Товары из категории модули igbt - страница 11

Производитель
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGLQ40H120T1G
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ40H120T1G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; SP1" 1.

Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGLQ40HR120CT3G
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ40HR120CT3G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGLQ50DDA65T3G
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ50DDA65T3G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper x2,термистор NTC" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGLQ50H65T1G
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ50H65T1G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; SP1" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGLQ50H65T3G
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ50H65T3G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; SP3F" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGLQ50TL65T3G
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ50TL65T3G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGLQ50VDA65T3G
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ50VDA65T3G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper x2,термистор NTC" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGLQ600A65T6G
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ600A65T6G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGLQ75H120T3G
23 952.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ75H120T3G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; SP3F" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGLQ75H120TG
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ75H120TG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; SP4" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGLQ75H65T1G
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ75H65T1G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; SP1" 1.

Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGLQ80HR120CT3G
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ80HR120CT3G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT100A120T3AG
23 448.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT100A120T3AG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; IGBT x2,термистор NTC; SP3" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT100A120TG
24 564.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT100A120TG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT100A170TG
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT100A170TG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT100A60T1G
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT100A60T1G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT100BB60T3G
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT100BB60T3G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck-boost chopper,термистор NTC" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT100DA120T1G
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT100DA120T1G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор NTC; SP1" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT100DA60T1G
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT100DA60T1G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор NTC; SP1" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT100DH120TG
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT100DH120TG, Модуль: IGBT; диод/транзистор; асимметричный мост,термистор NTC" 1.

Показать еще 20 товаров

Модули IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это высокомощные полупроводниковые сборки, сочетающие IGBT-транзисторы и обратные диоды** в одном корпусе. Предназначены для эффективного управления высоким напряжением и током в системах преобразования энергии: частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания, сварочных аппаратах, инверторах и электроприводах.

Обеспечивают высокую эффективность, быстрое переключение и низкие потери мощности.

В каталоге 7-el.ru — модули IGBT от проверенных производителей: KEFA, Infineon, Mitsubishi Electric, Fuji Electric, Semikron, ABB, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж