Товары от производителя VISHAY - страница 1222

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4386DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 16А; Idm: 50А; 3,1Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4386DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 16А; Idm: 50А; 3,1Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4392ADY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 21,5А; Idm: 50А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора55нC КорпусSO8 МонтажSMD
233.78 
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4401BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -8,3А; 2,9Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора55нC КорпусSO8 МонтажSMD
308.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4401BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -8,7А; Idm: -50А; 0,95Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора95нC КорпусSO8 МонтажSMD
182.47 
Доступность: 2716 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4401DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -16,1А; Idm: -50А; 4Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора31нC КорпусSO8 МонтажSMD
186.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4401FDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -11А; Idm: -80А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора90нC КорпусSO8 МонтажSMD
156.81 
Доступность: 2097 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4403CDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -13,4А; Idm: -40А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора39нC КорпусSO8 МонтажSMD
93.37 
Доступность: 1708 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4403DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -12,3А; 3,2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4408DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 21А; Idm: 60А; 3,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4408DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 21А; Idm: 60А; 3,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4420BDY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 13,5А; Idm: 50А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4420BDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 13,5А; Idm: 50А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора125нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4421DY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -14А; Idm: -40А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора125нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4421DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -14А; Idm: -40А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора175нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4423DY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -14А; Idm: -50А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора175нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4423DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -14А; Idm: -50А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,1мкC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4425BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -8,8А; Idm: -50А; 0,9Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,1мкC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4425BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -11,4А; Idm: -50А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC КорпусSO8 МонтажSMD
170.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4425DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -15,7А; 3,6Вт; SO8" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Вес
Внешние размеры
Материал корпуса
Рабочее напряжение
Срок поставки