Товары из категории модули igbt - страница 8

Производитель
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT50GT120JU3
6 598.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT50GT120JU3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А" 1.

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
7 940.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT60GA60JD60, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 60А; SOT227B" 1.

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
18 151.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT60GF120JRD, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 79А; SOT227B" 1.

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
27 480.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT60GF120JRDQ3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 79А; SOT227B" 1.

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
8 771.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT65GP60J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 60А; SOT227B" 1.

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
9 198.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT65GP60JDQ2, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 60А; SOT227B" 1.

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
7 259.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT70GR120J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 70А; SOT227B" 1.

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
9 343.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT70GR120JD60, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 70А; SOT227B" 1.

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
11 344.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT75GN120JDQ3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 57А; SOT227B" 1.

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
10 663.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT75GP120J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 57А; SOT227B" 1.

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
10 394.50 
Доступность: 2 шт.
 

Минимальное количество для товара "APT75GP120JDQ3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 57А; SOT227B" 1.

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
11 334.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT75GT120JRDQ3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 57А; SOT227B" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT75GT120JU2
7 756.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT75GT120JU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT75GT120JU3
7 501.53 
Доступность: 10 шт.
 

Минимальное количество для товара "APT75GT120JU3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А" 1.

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
10 066.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT80GP60J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 68А; SOT227B" 1.

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
10 056.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT80GP60JDQ3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 68А; SOT227B" 1.

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
8 527.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT85GR120J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 85А; SOT227B" 1.

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
9 873.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT85GR120JD60, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 85А; SOT227B" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGF75H120TG
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGF75H120TG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; SP4" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP6P Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGL120TA120TPG
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGL120TA120TPG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 120А" 1.

Показать еще 20 товаров

Модули IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это высокомощные полупроводниковые сборки, сочетающие IGBT-транзисторы и обратные диоды** в одном корпусе. Предназначены для эффективного управления высоким напряжением и током в системах преобразования энергии: частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания, сварочных аппаратах, инверторах и электроприводах.

Обеспечивают высокую эффективность, быстрое переключение и низкие потери мощности.

В каталоге 7-el.ru — модули IGBT от проверенных производителей: KEFA, Infineon, Mitsubishi Electric, Fuji Electric, Semikron, ABB, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж