starpower semiconductor — силовые полупроводники для преобразовательной техники

DG10X06T1, Транзистор: IGBT; 600В; 19А; 196Вт; TO220

0.0

КОД:

DG10X06T1

Вид упаковкитуба Время включения21нс Время выключения208нс Заряд затвора70нC КорпусTO220

235.57 ₽

Доступность: 177 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "DG10X06T1, Транзистор: IGBT; 600В; 19А; 196Вт; TO220" 1.

DG10X12T2, Транзистор: IGBT; 1200В; 10А; 96Вт; TO247

0.0

КОД:

DG10X12T2

Вид упаковкитуба Время включения37нс Время выключения493нс Заряд затвора80нC КорпусTO247

400.00 ₽

Доступность: 22 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "DG10X12T2, Транзистор: IGBT; 1200В; 10А; 96Вт; TO247" 1.

DG120X07T2, Транзистор: IGBT; 650В; 120А; 893Вт; TO247PLUS

0.0

КОД:

DG120X07T2

Вид упаковкитуба Время включения282нс Время выключения334нс Заряд затвора0,86мкC КорпусTO247PLUS

2 026.88 ₽

Доступность: 26 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "DG120X07T2, Транзистор: IGBT; 650В; 120А; 893Вт; TO247PLUS" 1.

DG15X06T1, Транзистор: IGBT; 600В; 24А; 235Вт; TO220

0.0

КОД:

DG15X06T1

Вид упаковкитуба Время включения23нс Время выключения208нс Заряд затвора0,1мкC КорпусTO220

270.36 ₽

Доступность: 26 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "DG15X06T1, Транзистор: IGBT; 600В; 24А; 235Вт; TO220" 1.

DG15X12T2, Транзистор: IGBT; 1200В; 15А; 138Вт; TO247

0.0

КОД:

DG15X12T2

Вид упаковкитуба Время включения103нс Время выключения484нс Заряд затвора0,12мкC КорпусTO247

483.79 ₽

Доступность: 36 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "DG15X12T2, Транзистор: IGBT; 1200В; 15А; 138Вт; TO247" 1.

DG20X06T1, Транзистор: IGBT; 600В; 29А; 313Вт; TO220

0.0

КОД:

DG20X06T1

Вид упаковкитуба Время включения26нс Время выключения200нс Заряд затвора0,14мкC КорпусTO220

303.56 ₽

Доступность: 59 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "DG20X06T1, Транзистор: IGBT; 600В; 29А; 313Вт; TO220" 1.

DG20X06T2, Транзистор: IGBT; 600В; 29А; 166Вт; TO247

0.0

КОД:

DG20X06T2

Вид упаковкитуба Время включения26нс Время выключения200нс Заряд затвора0,14мкC КорпусTO247

338.34 ₽

Доступность: 90 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "DG20X06T2, Транзистор: IGBT; 600В; 29А; 166Вт; TO247" 1.

DG25X12T2, Транзистор: IGBT; 1200В; 25А; 348Вт; TO247

0.0

КОД:

DG25X12T2

Вид упаковкитуба Время включения36нс Время выключения362нс Заряд затвора0,19мкC КорпусTO247

676.68 ₽

Доступность: 44 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "DG25X12T2, Транзистор: IGBT; 1200В; 25А; 348Вт; TO247" 1.

DG30X07T2, Транзистор: IGBT; 650В; 30А; 208Вт; TO247

0.0

КОД:

DG30X07T2

Вид упаковкитуба Время включения0,1мкс Время выключения306нс Заряд затвора0,22мкC КорпусTO247

445.85 ₽

Доступность: 54 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "DG30X07T2, Транзистор: IGBT; 650В; 30А; 208Вт; TO247" 1.

DG40X12T2, Транзистор: IGBT; 1200В; 40А; 468Вт; TO247

0.0

КОД:

DG40X12T2

Вид упаковкитуба Время включения198нс Время выключения668нс Заряд затвора0,27мкC КорпусTO247

877.47 ₽

Доступность: 75 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "DG40X12T2, Транзистор: IGBT; 1200В; 40А; 468Вт; TO247" 1.

DG50Q12T2, Транзистор: IGBT; 1200В; 50А; 672Вт; TO247PLUS

0.0

КОД:

DG50Q12T2

Вид упаковкитуба Время включения172нс Время выключения338нс Заряд затвора0,37мкC КорпусTO247PLUS

1 527.27 ₽

Доступность: 30 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "DG50Q12T2, Транзистор: IGBT; 1200В; 50А; 672Вт; TO247PLUS" 1.

DG50X07T2, Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 714Вт; TO247

0.0

КОД:

DG50X07T2

Вид упаковкитуба Время включения36нс Время выключения200нс Заряд затвора0,35мкC КорпусTO247

649.80 ₽

Доступность: 102 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "DG50X07T2, Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 714Вт; TO247" 1.

DG50X12T2, Транзистор: IGBT; 1200В; 50А; 592Вт; TO247PLUS

0.0

КОД:

DG50X12T2

Вид упаковкитуба Время включения180нс Время выключения607нс Заряд затвора0,35мкC КорпусTO247PLUS

1 372.33 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "DG50X12T2, Транзистор: IGBT; 1200В; 50А; 592Вт; TO247PLUS" 1.

DG75H12T2, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 75А

0.0

КОД:

DG75H12T2

Вид упаковкитуба МонтажTHT Напряжение коллектор-эмиттер1,2кВ Обозначение производителяDG75H12T2 ПроизводительSTARPOWER SEMICONDUCTOR

1 577.87 ₽

Доступность: 31 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "DG75H12T2, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 75А" 1.

DG75X07T2L, Транзистор: IGBT; 650В; 75А; 428Вт; TO247PLUS

0.0

КОД:

DG75X07T2L

Вид упаковкитуба Время включения264нс Время выключения369нс Заряд затвора0,52мкC КорпусTO247PLUS

1 143.08 ₽

Доступность: 17 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "DG75X07T2L, Транзистор: IGBT; 650В; 75А; 428Вт; TO247PLUS" 1.

DG75X12T2, Транзистор: IGBT; 1200В; 75А; 852Вт; TO247PLUS

0.0

КОД:

DG75X12T2

Вид упаковкитуба Время включения163нс Время выключения559нс Заряд затвора0,49мкC КорпусTO247PLUS

1 792.89 ₽

Доступность: 60 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "DG75X12T2, Транзистор: IGBT; 1200В; 75А; 852Вт; TO247PLUS" 1.

GD100SGY120D6S, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; одиночный транзистор; D6

0.0

КОД:

GD100SGY120D6S

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусD6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD100SGY120D6S

4 037.94 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD100SGY120D6S, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; одиночный транзистор; D6" 1.

GD10PJX65F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 10А

0.0

КОД:

GD10PJX65F1S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF1.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD10PJX65F1S

5 462.45 ₽

Доступность: 22 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "GD10PJX65F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 10А" 1.

GD10PJX65L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 10А

0.0

КОД:

GD10PJX65L2S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL2.5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD10PJX65L2S

4 434.78 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD10PJX65L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 10А" 1.

GD10PJY120F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 10А

0.0

КОД:

GD10PJY120F1S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF1.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD10PJY120F1S

5 517.79 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD10PJY120F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 10А" 1.

GD10PJY120F4S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 10А

0.0

КОД:

GD10PJY120F4S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF4.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD10PJY120F4S

5 895.65 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD10PJY120F4S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 10А" 1.

GD10PJY120L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 10А

0.0

КОД:

GD10PJY120L2S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL2.2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD10PJY120L2S

4 994.47 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD10PJY120L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 10А" 1.

