Тиристорные модули – мощные решения для управления током!

В нашем каталоге представлены тиристорные модули различных типов и параметров. Идеально подходят для использования в силовой электронике, промышленном оборудовании и других устройствах. Мы предлагаем продукцию от ведущих производителей с гарантией качества. Выгодные цены, быстрая доставка и профессиональная поддержка. Выбирайте тиристорные модули у нас – надежность и качество в каждом элементе!

0.0
GD600SGU120C2S
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD600SGU120C2S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD600SGU120C2S, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; одиночный транзистор" 1.

0.0
GD600SGX170C2S
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD600SGX170C2S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD600SGX170C2S, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; одиночный транзистор" 1.

0.0
GD600SGY120C2S
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD600SGY120C2S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD600SGY120C2S, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; одиночный транзистор" 1.

0.0
GD650HFX170P1S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусP1.0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD650HFX170P1S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD650HFX170P1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В" 1.

0.0
GD75FFX170C6S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75FFX170C6S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD75FFX170C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А" 1.

0.0
GD75FFX65C5S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75FFX65C5S
14 15493 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD75FFX65C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А" 1.

0.0
GD75FFY120C5S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75FFY120C5S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD75FFY120C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А" 1.

0.0
GD75FFY120C6S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75FFY120C6S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD75FFY120C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А" 1.

0.0
GD75FSY120L3S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусL3.2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75FSY120L3S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD75FSY120L3S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1200В; Ic: 75А; L3.2" 1.

0.0
GD75HFU120C1S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75HFU120C1S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD75HFU120C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

0.0
GD75HFX170C1S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75HFX170C1S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD75HFX170C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В" 1.

0.0
GD75HFX65C1S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75HFX65C1S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD75HFX65C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

0.0
GD75HFY120C1S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75HFY120C1S
8 30722 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD75HFY120C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

0.0
GD75HHU120C5S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75HHU120C5S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD75HHU120C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1200В; Ic: 75А" 1.

0.0
GD75MLX65L3S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL3.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75MLX65L3S
10 47623 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD75MLX65L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

0.0
GD75PIX65C6S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75PIX65C6S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD75PIX65C6S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 75А" 1.

0.0
GD75PIY120C6SN
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75PIY120C6SN
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD75PIY120C6SN, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 75А" 1.

0.0
GD800HFX170C3S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC3 130mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD800HFX170C3S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD800HFX170C3S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В" 1.

0.0
GD800HFY120C3S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC3 130mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD800HFY120C3S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD800HFY120C3S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

0.0
GD800SGX170C3S
Конструкция диодаобщий вход, транзистор/транзистор КорпусC3 130mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD800SGX170C3S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD800SGX170C3S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход; IGBT x2; Ic: 800А" 1.

0.0
GD80TLQ120F1S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусF1.2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD80TLQ120F1S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD80TLQ120F1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-уровневый инвертор TNPC" 1.

0.0
GD900HFY120P1S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусP1.0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD900HFY120P1S
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "GD900HFY120P1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

0.0
HFGM100D12V1-HUA
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусV1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В Обозначение производителяHFGM100D12V1
10 09331 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "HFGM100D12V1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
HFGM150D12V3-HUA
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусV3 62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В Обозначение производителяHFGM150D12V3
15 91637 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "HFGM150D12V3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Показать еще 24 товара