Товары от производителя VISHAY - страница 1229

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5441BDC-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,1А; Idm: -20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5441BDC-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,1А; Idm: -20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5442DU-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 25А; Idm: 60А; 31Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC МонтажSMD Напряжение сток-исток40В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5448DU-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 25А; Idm: 100А; 31Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
88.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5457DC-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6А; Idm: -20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5458DU-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 6А; Idm: 20А; 10,4Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5459DU-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -8А; Idm: -20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5468DC-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 6А; Idm: 30А; 5,7Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора96нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5471DC-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6А; Idm: -25А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5476DU-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 12А; Idm: 25А; 31Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5504BDC-T1-E3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 4/-3,7А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5504BDC-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 4/-3,7А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,6/4,2нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5513CDC-T1-E3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 4/-3,7А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,6/4,2нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5513CDC-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 4/-3,7А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11/11,3нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5515CDC-T1-E3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 4/-4А; 3,1Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11/11,3нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5515CDC-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 4/-4А; 3,1Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14/16нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5517DU-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 6/-6А; 8,3Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5902BDC-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 4А; Idm: 10А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5902BDC-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 4А; Idm: 10А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,5нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5908DC-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 5,9А; Idm: 20А" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Вес
Внешние размеры
Материал корпуса
Рабочее напряжение
Срок поставки