Товары из категории модули igbt - страница 35

Производитель
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусGJ-U Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG75U12GJ
4 659.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG75U12GJ, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А; GJ-U" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусGJ-UZ Механический монтажвинтами Обозначение производителяMG75UZ12GJ Обратное напряжение макс.1,2кВ
4 659.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG75UZ12GJ, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А; GJ-UZ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусY4-M5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMID100-12A3
12 426.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MID100-12A3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 90А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусY4-M5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMID145-12A3
13 919.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MID145-12A3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Y4-M5" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMID150-12A4
33 057.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MID150-12A4, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Y3-DCB" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMID200-12A4
33 057.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MID200-12A4, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Y3-DCB" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMID300-12A4
38 035.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MID300-12A4, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Y3-DCB" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMID550-12A4
50 781.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MID550-12A4, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Y3-DCB" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIEB100W1200TEH Обратное напряжение макс.1,2кВ
27 082.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIEB100W1200TEH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост MOSFET" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIEB101H1200EH
33 854.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIEB101H1200EH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1,2кВ; Ic: 128А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIEB101W1200EH
42 617.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIEB101W1200EH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 128А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY4-M5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMII145-12A3
19 198.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MII145-12A3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMII200-12A4
42 218.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MII200-12A4, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMII300-12A4
51 180.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MII300-12A4, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY4-M5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMII75-12A3
13 541.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MII75-12A3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack PFP Механический монтажвинтами Обозначение производителяMITA300RF1700PTED Обратное напряжение макс.1,7кВ
35 248.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MITA300RF1700PTED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ; Trench" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA100W1200TEH
35 647.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA100W1200TEH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 108А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA101W1200EH
21 905.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA101W1200EH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост MOSFET; XPT™" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE1-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA10W1200TML
4 559.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA10W1200TML, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 12А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA10WB1200TED
14 298.17 
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "MIXA10WB1200TED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 12А" 1.

Показать еще 20 товаров

Модули IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это высокомощные полупроводниковые сборки, сочетающие IGBT-транзисторы и обратные диоды** в одном корпусе. Предназначены для эффективного управления высоким напряжением и током в системах преобразования энергии: частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания, сварочных аппаратах, инверторах и электроприводах.

Обеспечивают высокую эффективность, быстрое переключение и низкие потери мощности.

В каталоге 7-el.ru — модули IGBT от проверенных производителей: KEFA, Infineon, Mitsubishi Electric, Fuji Electric, Semikron, ABB, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж