Товары от производителя VISHAY - страница 1247

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC МонтажSMD Напряжение сток-исток25В
59.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIAA00DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 40А; Idm: 80А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33нC МонтажSMD Напряжение сток-исток20В
42.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIAA02DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 52А; Idm: 100А; 19Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC МонтажSMD Напряжение сток-исток40В
79.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIAA40DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 30А; Idm: 60А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
47.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIB406EDK-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 6А; Idm: 15А; 10Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±5В
42.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIB417EDK-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -9А; Idm: -15А; 13Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
39.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIB422EDK-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 9А; Idm: 25А; 13Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
39.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIB433EDK-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -9А; Idm: -20А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
32.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIB441EDK-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -9А; Idm: -40А" 3000.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора6,5нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В
168.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIB452DK-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 190В; 0,53А; 13Вт; DPAK,TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
30.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIB456DK-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 6,3А; Idm: 7А; 13Вт" 3000.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC КорпусPowerPAK® SC75
103.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIB457EDK-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6,8А; Idm: -25А; 8,4Вт; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3нC КорпусPowerPAK® SC75 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIB912DK-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1,5А; Idm: 5А; 2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
271.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR104ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 81А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
329.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR104AEP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 90,5А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора170нC МонтажSMD Напряжение сток-исток25В
253.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR140DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 100А; Idm: 500А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора170нC МонтажSMD Напряжение сток-исток25В
287.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR140DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 100А; Idm: 500А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,14мкC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
265.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR170DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 95А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора200нC МонтажSMD Напряжение сток-исток25В
295.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR220DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 100А; Idm: 500А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора153нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
253.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR390DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 100А; Idm: 400А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора188нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
275.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR392DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 100А; Idm: 200А" 3000.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Вес
Внешние размеры
Материал корпуса
Рабочее напряжение
Срок поставки