Москва
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

Модули IGBT

Производитель
Сортировать по:
От А до Я
Показать:
80
PSIS 75/12, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 62А
0.0
PSIS75/12
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусECO-PAC 2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяPSIS 75/12
5 610 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PSIS 75/12, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 62А" 1.

PSSI 100/06, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 63А
0.0
PSSI100/06
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусECO-PAC 2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяPSSI 100/06
4 728 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PSSI 100/06, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 63А" 1.

PSSI 100/12, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 94А
0.0
PSSI100/12
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусECO-PAC 2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяPSSI 100/12
9 003 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PSSI 100/12, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 94А" 1.

PSSI 130/06, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 83А
0.0
PSSI130/06
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусECO-PAC 2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяPSSI 130/06
4 922 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PSSI 130/06, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 83А" 1.

PSSI 160/12, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; THT
0.0
PSSI160/12
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусECO-PAC 2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяPSSI 160/12
8 983 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PSSI 160/12, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; THT" 1.

PSSI 25/06, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 17А
0.0
PSSI25/06
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусECO-PAC 2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяPSSI 25/06
2 494 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PSSI 25/06, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 17А" 1.

PSSI 25/12, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 21А
0.0
PSSI25/12
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусECO-PAC 2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяPSSI 25/12
2 815 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PSSI 25/12, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 21А" 1.

PSSI 50/06, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 29А
0.0
PSSI50/06
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусECO-PAC 2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяPSSI 50/06
2 924 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PSSI 50/06, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 29А" 1.

PSSI 50/12, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 33А
0.0
PSSI50/12
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусECO-PAC 2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяPSSI 50/12
3 202 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PSSI 50/12, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 33А" 1.

PSSI 75/06, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 48А
0.0
PSSI75/06
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусECO-PAC 2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяPSSI 75/06
3 224 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PSSI 75/06, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 48А" 1.

PSSI 75/12, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 62А
0.0
PSSI75/12
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусECO-PAC 2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяPSSI 75/12
7 319 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PSSI 75/12, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 62А" 1.

SEMIX101GD066HDS 27891200, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А
0.0
SEMIX101GD066HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®13 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX101GD066HDS 27891200
78 737 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX101GD066HDS 27891200, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

SEMIX101GD126HDS 27890730, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А
0.0
SEMIX101GD126HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®13 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX101GD126HDS 27890730
101 316 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX101GD126HDS 27890730, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А" 1.

SEMIX101GD12E4S 27890195, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А
0.0
SEMIX101GD12E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®13 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX101GD12E4S 27890195
91 302 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX101GD12E4S 27890195, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

SEMIX106GD12M7P 27896100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; винтами
0.0
SEMIX106GD12M7P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 6p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX106GD12M7P 27896100
115 061 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX106GD12M7P 27896100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; винтами" 1.

SEMIX106GD12T4P 27896010, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А
0.0
SEMIX106GD12T4P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 6p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX106GD12T4P 27896010
108 778 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX106GD12T4P 27896010, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

SEMIX126DGL22P 27896300, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 2,2кВ
0.0
SEMIX126DGL22P
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 6p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX126DGL22P 27896300
93 070 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX126DGL22P 27896300, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 2,2кВ" 1.

SEMIX151GAL12E4S 27890102, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 150А
0.0
SEMIX151GAL12E4S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIX1S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX151GAL12E4S 27890102
36 129 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX151GAL12E4S 27890102, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 150А" 1.

SEMIX151GAL12VS 27890103, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 150А
0.0
SEMIX151GAL12VS
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIX1S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX151GAL12VS 27890103
39 467 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX151GAL12VS 27890103, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 150А" 1.

SEMIX151GAR12E4S 27890104, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 150А
0.0
SEMIX151GAR12E4S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIX1S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX151GAR12E4S 27890104
35 735 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX151GAR12E4S 27890104, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 150А" 1.

SEMIX151GB12E4S 27890100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX151GB12E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX1S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX151GB12E4S 27890100
46 927 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX151GB12E4S 27890100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX151GB12VS 27890101, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX151GB12VS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX1S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX151GB12VS 27890101
53 997 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX151GB12VS 27890101, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX151GB17E4S 27892100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX151GB17E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX1S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX151GB17E4S 27892100
56 942 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX151GB17E4S 27892100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX151GD066HDS 27891210, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А
0.0
SEMIX151GD066HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®13 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX151GD066HDS 27891210
96 800 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX151GD066HDS 27891210, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

SEMIX151GD126HDS 27890731, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А
0.0
SEMIX151GD126HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®13 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX151GD126HDS 27890731
124 093 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX151GD126HDS 27890731, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

SEMIX151GD12E4S 27890200, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А
0.0
SEMIX151GD12E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®13 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX151GD12E4S 27890200
79 739 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX151GD12E4S 27890200, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

SEMIX151GD12VS 27890201, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А
0.0
SEMIX151GD12VS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®13 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX151GD12VS 27890201
138 034 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX151GD12VS 27890201, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

SEMIX155MLI07E4 21919410, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 650В; Ic: 150А; винтами
0.0
SEMIX155MLI07E4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX155MLI07E4 21919410
117 418 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX155MLI07E4 21919410, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 650В; Ic: 150А; винтами" 1.

SEMIX156GD12M7P 27896110, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; винтами
0.0
SEMIX156GD12M7P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 6p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX156GD12M7P 27896110
125 075 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX156GD12M7P 27896110, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; винтами" 1.

SEMIX156GD12T4P 27896020, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А
0.0
SEMIX156GD12T4P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 6p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX156GD12T4P 27896020
137 837 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX156GD12T4P 27896020, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

SEMIX186DGL16P 27896200, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,6кВ
0.0
SEMIX186DGL16P
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 6p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX186DGL16P 27896200
95 034 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX186DGL16P 27896200, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,6кВ" 1.

SEMIX201GD066HDS 27891220, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 200А
0.0
SEMIX201GD066HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®13 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX201GD066HDS 27891220
116 042 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX201GD066HDS 27891220, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 200А" 1.

SEMIX202GB066HDS 27891110, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX202GB066HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX202GB066HDS 27891110
55 370 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX202GB066HDS 27891110, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX202GB12E4S 27890110, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX202GB12E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX202GB12E4S 27890110
66 562 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX202GB12E4S 27890110, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX202GB12VS 27890111, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX202GB12VS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX202GB12VS 27890111
52 528 ₽
Доступность: 6 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX202GB12VS 27890111, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX202GB17E4S 27892074, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX202GB17E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX202GB17E4S 27892074
80 110 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX202GB17E4S 27892074, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX205GD12E4 21919530, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 200А
0.0
SEMIX205GD12E4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX205GD12E4 21919530
198 314 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX205GD12E4 21919530, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 200А" 1.

SEMIX205MLI07E4 21919420, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 650В; Ic: 200А; винтами
0.0
SEMIX205MLI07E4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX205MLI07E4 21919420
142 353 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX205MLI07E4 21919420, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 650В; Ic: 200А; винтами" 1.

SEMIX205MLI12E4V2 27922890, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 200А
0.0
SEMIX205MLI12E4V2
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX205MLI12E4V2 27922890
151 975 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX205MLI12E4V2 27922890, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 200А" 1.

SEMIX205TMLI12E4B 21919470, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-уровневый инвертор TNPC
0.0
SEMIX205TMLI12E4B
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX205TMLI12E4B 21919470
140 390 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX205TMLI12E4B 21919470, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-уровневый инвертор TNPC" 1.

SEMIX206GD12M7P 27896120, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; винтами
0.0
SEMIX206GD12M7P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 6p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX206GD12M7P 27896120
151 190 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX206GD12M7P 27896120, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; винтами" 1.

SEMIX206GD12T4P 27896030, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 200А
0.0
SEMIX206GD12T4P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 6p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX206GD12T4P 27896030
174 947 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX206GD12T4P 27896030, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 200А" 1.

SEMIX223GB12E4P 27895002, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX223GB12E4P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX223GB12E4P 27895002
81 681 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX223GB12E4P 27895002, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX223GB12M7P 27895102, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX223GB12M7P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX223GB12M7P 27895102
84 431 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX223GB12M7P 27895102, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX223GB17E4P 27895402, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX223GB17E4P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX223GB17E4P 27895402
97 194 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX223GB17E4P 27895402, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX223GD12E4C 27890208, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 225А
0.0
SEMIX223GD12E4C
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX223GD12E4C 27890208
233 657 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX223GD12E4C 27890208, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 225А" 1.

SEMIX252GB126HDS 27890680, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX252GB126HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX252GB126HDS 27890680
75 005 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX252GB126HDS 27890680, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX256GD12M7P 27896130, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; винтами
0.0
SEMIX256GD12M7P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 6p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX256GD12M7P 27896130
171 806 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX256GD12M7P 27896130, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; винтами" 1.

SEMIX302GAL12E4S 27890220, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 300А
0.0
SEMIX302GAL12E4S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GAL12E4S 27890220
63 618 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX302GAL12E4S 27890220, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 300А" 1.

SEMIX302GAL17E4S 27892120, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 300А
0.0
SEMIX302GAL17E4S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GAL17E4S 27892120
74 810 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX302GAL17E4S 27892120, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 300А" 1.

SEMIX302GAR12E4S 27890222, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 300А
0.0
SEMIX302GAR12E4S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GAR12E4S 27890222
62 832 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX302GAR12E4S 27890222, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 300А" 1.

SEMIX302GB066HDS 27891120, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX302GB066HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GB066HDS 27891120
67 348 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX302GB066HDS 27891120, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX302GB12E4S 27890120, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX302GB12E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GB12E4S 27890120
85 608 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX302GB12E4S 27890120, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX302GB12VS 27890121, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX302GB12VS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GB12VS 27890121
102 494 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX302GB12VS 27890121, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX302GB176HDS 27890470, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX302GB176HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GB176HDS 27890470
100 727 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX302GB176HDS 27890470, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX302GB17E4S 27892110, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX302GB17E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GB17E4S 27892110
107 010 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX302GB17E4S 27892110, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX303GB12E4I50P 27897007, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT
0.0
SEMIX303GB12E4I50P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX303GB12E4I50P 27897007
109 367 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX303GB12E4I50P 27897007, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT" 1.

SEMIX303GB12E4P 27895007, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX303GB12E4P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX303GB12E4P 27895007
97 586 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX303GB12E4P 27895007, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX303GB12E4S 27890130, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX303GB12E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX303GB12E4S 27890130
93 462 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX303GB12E4S 27890130, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX303GB12M7P 27895107, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX303GB12M7P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX303GB12M7P 27895107
96 604 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX303GB12M7P 27895107, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX303GB12VS 27890131, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX303GB12VS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX303GB12VS 27890131
91 696 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX303GB12VS 27890131, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX303GB17E4P 27895407, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX303GB17E4P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX303GB17E4P 27895407
112 902 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX303GB17E4P 27895407, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX303GB17E4S 27892075, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX303GB17E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX303GB17E4S 27892075
112 705 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX303GB17E4S 27892075, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX303GD12E4C 27890210, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 300А
0.0
SEMIX303GD12E4C
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX303GD12E4C 27890210
274 890 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX303GD12E4C 27890210, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 300А" 1.

SEMIX305MLI07E4 21919430, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 650В; Ic: 300А; винтами
0.0
SEMIX305MLI07E4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX305MLI07E4 21919430
167 683 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX305MLI07E4 21919430, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 650В; Ic: 300А; винтами" 1.

SEMIX305MLI12E4V2 27922900, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А
0.0
SEMIX305MLI12E4V2
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX305MLI12E4V2 27922900
210 095 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX305MLI12E4V2 27922900, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А" 1.

SEMIX305TMLI12E4B 21919480, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-уровневый инвертор TNPC
0.0
SEMIX305TMLI12E4B
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX305TMLI12E4B 21919480
173 377 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX305TMLI12E4B 21919480, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-уровневый инвертор TNPC" 1.

SEMIX355MLI12M7 27922120, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 350А
0.0
SEMIX355MLI12M7
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX355MLI12M7 27922120
198 314 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX355MLI12M7 27922120, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 350А" 1.

SEMIX402GAL066HDS 27891104, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 379А
0.0
SEMIX402GAL066HDS
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX402GAL066HDS 27891104
19 635 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX402GAL066HDS 27891104, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 379А" 1.

SEMIX402GAR066HDS 27891106, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 400А
0.0
SEMIX402GAR066HDS
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX402GAR066HDS 27891106
59 691 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX402GAR066HDS 27891106, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 400А" 1.

SEMIX402GB066HDS 27891100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX402GB066HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX402GB066HDS 27891100
80 110 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX402GB066HDS 27891100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX404GB12E4S 27890170, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX404GB12E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX404GB12E4S 27890170
126 842 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX404GB12E4S 27890170, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX404GB17E4S 27892076, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX404GB17E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX404GB17E4S 27892076
148 048 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX404GB17E4S 27892076, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX405MLI07E4 21919440, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 650В; Ic: 400А; винтами
0.0
SEMIX405MLI07E4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX405MLI07E4 21919440
200 277 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX405MLI07E4 21919440, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 650В; Ic: 400А; винтами" 1.

SEMIX405TMLI12E4B 21919490, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-уровневый инвертор TNPC
0.0
SEMIX405TMLI12E4B
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX405TMLI12E4B 21919490
202 241 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX405TMLI12E4B 21919490, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-уровневый инвертор TNPC" 1.

SEMIX452GAL126HDS 27890685, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 300А
0.0
SEMIX452GAL126HDS
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX452GAL126HDS 27890685
76 969 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX452GAL126HDS 27890685, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 300А" 1.

SEMIX453GAL12E4S 27890144, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 450А
0.0
SEMIX453GAL12E4S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GAL12E4S 27890144
87 964 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX453GAL12E4S 27890144, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 450А" 1.

SEMIX453GAL17E4P 27894424, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 450А
0.0
SEMIX453GAL17E4P
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GAL17E4P 27894424
107 599 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX453GAL17E4P 27894424, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 450А" 1.

SEMIX453GAL17E4S 27892132, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 450А
0.0
SEMIX453GAL17E4S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GAL17E4S 27892132
104 458 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX453GAL17E4S 27892132, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 450А" 1.

SEMIX453GAR12E4S 27890142, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 450А
0.0
SEMIX453GAR12E4S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GAR12E4S 27890142
86 983 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX453GAR12E4S 27890142, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 450А" 1.

Показать еще 80 товаров
Категории
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (18)