шт.
 

Минимальное количество для товара "RHP020N06FRAT100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3" 3.

RHP020N06T100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3
0.0
RHP020N06T100
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC КорпусMPT3 МонтажSMD
146.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RHP020N06T100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3" 1.

RHP030N03T100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2А; Idm: 10А; 2Вт; MPT3
0.0
RHP030N03T100
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC КорпусMPT3 МонтажSMD
162.88 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RHP030N03T100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2А; Idm: 10А; 2Вт; MPT3" 1.

RHU002N06FRAT106, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 200мА; Idm: 0,8А; 200мВт; UMT3
0.0
RHU002N06FRAT106
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,2нC КорпусUMT3 МонтажSMD
66.03 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RHU002N06FRAT106, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 200мА; Idm: 0,8А; 200мВт; UMT3" 1.

RHU003N03FRAT106, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 300мА; Idm: 1,2А; 200мВт; UMT3
0.0
RHU003N03FRAT106
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусUMT3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
37.42 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RHU003N03FRAT106, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 300мА; Idm: 1,2А; 200мВт; UMT3" 1.

RJ1G12BGNTLL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 120А; Idm: 240А; 178Вт; D2PAK
0.0
RJ1G12BGNTLL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора165нC КорпусD2PAK МонтажSMD
317.68 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RJ1G12BGNTLL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 120А; Idm: 240А; 178Вт; D2PAK" 1000.

RJ1L12BGNTLL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; Idm: 240А; 192Вт; D2PAK
0.0
RJ1L12BGNTLL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора175нC КорпусD2PAK МонтажSMD
347.03 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RJ1L12BGNTLL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; Idm: 240А; 192Вт; D2PAK" 1000.

RJ1P12BBDTLL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; Idm: 240А; 178Вт; D2PAK
0.0
RJ1P12BBDTLL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора80нC КорпусD2PAK МонтажSMD
277.33 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RJ1P12BBDTLL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; Idm: 240А; 178Вт; D2PAK" 1000.

RJK005N03FRAT146, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 500мА; Idm: 2А; 200мВт; SMT3
0.0
RJK005N03FRAT146
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC КорпусSMT3 МонтажSMD
63.83 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RJK005N03FRAT146, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 500мА; Idm: 2А; 200мВт; SMT3" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Рабочее напряжение
Срок поставки