Товары из категории модули igbt, стр.2

Производитель

Модули IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это высокомощные полупроводниковые сборки, сочетающие IGBT-транзисторы и обратные диоды** в одном корпусе. Предназначены для эффективного управления высоким напряжением и током в системах преобразования энергии: частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания, сварочных аппаратах, инверторах и электроприводах.

Обеспечивают высокую эффективность, быстрое переключение и низкие потери мощности.

В каталоге 7-el.ru — модули IGBT от проверенных производителей: KEFA, Infineon, Mitsubishi Electric, Fuji Electric, Semikron, ABB, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
5SNE1600E170300
Конструкция диодадиод/транзистор, общий вход, общий эмиттер КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNE 1600E170300
287 523.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNE 1600E170300, Модуль: IGBT; диод/транзистор,общий вход,общий эмиттер; HIPAK" 1.

0.0
5SNE2400E170300
Конструкция диодадиод/транзистор, общий вход, общий эмиттер КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNE 2400E170300
322 320.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNE 2400E170300, Модуль: IGBT; диод/транзистор,общий вход,общий эмиттер; HIPAK" 1.

0.0
5SNG0150P450300
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 0150P450300
183 136.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNG 0150P450300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 4,5кВ" 1.

0.0
5SNG0150Q170300
Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпус62PAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 0150Q170300
19 961.60 
Доступность: 8 шт.
 

Минимальное количество для товара "5SNG 0150Q170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
5SNG0200Q170300
Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпус62PAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 0200Q170300
19 412.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNG 0200Q170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
5SNG0250P330305
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 0250P330305
175 811.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNG 0250P330305, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 3,3кВ" 1.

0.0
5SNG0300Q170300
Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпус62PAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 0300Q170300
36 078.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNG 0300Q170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
5SNG0450X330300
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусLINPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 0450X330300
179 289.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNG 0450X330300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 3,3кВ" 1.

0.0
5SNG1000X170300
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусLINPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 1000X170300
152 369.60 
Доступность: 9 шт.
 

Минимальное количество для товара "5SNG 1000X170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
62CA1
Класс напряжения1,2кВ Обозначение производителя62CA1 Применениеfor medium and high power application ПроизводительMICROCHIP TECHNOLOGY Сопутствующие товарыASBK-014
18 118.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "62CA1, Module: gate driver adapter; 1.2kV; AgileSwitch®" 1.

0.0
62CA2
Класс напряжения1,2кВ Обозначение производителя62CA2 Применениеfor medium and high power application ПроизводительMICROCHIP TECHNOLOGY Сопутствующие товарыASBK-014
17 944.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "62CA2, Module: gate driver adapter; 1.2kV; AgileSwitch®" 1.

0.0
62CA4
Класс напряжения1,7кВ Обозначение производителя62CA4 Применениеfor medium and high power application ПроизводительMICROCHIP TECHNOLOGY Сопутствующие товарыASBK-014
17 944.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "62CA4, Module: gate driver adapter; 1.7kV; AgileSwitch®" 1.

0.0
62EM1-00001
Вид выходадрайвер SiC MOSFET Выходной ток20А Класс напряжения1,2кВ МонтажPCB Обозначение производителя62EM1-00001
48 774.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "62EM1-00001, Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge" 1.

0.0
A1C15S12M3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусACEPACK™1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяA1C15S12M3
8 064.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "A1C15S12M3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 15А" 1.

0.0
A1P35S12M3
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусACEPACK™1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяA1P35S12M3
10 153.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "A1P35S12M3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 35А" 1.

0.0
A1P50S65M2
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусACEPACK™1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяA1P50S65M2
7 884.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "A1P50S65M2, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 50А" 1.

0.0
A2C50S65M2
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусACEPACK™2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяA2C50S65M2
15 273.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "A2C50S65M2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 50А" 1.

0.0
A2P75S12M3
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусACEPACK™2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяA2P75S12M3
16 995.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "A2P75S12M3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 75А" 1.

0.0
APT100GLQ65JU2
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT100GLQ65JU2
6 707.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT100GLQ65JU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 100А" 1.

0.0
APT100GLQ65JU3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT100GLQ65JU3
4 480.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT100GLQ65JU3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 650В; Ic: 100А" 1.

0.0
APT100GN120J
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
8 680.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT100GN120J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 70А; SOT227B" 1.

0.0
APT100GN120JDQ4
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
12 865.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT100GN120JDQ4, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 70А; SOT227B" 1.

0.0
APT100GT120JR
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
11 945.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT100GT120JR, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 67А; SOT227B" 1.

0.0
APT100GT120JRDQ4
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
14 297.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT100GT120JRDQ4, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 67А; SOT227B" 1.

0.0
APT100GT120JU2
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT100GT120JU2
9 102.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT100GT120JU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
APT100GT120JU3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT100GT120JU3
9 102.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT100GT120JU3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А" 1.

0.0
APT150GN120J
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
7 600.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT150GN120J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 99А; SOT227B" 1.

0.0
APT150GN120JDQ4
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
15 758.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT150GN120JDQ4, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 99А; SOT227B" 1.

0.0
APT150GN60J
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
7 500.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT150GN60J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 123А; SOT227B" 1.

0.0
APT150GN60JDQ4
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
9 043.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT150GN60JDQ4, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 123А; SOT227B" 1.

0.0
APT150GT120JR
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
14 643.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT150GT120JR, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 90А; SOT227B" 1.

0.0
APT200GN60J
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
8 601.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT200GN60J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 158А; SOT227B" 1.

0.0
APT200GN60JDQ4
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
11 001.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT200GN60JDQ4, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 158А; SOT227B" 1.

