Товары из категории модули igbt - страница 12

Производитель
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT100DH60TG
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT100DH60TG, Модуль: IGBT; диод/транзистор; асимметричный мост,термистор NTC" 1.

Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT100DU120TG
24 504.59 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT100DU120TG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2; SP4" 1.

Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT100DU170TG
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT100DU170TG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2; SP4" 1.

Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT100DU60TG
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT100DU60TG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2; SP4" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT100H120G
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT100H120G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT100H170G
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT100H170G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1,7кВ; Ic: 100А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT100H60T3G
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT100H60T3G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; SP3F" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT100H60TG
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT100H60TG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; SP4" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT100SK170TG
22 647.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT100SK170TG, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор NTC; SP4" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP6P Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT100TA120TPG
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT100TA120TPG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 100А" 1.

Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSP6P Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT100TDU60PG
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT100TDU60PG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x6; SP6P" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT100TL170G
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT100TL170G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT100TL60T3G
25 337.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT100TL60T3G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 600В; Ic: 100А; SP3" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT150A120G
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT150A120G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT150A120T3AG
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT150A120T3AG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; IGBT x2,термистор NTC; SP3" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT150A120TG
40 994.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT150A120TG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT150A60T1G
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT150A60T1G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT150A60T3AG
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT150A60T3AG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; IGBT x2,термистор NTC; SP3" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT150DA120G
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT150DA120G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; SP6C" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT150DA60T1G
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT150DA60T1G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор NTC; SP1" 1.

Показать еще 20 товаров

Модули IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это высокомощные полупроводниковые сборки, сочетающие IGBT-транзисторы и обратные диоды** в одном корпусе. Предназначены для эффективного управления высоким напряжением и током в системах преобразования энергии: частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания, сварочных аппаратах, инверторах и электроприводах.

Обеспечивают высокую эффективность, быстрое переключение и низкие потери мощности.

В каталоге 7-el.ru — модули IGBT от проверенных производителей: KEFA, Infineon, Mitsubishi Electric, Fuji Electric, Semikron, ABB, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж