Товары от производителя VISHAY - страница 1217

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,2нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
78.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3430DV-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 2,4А; Idm: 8А; 2Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,2нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
78.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3430DV-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 2,4А; Idm: 8А; 2Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3433CDV-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6А; Idm: -20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
79.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3433CDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6А; Idm: -20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3437DV-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -150В; -1,4А; Idm: -5А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
158.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3437DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -150В; -1,4А; Idm: -5А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3438DV-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 7,4А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3438DV-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 7,4А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3440ADV-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 2,2А; Idm: 4А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3440DV-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 1,2А; Idm: 6А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
143.26 
Доступность: 2243 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3440DV-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 1,2А; Idm: 6А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3442BDV-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 4,2А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3442BDV-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 4,2А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
51.32 
Доступность: 76 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3443BDV-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,8А; 1,3Вт; TSOP6" 3.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3443BDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -3,6А; Idm: -20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12,4нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3443CDV-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -5,97А; Idm: -20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,53нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
114.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3443CDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,6А; 2,05Вт; TSOP6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3443DDV-T1-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -4А; Idm: -20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
55.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3443DDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4А; 1,7Вт; TSOP6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,8нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3453DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -3,4А; Idm: -6А" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Вес
Внешние размеры
Материал корпуса
Рабочее напряжение
Срок поставки