Полупроводники :: Транзисторы :: Транзисторы и модули IGBT :: Модули IGBT

FS15R12VT3BOMA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 15А

0.0

КОД:

FS15R12VT3

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-EASY750-1 Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFS15R12VT3BOMA1 Обратное напряжение макс.1,2кВ

4 472 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "FS15R12VT3BOMA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 15А" 1.

FS200R12KT4RB11BOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 200А

0.0

КОД:

FS200R12KT4RB11

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-ECONO3-4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFS200R12KT4RB11BOSA1

84 610 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "FS200R12KT4RB11BOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 200А" 1.

FS50R12KE3BPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А; 270Вт

0.0

КОД:

FS50R12KE3BPSA1

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-ECONO2B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFS50R12KE3BPSA1

21 066 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "FS50R12KE3BPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А; 270Вт" 1.

FS75R12W2T4B11BOMA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А

0.0

КОД:

FS75R12W2T4B11

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-EASY2B-2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFS75R12W2T4B11BOMA1

9 443 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "FS75R12W2T4B11BOMA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А" 15.

FZ400R12KS4HOSA1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 400А; AG-62MM

0.0

КОД:

FZ400R12KS4HOSA1

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусAG-62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFZ400R12KS4HOSA1

20 766 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "FZ400R12KS4HOSA1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 400А; AG-62MM" 1.

FZ400R17KE4HOSA1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 400А; винтами

0.0

КОД:

FZ400R17KE4HOSA1

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусAG-62MMES Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFZ400R17KE4HOSA1

30 204 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "FZ400R17KE4HOSA1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 400А; винтами" 1.

FZ600R12KE3HOSA1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 600А; AG-62MM

0.0

КОД:

FZ600R12KE3HOSA1

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусAG-62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFZ600R12KE3HOSA1

34 542 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "FZ600R12KE3HOSA1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 600А; AG-62MM" 1.

FZ900R12KE4HOSA1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 900А; винтами

0.0

КОД:

FZ900R12KE4HOSA1

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусAG-62MMES Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFZ900R12KE4HOSA1

39 963 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "FZ900R12KE4HOSA1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 900А; винтами" 1.

GD100SGY120D6S, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; одиночный транзистор; D6

0.0

КОД:

GD100SGY120D6S

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусD6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD100SGY120D6S

4 336 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD100SGY120D6S, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; одиночный транзистор; D6" 1.

GD10PJX65F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 10А

0.0

КОД:

GD10PJX65F1S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF1.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD10PJX65F1S

5 866 ₽

Доступность: 23 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "GD10PJX65F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 10А" 1.

GD10PJX65L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 10А

0.0

КОД:

GD10PJX65L2S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL2.5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD10PJX65L2S

4 762 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD10PJX65L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 10А" 1.

GD10PJY120F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 10А

0.0

КОД:

GD10PJY120F1S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF1.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD10PJY120F1S

5 925 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD10PJY120F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 10А" 1.

GD10PJY120F4S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 10А

0.0

КОД:

GD10PJY120F4S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF4.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD10PJY120F4S

6 331 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD10PJY120F4S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 10А" 1.

GD10PJY120L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 10А

0.0

КОД:

GD10PJY120L2S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL2.2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD10PJY120L2S

5 363 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD10PJY120L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 10А" 1.

GD15PJX65F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 15А

0.0

КОД:

GD15PJX65F1S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF1.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD15PJX65F1S

6 467 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD15PJX65F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 15А" 1.

GD15PJX65L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 15А

0.0

КОД:

GD15PJX65L2S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL2.2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD15PJX65L2S

5 363 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD15PJX65L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 15А" 1.

GD15PJY120F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 15А

0.0

КОД:

GD15PJY120F1S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF1.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD15PJY120F1S

6 776 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD15PJY120F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 15А" 1.

GD15PJY120F4S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 15А

0.0

КОД:

GD15PJY120F4S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF4.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD15PJY120F4S

7 183 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD15PJY120F4S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 15А" 1.

GD15PJY120L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 15А

0.0

КОД:

GD15PJY120L2S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL2.2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD15PJY120L2S

6 253 ₽

Доступность: 17 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "GD15PJY120L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 15А" 1.

GD200HFU120C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В

0.0

КОД:

GD200HFU120C2S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD200HFU120C2S

21 879 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD200HFU120C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

GD20PJX65F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 20А

0.0

КОД:

GD20PJX65F1S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF1.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD20PJX65F1S

6 776 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD20PJX65F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 20А" 1.

GD20PJX65L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 20А

0.0

КОД:

GD20PJX65L2S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL2.2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD20PJX65L2S

6 679 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD20PJX65L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 20А" 1.

GD25PJY120L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 25А

0.0

КОД:

GD25PJY120L3S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL3.0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD25PJY120L3S

9 119 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD25PJY120L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 25А" 1.

GD30PJX65L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 30А

0.0

КОД:

GD30PJX65L2S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL2.2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD30PJX65L2S

6 292 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD30PJX65L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 30А" 1.