Товары от производителя VISHAY - страница 1230

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,5нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5908DC-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 5,9А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5922DU-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 6А; Idm: 24А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5935CDC-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -4А; Idm: -10А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC КорпусChipFET МонтажSMD
121.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5935CDC-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -4А; Idm: -10А; 2Вт; ChipFET" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5936DU-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 6А; Idm: 25А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5948DU-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 6А; Idm: 10А; 7Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC КорпусTSSOP8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI6415DQ-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -6,5А; Idm: -30А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC КорпусTSSOP8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI6415DQ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -6,5А; Idm: -30А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора110нC КорпусTSSOP8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI6423DQ-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -9,5А; Idm: -30А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора110нC КорпусTSSOP8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI6423DQ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -8,2А; Idm: -30А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23/51нC КорпусTSSOP8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI6562CDQ-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 4,2/-4,9А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC КорпусTSSOP8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI6913DQ-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -12В; -5,8А; 1,14Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC КорпусTSSOP8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI6913DQ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -12В; -5,8А; 1,14Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,5нC КорпусTSSOP8 МонтажSMD
240.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI6926ADQ-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 3,6А; 1Вт; TSSOP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,5нC КорпусTSSOP8 МонтажSMD
106.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI6926ADQ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 4,5А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусTSSOP8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI6954ADQ-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 3,4А; Idm: 20А; 1Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусTSSOP8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI6954ADQ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 3,4А; Idm: 20А; 1Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусTSSOP8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI6968BEDQ-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 6,5А; Idm: 30А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусTSSOP8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI6968BEDQ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 6,5А; Idm: 30А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора102нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
268.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7101DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -35А; Idm: -80А; 33Вт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Вес
Внешние размеры
Материал корпуса
Рабочее напряжение
Срок поставки