Товары из категории модули igbt - страница 10

Производитель
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGL90DSK120T3G
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGL90DSK120T3G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper x2,термистор NTC" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGL90H120T3G
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGL90H120T3G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; SP3F" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGLQ100A120T3AG
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ100A120T3AG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; IGBT x2,термистор NTC; SP3" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGLQ100A120TG
23 538.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ100A120TG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGLQ100A65T1G
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ100A65T1G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGLQ100DA120T1G
17 081.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ100DA120T1G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор NTC; SP1" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGLQ100H65T3G
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ100H65T3G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; SP3F" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGLQ150A120TG
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ150A120TG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGLQ150H120G
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ150H120G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1,2кВ; Ic: 150А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGLQ200A120T3AG
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ200A120T3AG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; IGBT x2,термистор NTC; SP3F" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGLQ200H120G
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ200H120G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1,2кВ; Ic: 200А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGLQ200H65G
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ200H65G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 650В; Ic: 200А" 1.

Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGLQ200HR120G
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ200HR120G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP1 Механический монтажвинтами Обозначение производителяAPTGLQ25H120T1G Обратное напряжение макс.1,2кВ
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ25H120T1G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGLQ300A120G
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ300A120G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGLQ300H65G
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ300H65G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 650В; Ic: 300А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGLQ300SK120G
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ300SK120G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGLQ30H65T3G
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ30H65T3G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; SP3F" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGLQ400A120T6G
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ400A120T6G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGLQ40DDA120CT3G
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ40DDA120CT3G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper x2,термистор NTC" 1.

Показать еще 20 товаров

Модули IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это высокомощные полупроводниковые сборки, сочетающие IGBT-транзисторы и обратные диоды** в одном корпусе. Предназначены для эффективного управления высоким напряжением и током в системах преобразования энергии: частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания, сварочных аппаратах, инверторах и электроприводах.

Обеспечивают высокую эффективность, быстрое переключение и низкие потери мощности.

В каталоге 7-el.ru — модули IGBT от проверенных производителей: KEFA, Infineon, Mitsubishi Electric, Fuji Electric, Semikron, ABB, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж