Товары от производителя VISHAY - страница 1244

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,5нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
73.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA106DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 12А; Idm: 40А; 19Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
69.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA108DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 12А; Idm: 30А; 19Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
86.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA110DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 12А; Idm: 20А; 19Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,8нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
62.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA112LDJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 8,8А; Idm: 10А" 6000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
131.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA400EDJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12А; Idm: 30А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора57нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
79.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA413ADJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -12А; Idm: -40А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора57нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
188.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA413DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -12А; Idm: -40А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±5В
80.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA414DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 8В; 12А; Idm: 40А; 19Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусPowerPAK® SC70 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA416DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 11,3А; Idm: 15А; 12Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора29нC КорпусPowerPAK® SC70 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA421DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -12А; Idm: -35А; 12Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52,2нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
38.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA4263DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -32А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
27.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA4265EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -9А; Idm: -20А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусPowerPAK® SC70 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA427ADJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -12А; Idm: -50А; 12Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора62нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
51.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA429DJT-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -30А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
39.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA430DJT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 12А; Idm: 40А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC КорпусPowerPAK® SC70 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA431DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -12А; Idm: -30А; 12Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
101.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA432DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12А; Idm: 30А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора75нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
65.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA433EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -50А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25,2нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±5В
54.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA436DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 8В; 12А; Idm: 50А; 19Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора90нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
62.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA437DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -29,7А; Idm: -60А" 3000.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Вес
Внешние размеры
Материал корпуса
Рабочее напряжение
Срок поставки