0.0
APT200GT60JR
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
10 864.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT200GT60JR, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 100А; SOT227B" 1.

0.0
APT25GLQ120JCU2
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT25GLQ120JCU2
8 723.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT25GLQ120JCU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А" 1.

0.0
APT35GP120J
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
7 008.00 
Доступность: 1 шт.
 

Минимальное количество для товара "APT35GP120J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 29А; SOT227B" 1.

0.0
APT35GP120JDQ2
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
10 043.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT35GP120JDQ2, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 26А; SOT227B" 1.

0.0
APT35GT120JU2
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT35GT120JU2
5 812.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT35GT120JU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 55А" 1.

0.0
APT35GT120JU3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT35GT120JU3
5 812.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT35GT120JU3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 35А" 1.

0.0
APT40GF120JRD
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
9 822.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT40GF120JRD, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 42А; SOT227B" 1.

0.0
APT40GF120JRDQ2
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
9 523.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT40GF120JRDQ2, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 42А; SOT227B" 1.

0.0
APT40GL120JU2
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT40GL120JU2
5 753.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT40GL120JU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 40А" 1.

0.0
APT40GL120JU3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT40GL120JU3
5 753.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT40GL120JU3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 40А" 1.

0.0
APT40GLQ120JCU2
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT40GLQ120JCU2
9 364.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT40GLQ120JCU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 40А" 1.

0.0
APT40GP60J
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
6 960.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT40GP60J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 40А; SOT227B" 1.

0.0
APT40GP60JDQ2
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
9 230.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT40GP60JDQ2, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 40А; SOT227B" 1.

0.0
APT40GP90J
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
9 123.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT40GP90J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 900В; Ic: 32А; SOT227B" 1.

0.0
APT40GP90JDQ2
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
10 592.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT40GP90JDQ2, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 900В; Ic: 27А; SOT227B" 1.

0.0
APT45GP120J
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
9 294.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT45GP120J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 34А; SOT227B" 1.

0.0
APT45GP120JDQ2
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
6 902.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT45GP120JDQ2, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 34А; SOT227B" 1.

0.0
APT46GA90JD40
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
7 131.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT46GA90JD40, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 900В; Ic: 46А; SOT227B" 1.

0.0
APT47GA60JD40
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
7 388.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT47GA60JD40, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 47А; SOT227B" 1.

0.0
APT50GF120JRD
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
11 294.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT50GF120JRD, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 64А; SOT227B" 1.

0.0
APT50GF120JRDQ3
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
20 016.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT50GF120JRDQ3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 64А; SOT227B" 1.

0.0
APT50GLQ65JU2
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT50GLQ65JU2
5 500.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT50GLQ65JU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 50А" 1.

0.0
APT50GP60J
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
7 433.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT50GP60J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 46А; SOT227B" 1.

0.0
APT50GP60JDQ2
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
7 500.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT50GP60JDQ2, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 46А; SOT227B" 1.

0.0
APT50GR120JD30
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
8 371.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT50GR120JD30, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А; SOT227B" 1.

0.0
APT50GT120JU2
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT50GT120JU2
6 276.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT50GT120JU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А" 1.

0.0
APT50GT120JU3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT50GT120JU3
6 276.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT50GT120JU3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А" 1.

0.0
APT60GA60JD60
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
7 553.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT60GA60JD60, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 60А; SOT227B" 1.

0.0
APT60GF120JRD
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
17 267.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT60GF120JRD, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 79А; SOT227B" 1.

0.0
APT60GF120JRDQ3
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
26 140.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT60GF120JRDQ3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 79А; SOT227B" 1.

0.0
APT65GP60J
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
8 344.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT65GP60J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 60А; SOT227B" 1.

0.0
APT65GP60JDQ2
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
8 750.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT65GP60JDQ2, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 60А; SOT227B" 1.

0.0
APT70GR120J
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
6 905.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT70GR120J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 70А; SOT227B" 1.

0.0
APT70GR120JD60
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
8 888.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT70GR120JD60, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 70А; SOT227B" 1.

0.0
APT75GN120JDQ3
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
10 792.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT75GN120JDQ3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 57А; SOT227B" 1.

0.0
APT75GP120J
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
10 144.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT75GP120J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 57А; SOT227B" 1.

0.0
APT75GP120JDQ3
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
9 888.00 
Доступность: 5 шт.
 

Минимальное количество для товара "APT75GP120JDQ3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 57А; SOT227B" 1.

0.0
APT75GT120JRDQ3
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
10 782.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT75GT120JRDQ3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 57А; SOT227B" 1.

0.0
APT75GT120JU2
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT75GT120JU2
7 379.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT75GT120JU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А" 1.

0.0
APT75GT120JU3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT75GT120JU3
7 136.00 
Доступность: 10 шт.
 

Минимальное количество для товара "APT75GT120JU3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А" 1.

0.0
APT80GP60J
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
9 576.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT80GP60J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 68А; SOT227B" 1.

0.0
APT80GP60JDQ3
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
9 566.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT80GP60JDQ3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 68А; SOT227B" 1.

0.0
APT85GR120J
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
8 112.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT85GR120J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 85А; SOT227B" 1.

0.0
APT85GR120JD60
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
9 392.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT85GR120JD60, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 85А; SOT227B" 1.

0.0
APTGL60DDA120T3G
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGL60DDA120T3G
17 761.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGL60DDA120T3G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper x2,термистор NTC" 1.

0.0
APTGLQ100A120TG
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGLQ100A120TG
22 392.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ100A120TG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
APTGLQ100DA120T1G
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGLQ100DA120T1G
16 249.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ100DA120T1G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор NTC; SP1" 1.

Показать еще 80 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (18)
Хиты продаж