Москва
 +7(499)550-50-61

Товары от производителя VISHAY - страница 1242

Сортировать по:
Новинки ниже
SI8424CDB-T1-E1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 8В; 10А; Idm: 25А; 1,8Вт
0.0
SI8424CDB-T1-E1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусMICROFOOT® 1.6x1.6 МонтажSMD
76.27 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8424CDB-T1-E1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 8В; 10А; Idm: 25А; 1,8Вт" 1.

SI8425DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -9,3А; Idm: -25А
0.0
SI8425DB-T1-E1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора110нC КорпусMICROFOOT® 1.6x1.6 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8425DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -9,3А; Idm: -25А" 1.

SI8429DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -11,7А; Idm: -25А
0.0
SI8429DB-T1-E1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусMICROFOOT® 1.6x1.6 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8429DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -11,7А; Idm: -25А" 1.

SI8457DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -10,2А; Idm: -25А
0.0
SI8457DB-T1-E1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора93нC КорпусMICROFOOT® 1.6x1.6 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8457DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -10,2А; Idm: -25А" 1.

SI8466EDB-T2-E1, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 8В; 5,4А; Idm: 20А; 1,8Вт
0.0
SI8466EDB-T2-E1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±5В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8466EDB-T2-E1, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 8В; 5,4А; Idm: 20А; 1,8Вт" 1.

SI8472DB-T2-E1, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 4,5А; Idm: 20А
0.0
SI8472DB-T2-E1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8472DB-T2-E1, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 4,5А; Idm: 20А" 1.

SI8481DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -9,7А; Idm: -30А
0.0
SI8481DB-T1-E1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора81нC КорпусMICROFOOT® 1.6x1.6 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8481DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -9,7А; Idm: -30А" 1.

SI8483DB-T2-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -16А; Idm: -25А
0.0
SI8483DB-T2-E1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора65нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±10В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8483DB-T2-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -16А; Idm: -25А" 1.

SI8487DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6,4А; 1,8/0,73Вт
0.0
SI8487DB-T1-E1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора80нC КорпусMICROFOOT® 1.6x1.6 МонтажSMD
139.70 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8487DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6,4А; 1,8/0,73Вт" 1.

SI8489EDB-T2-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -5,4А; Idm: -20А
0.0
SI8489EDB-T2-E1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8489EDB-T2-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -5,4А; Idm: -20А" 1.

SI8497DB-T2-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -13А; Idm: -20А
0.0
SI8497DB-T2-E1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора49нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8497DB-T2-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -13А; Idm: -20А" 1.

SI8499DB-T2-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -16А; Idm: -20А
0.0
SI8499DB-T2-E1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8499DB-T2-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -16А; Idm: -20А" 1.

SI8800EDB-T2-E1, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 2,8А; Idm: 15А
0.0
SI8800EDB-T2-E1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,3нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8800EDB-T2-E1, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 2,8А; Idm: 15А" 1.

SI8802DB-T2-E1, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 8В; 3,5А; Idm: 15А
0.0
SI8802DB-T2-E1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±5В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8802DB-T2-E1, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 8В; 3,5А; Idm: 15А" 1.

SI8806DB-T2-E1, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12В; 3,9А; Idm: 20А
0.0
SI8806DB-T2-E1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8806DB-T2-E1, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12В; 3,9А; Idm: 20А" 1.

SI8808DB-T2-E1, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 2,5А; Idm: 10А
0.0
SI8808DB-T2-E1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8808DB-T2-E1, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 2,5А; Idm: 10А" 1.

SI8810EDB-T2-E1, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 2,9А; Idm: 15А
0.0
SI8810EDB-T2-E1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8810EDB-T2-E1, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 2,9А; Idm: 15А" 1.

SI8812DB-T2-E1, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 3,2А; Idm: 20А
0.0
SI8812DB-T2-E1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8812DB-T2-E1, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 3,2А; Idm: 20А" 1.

SI8816EDB-T2-E1, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 2,3А; Idm: 8А
0.0
SI8816EDB-T2-E1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8816EDB-T2-E1, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 2,3А; Idm: 8А" 1.

SI8817DB-T2-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -2,9А; Idm: -15А
0.0
SI8817DB-T2-E1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8817DB-T2-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -2,9А; Idm: -15А" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Вес
Внешние размеры
Материал корпуса
Рабочее напряжение
Срок поставки