Полупроводники :: Транзисторы :: Транзисторы и модули IGBT :: Модули IGBT

FS15R12VT3BOMA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 15А

0.0

КОД:

FS15R12VT3

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-EASY750-1 Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFS15R12VT3BOMA1 Обратное напряжение макс.1,2кВ

4 472 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "FS15R12VT3BOMA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 15А" 1.

FS200R12KT4RB11BOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 200А

0.0

КОД:

FS200R12KT4RB11

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-ECONO3-4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFS200R12KT4RB11BOSA1

84 610 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "FS200R12KT4RB11BOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 200А" 1.

FS50R12KE3BPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А; 270Вт

0.0

КОД:

FS50R12KE3BPSA1

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-ECONO2B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFS50R12KE3BPSA1

21 066 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "FS50R12KE3BPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А; 270Вт" 1.

FS75R12W2T4B11BOMA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А

0.0

КОД:

FS75R12W2T4B11

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-EASY2B-2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFS75R12W2T4B11BOMA1

9 443 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "FS75R12W2T4B11BOMA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А" 15.

FZ400R12KS4HOSA1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 400А; AG-62MM

0.0

КОД:

FZ400R12KS4HOSA1

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусAG-62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFZ400R12KS4HOSA1

20 766 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "FZ400R12KS4HOSA1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 400А; AG-62MM" 1.

FZ400R17KE4HOSA1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 400А; винтами

0.0

КОД:

FZ400R17KE4HOSA1

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусAG-62MMES Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFZ400R17KE4HOSA1

30 204 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "FZ400R17KE4HOSA1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 400А; винтами" 1.

FZ600R12KE3HOSA1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 600А; AG-62MM

0.0

КОД:

FZ600R12KE3HOSA1

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусAG-62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFZ600R12KE3HOSA1

34 542 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "FZ600R12KE3HOSA1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 600А; AG-62MM" 1.

FZ900R12KE4HOSA1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 900А; винтами

0.0

КОД:

FZ900R12KE4HOSA1

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусAG-62MMES Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFZ900R12KE4HOSA1

39 963 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "FZ900R12KE4HOSA1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 900А; винтами" 1.

GD100SGY120D6S, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; одиночный транзистор; D6

0.0

КОД:

GD100SGY120D6S

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусD6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD100SGY120D6S

4 336 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD100SGY120D6S, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; одиночный транзистор; D6" 1.

GD10PJX65F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 10А

0.0

КОД:

GD10PJX65F1S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF1.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD10PJX65F1S

5 866 ₽

Доступность: 23 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "GD10PJX65F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 10А" 1.

GD10PJX65L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 10А

0.0

КОД:

GD10PJX65L2S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL2.5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD10PJX65L2S

4 762 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD10PJX65L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 10А" 1.

GD10PJY120F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 10А

0.0

КОД:

GD10PJY120F1S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF1.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD10PJY120F1S

5 925 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD10PJY120F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 10А" 1.

GD10PJY120F4S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 10А

0.0

КОД:

GD10PJY120F4S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF4.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD10PJY120F4S

6 331 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD10PJY120F4S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 10А" 1.

GD10PJY120L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 10А

0.0

КОД:

GD10PJY120L2S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL2.2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD10PJY120L2S

5 363 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD10PJY120L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 10А" 1.

GD15PJX65F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 15А

0.0

КОД:

GD15PJX65F1S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF1.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD15PJX65F1S

6 467 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD15PJX65F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 15А" 1.

GD15PJX65L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 15А

0.0

КОД:

GD15PJX65L2S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL2.2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD15PJX65L2S

5 363 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD15PJX65L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 15А" 1.

GD15PJY120F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 15А

0.0

КОД:

GD15PJY120F1S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF1.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD15PJY120F1S

6 776 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD15PJY120F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 15А" 1.

GD15PJY120F4S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 15А

0.0

КОД:

GD15PJY120F4S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF4.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD15PJY120F4S

7 183 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD15PJY120F4S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 15А" 1.

GD15PJY120L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 15А

0.0

КОД:

GD15PJY120L2S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL2.2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD15PJY120L2S

6 253 ₽

Доступность: 17 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "GD15PJY120L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 15А" 1.

GD200HFU120C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В

0.0

КОД:

GD200HFU120C2S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD200HFU120C2S

21 879 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD200HFU120C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

GD20PJX65F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 20А

0.0

КОД:

GD20PJX65F1S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF1.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD20PJX65F1S

6 776 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD20PJX65F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 20А" 1.

GD20PJX65L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 20А

0.0

КОД:

GD20PJX65L2S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL2.2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD20PJX65L2S

6 679 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD20PJX65L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 20А" 1.

GD25PJY120L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 25А

0.0

КОД:

GD25PJY120L3S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL3.0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD25PJY120L3S

9 119 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD25PJY120L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 25А" 1.

GD30PJX65L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 30А

0.0

КОД:

GD30PJX65L2S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL2.2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD30PJX65L2S

6 292 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD30PJX65L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 30А" 1.

GD35PJY120L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 35А

0.0

КОД:

GD35PJY120L3S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL3.0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD35PJY120L3S

9 739 ₽

Доступность: 14 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "GD35PJY120L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 35А" 1.

GD40PIY120C5S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 40А

0.0

КОД:

GD40PIY120C5S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD40PIY120C5S

13 572 ₽

Доступность: 2 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "GD40PIY120C5S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 40А" 1.

GD50FFX65C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 50А

0.0

КОД:

GD50FFX65C5S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50FFX65C5S

12 199 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD50FFX65C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 50А" 1.

GD50FFY120C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 50А

0.0

КОД:

GD50FFY120C5S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50FFY120C5S

14 618 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD50FFY120C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 50А" 1.

GD50FSX65L2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 650В; Ic: 50А; L2.1

0.0

КОД:

GD50FSX65L2S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусL2.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50FSX65L2S

7 087 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD50FSX65L2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 650В; Ic: 50А; L2.1" 1.

GD50HFX65C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В

0.0

КОД:

GD50HFX65C1S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50HFX65C1S

7 455 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD50HFX65C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

GD50HHU120C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1200В; Ic: 50А

0.0

КОД:

GD50HHU120C5S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50HHU120C5S

15 277 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD50HHU120C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1200В; Ic: 50А" 1.

GD50PIX65C5S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 50А

0.0

КОД:

GD50PIX65C5S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50PIX65C5S

14 309 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD50PIX65C5S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 50А" 1.

GD50PJX65L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 50А

0.0

КОД:

GD50PJX65L3S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL3.0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50PJX65L3S

10 282 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD50PJX65L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 50А" 1.

GD75FFX65C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А

0.0

КОД:

GD75FFX65C5S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75FFX65C5S

14 153 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD75FFX65C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А" 1.

GD75HFY120C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В

0.0

КОД:

GD75HFY120C1S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75HFY120C1S

8 306 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD75HFY120C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

GD75MLX65L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор

0.0

КОД:

GD75MLX65L3S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL3.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75MLX65L3S

10 475 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "GD75MLX65L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

HFGM100D12V1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

HFGM100D12V1-HUA

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусV1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В Обозначение производителяHFGM100D12V1

9 270 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "HFGM100D12V1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

HFGM150D12V3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

HFGM150D12V3-HUA

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусV3 62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В Обозначение производителяHFGM150D12V3

14 618 ₽

Доступность: 5 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "HFGM150D12V3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

HFGM200D12V3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

HFGM200D12V3-HUA

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусV3 62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В Обозначение производителяHFGM200D12V3

15 331 ₽

Доступность: 5 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "HFGM200D12V3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

HFGM300D12V3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

HFGM300D12V3-HUA

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусV3 62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В Обозначение производителяHFGM300D12V3

25 467 ₽

Доступность: 7 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "HFGM300D12V3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

HFGM75D12V1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

HFGM75D12V1-HUA

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусV1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В Обозначение производителяHFGM75D12V1

8 200 ₽

Доступность: 10 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "HFGM75D12V1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

HPFM-00117, Module: gate driver board; PCB; 3.3kV; 14.5÷16VDC; 15kHz; 30A

0.0

КОД:

HPFM-00117

Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток30А Класс напряжения3,3кВ МонтажPCB Обозначение производителяHPFM-00117

67 567 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "HPFM-00117, Module: gate driver board; PCB; 3.3kV; 14.5÷16VDC; 15kHz; 30A" 1.

IFF450B12ME4PB11BPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

IFF450B12ME4PB11

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-ECONOD-6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIFF450B12ME4PB11BPSA1

38 104 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IFF450B12ME4PB11BPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

IFF600B12ME4PB11BPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

IFF600B12ME4PB11

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-ECONOD-6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIFF600B12ME4PB11BPSA1

50 031 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IFF600B12ME4PB11BPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

IXA20PG1200DHGLB, Модуль: IGBT; диод/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ; Ic: 23А

0.0

КОД:

IXA20PG1200DHGLB

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSMPD-B Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXA20PG1200DHGLB Обратное напряжение макс.1,2кВ

1 642 ₽

Доступность: 30 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "IXA20PG1200DHGLB, Модуль: IGBT; диод/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ; Ic: 23А" 1.

IXA30RG1200DHGLB, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 30А

0.0

КОД:

IXA30RG1200DHGLB

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSMPD-B Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXA30RG1200DHGLB Обратное напряжение макс.1,2кВ

1 020 ₽

Доступность: 49 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "IXA30RG1200DHGLB, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 30А" 1.

IXA40RG1200DHGLB, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 43А

0.0

КОД:

IXA40RG1200DHGLB

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSMPD-B Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXA40RG1200DHGLB Обратное напряжение макс.1,2кВ

1 986 ₽

Доступность: 2 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "IXA40RG1200DHGLB, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 43А" 1.

IXA70I1200NA, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 65А; SOT227B

0.0

КОД:

IXA70I1200NA

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXA70I1200NA

6 718 ₽

Доступность: 12 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "IXA70I1200NA, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 65А; SOT227B" 1.

IXBN42N170A, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 21А; SOT227B

0.0

КОД:

IXBN42N170A

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXBN42N170A

7 280 ₽

Доступность: 4 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "IXBN42N170A, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 21А; SOT227B" 1.

IXBN75N170, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 75А; SOT227B

0.0

КОД:

IXBN75N170

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXBN75N170

19 071 ₽

Доступность: 1 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "IXBN75N170, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 75А; SOT227B" 1.

IXBN75N170A, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 42А; SOT227B

0.0

КОД:

IXBN75N170A

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXBN75N170A

10 253 ₽

Доступность: 2 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "IXBN75N170A, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 42А; SOT227B" 1.

IXDN75N120, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 150А; SOT227B

0.0

КОД:

IXDN75N120

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXDN75N120

7 637 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXDN75N120, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 150А; SOT227B" 1.

IXG70IF1200NA, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 86А; SOT227B

0.0

КОД:

IXG70IF1200NA

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Обозначение производителяIXG70IF1200NA Обратное напряжение макс.1,2кВ

5 228 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXG70IF1200NA, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 86А; SOT227B" 1.

IXGN100N170, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 95А; SOT227B

0.0

КОД:

IXGN100N170

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXGN100N170

13 823 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXGN100N170, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 95А; SOT227B" 1.

IXGN200N170, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 160А; SOT227B

0.0

КОД:

IXGN200N170

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXGN200N170

12 484 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXGN200N170, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 160А; SOT227B" 1.

IXGN200N60B3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 200А; SOT227B

0.0

КОД:

IXGN200N60B3

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXGN200N60B3

9 294 ₽

Доступность: 47 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "IXGN200N60B3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 200А; SOT227B" 1.

IXGN400N60A3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 190А; SOT227B

0.0

КОД:

IXGN400N60A3

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXGN400N60A3

10 842 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXGN400N60A3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 190А; SOT227B" 1.

IXGN400N60B3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 200А; SOT227B

0.0

КОД:

IXGN400N60B3

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXGN400N60B3

8 581 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXGN400N60B3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 200А; SOT227B" 1.

IXGN50N120C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А; SOT227B

0.0

КОД:

IXGN50N120C3H1

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXGN50N120C3H1

8 190 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXGN50N120C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А; SOT227B" 1.

IXGN72N60C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 52А; SOT227B

0.0

КОД:

IXGN72N60C3H1

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXGN72N60C3H1

6 969 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXGN72N60C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 52А; SOT227B" 1.

IXXN100N60B3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 98А; SOT227B

0.0

КОД:

IXXN100N60B3H1

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXXN100N60B3H1

7 879 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXXN100N60B3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 98А; SOT227B" 1.

IXXN110N65B4H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 110А; SOT227B

0.0

КОД:

IXXN110N65B4H1

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXXN110N65B4H1

4 849 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXXN110N65B4H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 110А; SOT227B" 1.

IXXN110N65C4H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 110А; SOT227B

0.0

КОД:

IXXN110N65C4H1

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXXN110N65C4H1

5 046 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXXN110N65C4H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 110А; SOT227B" 1.

IXXN200N60B3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 160А; SOT227B

0.0

КОД:

IXXN200N60B3

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXXN200N60B3

7 396 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXXN200N60B3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 160А; SOT227B" 1.

IXXN200N60B3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 98А; SOT227B

0.0

КОД:

IXXN200N60B3H1

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXXN200N60B3H1

8 441 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXXN200N60B3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 98А; SOT227B" 1.

IXXN200N60C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 98А; SOT227B

0.0

КОД:

IXXN200N60C3H1

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXXN200N60C3H1

7 667 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXXN200N60C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 98А; SOT227B" 1.

IXXN200N65A4, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 200А; SOT227B

0.0

КОД:

IXXN200N65A4

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXXN200N65A4

4 465 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXXN200N65A4, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 200А; SOT227B" 1.

IXYN100N120C3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 84А; SOT227B

0.0

КОД:

IXYN100N120C3

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN100N120C3

9 362 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXYN100N120C3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 84А; SOT227B" 1.

IXYN100N120C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 62А; SOT227B

0.0

КОД:

IXYN100N120C3H1

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN100N120C3H1

11 791 ₽

Доступность: 2 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "IXYN100N120C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 62А; SOT227B" 1.

IXYN100N65B3D1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 100А; SOT227B

0.0

КОД:

IXYN100N65B3D1

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN100N65B3D1

6 253 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXYN100N65B3D1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 100А; SOT227B" 1.

IXYN100N65C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 90А; SOT227B

0.0

КОД:

IXYN100N65C3H1

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN100N65C3H1

4 852 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXYN100N65C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 90А; SOT227B" 1.

IXYN120N120C3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 120А; SOT227B

0.0

КОД:

IXYN120N120C3

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN120N120C3

7 170 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXYN120N120C3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 120А; SOT227B" 1.

IXYN150N60B3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 140А; SOT227B

0.0

КОД:

IXYN150N60B3

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN150N60B3

8 946 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXYN150N60B3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 140А; SOT227B" 1.

IXYN30N170CV1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 30А; SOT227B

0.0

КОД:

IXYN30N170CV1

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN30N170CV1

7 482 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXYN30N170CV1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 30А; SOT227B" 1.

IXYN50N170CV1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 50А; SOT227B

0.0

КОД:

IXYN50N170CV1

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN50N170CV1

13 010 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXYN50N170CV1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 50А; SOT227B" 1.

IXYN75N65C3D1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 75А; SOT227B

0.0

КОД:

IXYN75N65C3D1

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN75N65C3D1

5 983 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXYN75N65C3D1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 75А; SOT227B" 1.

IXYN80N90C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 900В; Ic: 70А; SOT227B

0.0

КОД:

IXYN80N90C3H1

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN80N90C3H1

8 268 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXYN80N90C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 900В; Ic: 70А; SOT227B" 1.

IXYN82N120C3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 46А; SOT227B

0.0

КОД:

IXYN82N120C3

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN82N120C3

8 538 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXYN82N120C3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 46А; SOT227B" 1.

IXYN82N120C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 66А; SOT227B

0.0

КОД:

IXYN82N120C3H1

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN82N120C3H1

11 127 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXYN82N120C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 66А; SOT227B" 1.

MCMA240UI1600ED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

MCMA240UI1600ED

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMCMA240UI1600ED

26 525 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "MCMA240UI1600ED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.