GD15PJX65F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 15А

0.0

КОД:

GD15PJX65F1S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF1.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD15PJX65F1S

6 022.13 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD15PJX65F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 15А" 1.

GD15PJX65L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 15А

0.0

КОД:

GD15PJX65L2S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL2.2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD15PJX65L2S

4 994.47 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD15PJX65L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 15А" 1.

GD15PJY120F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 15А

0.0

КОД:

GD15PJY120F1S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF1.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD15PJY120F1S

6 309.88 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD15PJY120F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 15А" 1.

GD15PJY120F4S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 15А

0.0

КОД:

GD15PJY120F4S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF4.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD15PJY120F4S

6 689.33 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD15PJY120F4S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 15А" 1.

GD15PJY120L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 15А

0.0

КОД:

GD15PJY120L2S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL2.2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD15PJY120L2S

5 822.92 ₽

Доступность: 17 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "GD15PJY120L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 15А" 1.

GD200HFU120C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В

0.0

КОД:

GD200HFU120C2S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD200HFU120C2S

20 374.70 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD200HFU120C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

GD20PJX65F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 20А

0.0

КОД:

GD20PJX65F1S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF1.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD20PJX65F1S

6 309.88 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD20PJX65F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 20А" 1.

GD20PJX65L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 20А

0.0

КОД:

GD20PJX65L2S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL2.2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD20PJX65L2S

6 219.76 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD20PJX65L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 20А" 1.

GD25PJY120L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 25А

0.0

КОД:

GD25PJY120L3S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL3.0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD25PJY120L3S

8 491.70 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD25PJY120L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 25А" 1.

GD30PJX65L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 30А

0.0

КОД:

GD30PJX65L2S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL2.2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD30PJX65L2S

5 859.29 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD30PJX65L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 30А" 1.

GD35PJY120L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 35А

0.0

КОД:

GD35PJY120L3S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL3.0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD35PJY120L3S

9 068.77 ₽

Доступность: 14 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "GD35PJY120L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 35А" 1.

GD40PIY120C5S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 40А

0.0

КОД:

GD40PIY120C5S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD40PIY120C5S

12 638.74 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD40PIY120C5S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 40А" 1.

GD50FFX65C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 50А

0.0

КОД:

GD50FFX65C5S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50FFX65C5S

11 359.68 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD50FFX65C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 50А" 1.

GD50FFY120C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 50А

0.0

КОД:

GD50FFY120C5S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50FFY120C5S

13 612.65 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD50FFY120C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 50А" 1.

GD50FSX65L2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 650В; Ic: 50А; L2.1

0.0

КОД:

GD50FSX65L2S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусL2.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50FSX65L2S

6 599.21 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD50FSX65L2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 650В; Ic: 50А; L2.1" 1.

GD50HFX65C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В

0.0

КОД:

GD50HFX65C1S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50HFX65C1S

6 942.29 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD50HFX65C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

GD50HHU120C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1200В; Ic: 50А

0.0

КОД:

GD50HHU120C5S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50HHU120C5S

14 226.09 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD50HHU120C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1200В; Ic: 50А" 1.

GD50PIX65C5S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 50А

0.0

КОД:

GD50PIX65C5S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50PIX65C5S

13 324.90 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD50PIX65C5S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 50А" 1.

GD50PJX65L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 50А

0.0

КОД:

GD50PJX65L3S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL3.0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50PJX65L3S

9 574.70 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD50PJX65L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 50А" 1.

GD75FFX65C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А

0.0

КОД:

GD75FFX65C5S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75FFX65C5S

13 179.45 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD75FFX65C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А" 1.

GD75HFY120C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В

0.0

КОД:

GD75HFY120C1S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75HFY120C1S

7 734.39 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD75HFY120C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

GD75MLX65L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор

0.0

КОД:

GD75MLX65L3S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL3.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75MLX65L3S

9 754.94 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD75MLX65L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.