Товары от производителя VISHAY - страница 1227

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC КорпусSO8 МонтажSMD
139.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4850EY-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 7,1А; 3,3Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC КорпусSO8 МонтажSMD
313.61 
Доступность: 760 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4850EY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 8,5А; Idm: 40А; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4850EY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 6А; Idm: 40А; 1,2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4862DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 16В; 25А; Idm: 60А; 3,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4864DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 25А; Idm: 60А; 3,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4874BDY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 16А; Idm: 50А; 3Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4890DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 11А; Idm: 50А; 2,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC КорпусSO8 МонтажSMD
77.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4894BDY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 9,5А; 2,5Вт; SO8" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4894BDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12А; Idm: 40А; 2,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4896DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 9,5А; Idm: 50А; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4896DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 9,5А; Idm: 50А; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4900DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 60В; 5,3А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4900DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 60В; 5,3А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора85нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4904DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 8А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора85нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4904DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 8А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора63нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4909DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -6,4А; Idm: -30А; 2,1Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора62нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4922BDY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 8А; Idm: 35А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора62нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4922BDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 8А; Idm: 35А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусSO8 МонтажSMD
227.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4925BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -5,7А; 2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусSO8 МонтажSMD
221.67 
Доступность: 1394 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4925DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -5,9А; 5Вт; SO8" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Вес
Внешние размеры
Материал корпуса
Рабочее напряжение
Срок поставки