Товары из категории модули igbt - страница 4

Производитель
Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 1200G450300
431 218.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNA 1200G450300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 1200G450350
457 930.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNA 1200G450350, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSTAKPAK Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 1300K450300 Обратное напряжение макс.4,5кВ
1 192 527.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNA 1300K450300, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 4,5кВ; Ic: 1,3кА; SPT+" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSTAKPAK Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 1500K452300 Обратное напряжение макс.4,52кВ
875 791.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNA 1500K452300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 4,52кВ; Ic: 1,5кА" 1.

Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 1600N170100
249 953.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNA 1600N170100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 1600N170300
238 506.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNA 1600N170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 1800E330400
465 561.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNA 1800E330400, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSTAKPAK Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 2000K450300 Обратное напряжение макс.4,5кВ
1 721 053.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNA 2000K450300, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 4,5кВ; Ic: 2кА; STAKPAK" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSTAKPAK Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 2000K451300 Обратное напряжение макс.4,5кВ
1 526 433.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNA 2000K451300, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 4,5кВ; Ic: 2кА; STAKPAK" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSTAKPAK Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 2000K452300 Обратное напряжение макс.4,5кВ
1 099 033.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNA 2000K452300, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 4,5кВ; Ic: 2кА; STAKPAK" 1.

Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 2400E170305
299 563.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNA 2400E170305, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 2400N170300
293 837.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNA 2400N170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSTAKPAK Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 3000K452300 Обратное напряжение макс.4,5кВ
1 673 353.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNA 3000K452300, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 4,5кВ; Ic: 3кА; STAKPAK" 1.

Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 3600E170300
415 953.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNA 3600E170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SND 0500N330300
301 471.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SND 0500N330300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; IGBT x2; Urmax: 3,3кВ; HIPAK" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SND 0800M170100
261 402.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SND 0800M170100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; IGBT x2; Urmax: 1,7кВ; HIPAK" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор, общий вход, общий эмиттер КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNE 0800E330100
354 896.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNE 0800E330100, Модуль: IGBT; диод/транзистор,общий вход,общий эмиттер; Ic: 800А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор, общий вход, общий эмиттер КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNE 0800G450300
423 585.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNE 0800G450300, Модуль: IGBT; диод/транзистор,общий вход,общий эмиттер; Ic: 800А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNE 0800M170100
248 045.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNE 0800M170100, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,buck chopper; HIPAK" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор, общий вход, общий эмиттер КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNE 1000E330300
354 896.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNE 1000E330300, Модуль: IGBT; диод/транзистор,общий вход,общий эмиттер; Ic: 1кА" 1.

Показать еще 20 товаров

Модули IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это высокомощные полупроводниковые сборки, сочетающие IGBT-транзисторы и обратные диоды** в одном корпусе. Предназначены для эффективного управления высоким напряжением и током в системах преобразования энергии: частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания, сварочных аппаратах, инверторах и электроприводах.

Обеспечивают высокую эффективность, быстрое переключение и низкие потери мощности.

В каталоге 7-el.ru — модули IGBT от проверенных производителей: KEFA, Infineon, Mitsubishi Electric, Fuji Electric, Semikron, ABB, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж