Москва
 +7(499)550-50-61

Товары от производителя VISHAY - страница 1246

Сортировать по:
Новинки ниже
SIA485DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -150В; -1,6А; Idm: -2А
0.0
SIA485DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,3нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
44.19 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA485DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -150В; -1,6А; Idm: -2А" 3000.

SIA517DJ-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12/-12В; 4,5/-4,5А
0.0
SIA517DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20/15нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
136.85 ₽
Доступность: 2425 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIA517DJ-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12/-12В; 4,5/-4,5А" 1.

SIA519EDJ-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 4,5/-4,5А
0.0
SIA519EDJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16/12нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
51.32 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA519EDJ-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 4,5/-4,5А" 3000.

SIA527DJ-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12/-12В; 4,5/-4,5А
0.0
SIA527DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26/15нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
36.35 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA527DJ-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12/-12В; 4,5/-4,5А" 3000.

SIA533EDJ-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12/-12В; 4,5/-4,5А
0.0
SIA533EDJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20/15нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
54.88 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA533EDJ-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12/-12В; 4,5/-4,5А" 3000.

SIA537EDJ-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12/-20В; 4,5/-4,5А
0.0
SIA537EDJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25/16нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
44.19 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA537EDJ-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12/-20В; 4,5/-4,5А" 3000.

SIA811ADJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; -20В; -4,5А
0.0
SIA811ADJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
47.04 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA811ADJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; -20В; -4,5А" 3000.

SIA817EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; -30В; -4,5А
0.0
SIA817EDJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
32.79 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA817EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; -30В; -4,5А" 3000.

SIA906EDJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 4,5А; Idm: 15А
0.0
SIA906EDJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
47.04 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA906EDJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 4,5А; Idm: 15А" 3000.

SIA910EDJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 12В; 4,5А; Idm: 20А
0.0
SIA910EDJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
51.32 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA910EDJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 12В; 4,5А; Idm: 20А" 3000.

SIA913ADJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -12В; -4,5А; 6,5Вт
0.0
SIA913ADJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
44.90 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA913ADJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -12В; -4,5А; 6,5Вт" 3000.

SIA918EDJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 15А
0.0
SIA918EDJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,5нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
36.35 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA918EDJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 15А" 3000.

SIA921EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,5А; Idm: -15А; 5Вт
0.0
SIA921EDJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC КорпусPowerPAK® SC70 МонтажSMD
149.68 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA921EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,5А; Idm: -15А; 5Вт" 1.

SIA923AEDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -4,5А; 7,8Вт
0.0
SIA923AEDJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
54.88 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA923AEDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -4,5А; 7,8Вт" 3000.

SIA923EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -4,5А; 7,8Вт
0.0
SIA923EDJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
52.74 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA923EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -4,5А; 7,8Вт" 3000.

SIA928DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 30А
0.0
SIA928DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
38.49 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA928DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 30А" 3000.

SIA929DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,5А; Idm: -15А; 5Вт
0.0
SIA929DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусPowerPAK® SC70 МонтажSMD
151.10 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA929DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,5А; Idm: -15А; 5Вт" 1.

SIA931DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,3А; Idm: -28А; 5Вт
0.0
SIA931DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусPowerPAK® SC70 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA931DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,3А; Idm: -28А; 5Вт" 1.

SIA938DJT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 4,5А; Idm: 30А
0.0
SIA938DJT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,5нC МонтажSMD Напряжение сток-исток20В
43.48 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA938DJT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 4,5А; Idm: 30А" 3000.

SIA975DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -4,5А; Idm: -15А; 5Вт
0.0
SIA975DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC КорпусPowerPAK® SC70 МонтажSMD
151.10 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA975DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -4,5А; Idm: -15А; 5Вт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Вес
Внешние размеры
Материал корпуса
Рабочее напряжение
Срок поставки