Полупроводники :: Транзисторы :: Транзисторы и модули IGBT :: Модули IGBT

GD35PJY120L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 35А

0.0

КОД:

GD35PJY120L3S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL3.0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD35PJY120L3S

9 739 ₽

Доступность: 14 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "GD35PJY120L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 35А" 1.

GD40PIY120C5S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 40А

0.0

КОД:

GD40PIY120C5S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD40PIY120C5S

13 572 ₽

Доступность: 2 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "GD40PIY120C5S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 40А" 1.

GD50FFX65C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 50А

0.0

КОД:

GD50FFX65C5S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50FFX65C5S

12 199 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD50FFX65C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 50А" 1.

GD50FFY120C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 50А

0.0

КОД:

GD50FFY120C5S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50FFY120C5S

14 618 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD50FFY120C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 50А" 1.

GD50FSX65L2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 650В; Ic: 50А; L2.1

0.0

КОД:

GD50FSX65L2S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусL2.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50FSX65L2S

7 087 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD50FSX65L2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 650В; Ic: 50А; L2.1" 1.

GD50HFX65C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В

0.0

КОД:

GD50HFX65C1S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50HFX65C1S

7 455 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD50HFX65C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

GD50HHU120C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1200В; Ic: 50А

0.0

КОД:

GD50HHU120C5S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50HHU120C5S

15 277 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD50HHU120C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1200В; Ic: 50А" 1.

GD50PIX65C5S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 50А

0.0

КОД:

GD50PIX65C5S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50PIX65C5S

14 309 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD50PIX65C5S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 50А" 1.

GD50PJX65L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 50А

0.0

КОД:

GD50PJX65L3S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL3.0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50PJX65L3S

10 282 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD50PJX65L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 50А" 1.

GD75FFX65C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А

0.0

КОД:

GD75FFX65C5S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75FFX65C5S

14 153 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD75FFX65C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А" 1.

GD75HFY120C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В

0.0

КОД:

GD75HFY120C1S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75HFY120C1S

8 306 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD75HFY120C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

GD75MLX65L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор

0.0

КОД:

GD75MLX65L3S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL3.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75MLX65L3S

10 475 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD75MLX65L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

HFGM100D12V1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

HFGM100D12V1-HUA

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусV1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В Обозначение производителяHFGM100D12V1

9 270 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "HFGM100D12V1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

HFGM150D12V3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

HFGM150D12V3-HUA

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусV3 62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В Обозначение производителяHFGM150D12V3

14 618 ₽

Доступность: 5 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "HFGM150D12V3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

HFGM200D12V3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

HFGM200D12V3-HUA

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусV3 62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В Обозначение производителяHFGM200D12V3

15 331 ₽

Доступность: 5 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "HFGM200D12V3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

HFGM300D12V3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

HFGM300D12V3-HUA

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусV3 62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В Обозначение производителяHFGM300D12V3

25 467 ₽

Доступность: 7 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "HFGM300D12V3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

HFGM75D12V1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

HFGM75D12V1-HUA

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусV1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В Обозначение производителяHFGM75D12V1

8 200 ₽

Доступность: 10 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "HFGM75D12V1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

HPFM-00117, Module: gate driver board; PCB; 3.3kV; 14.5÷16VDC; 15kHz; 30A

0.0

КОД:

HPFM-00117

Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток30А Класс напряжения3,3кВ МонтажPCB Обозначение производителяHPFM-00117

67 567 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "HPFM-00117, Module: gate driver board; PCB; 3.3kV; 14.5÷16VDC; 15kHz; 30A" 1.

IFF450B12ME4PB11BPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

IFF450B12ME4PB11

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-ECONOD-6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIFF450B12ME4PB11BPSA1

38 104 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IFF450B12ME4PB11BPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

IFF600B12ME4PB11BPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

IFF600B12ME4PB11

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-ECONOD-6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIFF600B12ME4PB11BPSA1

50 031 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IFF600B12ME4PB11BPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

IXA20PG1200DHGLB, Модуль: IGBT; диод/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ; Ic: 23А

0.0

КОД:

IXA20PG1200DHGLB

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSMPD-B Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXA20PG1200DHGLB Обратное напряжение макс.1,2кВ

1 642 ₽

Доступность: 30 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "IXA20PG1200DHGLB, Модуль: IGBT; диод/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ; Ic: 23А" 1.

IXA30RG1200DHGLB, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 30А

0.0

КОД:

IXA30RG1200DHGLB

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSMPD-B Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXA30RG1200DHGLB Обратное напряжение макс.1,2кВ

1 020 ₽

Доступность: 49 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "IXA30RG1200DHGLB, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 30А" 1.

IXA40RG1200DHGLB, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 43А

0.0

КОД:

IXA40RG1200DHGLB

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSMPD-B Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXA40RG1200DHGLB Обратное напряжение макс.1,2кВ

1 986 ₽

Доступность: 2 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "IXA40RG1200DHGLB, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 43А" 1.

IXA70I1200NA, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 65А; SOT227B

0.0

КОД:

IXA70I1200NA

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXA70I1200NA

6 718 ₽

Доступность: 12 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "IXA70I1200NA, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 65А; SOT227B" 1.