Товары из категории модули igbt - страница 5

Производитель
Конструкция диодадиод/транзистор, общий вход, общий эмиттер КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNE 1000E330300
372 878.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNE 1000E330300, Модуль: IGBT; диод/транзистор,общий вход,общий эмиттер; Ic: 1кА" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор, общий вход, общий эмиттер КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNE 1600E170300
314 741.59 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNE 1600E170300, Модуль: IGBT; диод/транзистор,общий вход,общий эмиттер; HIPAK" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор, общий вход, общий эмиттер КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNE 2400E170300
352 831.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNE 2400E170300, Модуль: IGBT; диод/транзистор,общий вход,общий эмиттер; HIPAK" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 0150P450300
200 472.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNG 0150P450300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 4,5кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпус62PAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 0150Q170300
21 851.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNG 0150Q170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпус62PAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 0200Q170300
21 250.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNG 0200Q170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 0250P330305
192 452.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNG 0250P330305, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 3,3кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпус62PAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 0300Q170300
39 492.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNG 0300Q170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусLINPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 0450X330300
196 262.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNG 0450X330300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 3,3кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусLINPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 1000X170300
152 760.70 
Доступность: 9 шт.
 

Минимальное количество для товара "5SNG 1000X170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

Класс напряжения1,2кВ Обозначение производителя62CA1 Применениеfor medium and high power application ПроизводительMICROCHIP TECHNOLOGY Сопутствующие товарыASBK-014
19 046.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "62CA1, Module: gate driver adapter; 1.2kV; AgileSwitch®" 1.

Класс напряжения1,2кВ Обозначение производителя62CA2 Применениеfor medium and high power application ПроизводительMICROCHIP TECHNOLOGY Сопутствующие товарыASBK-014
18 863.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "62CA2, Module: gate driver adapter; 1.2kV; AgileSwitch®" 1.

Класс напряжения1,7кВ Обозначение производителя62CA4 Применениеfor medium and high power application ПроизводительMICROCHIP TECHNOLOGY Сопутствующие товарыASBK-014
18 863.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "62CA4, Module: gate driver adapter; 1.7kV; AgileSwitch®" 1.

Вид выходадрайвер SiC MOSFET Выходной ток20А Класс напряжения1,2кВ МонтажPCB Обозначение производителя62EM1-00001
51 272.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "62EM1-00001, Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусACEPACK™1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяA1C15S12M3
8 827.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "A1C15S12M3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 15А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусACEPACK™1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяA1P35S12M3
11 114.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "A1P35S12M3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 35А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусACEPACK™1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяA1P50S65M2
8 629.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "A1P50S65M2, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 50А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусACEPACK™2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяA2C50S65M2
16 718.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "A2C50S65M2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 50А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусACEPACK™2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяA2P75S12M3
18 603.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "A2P75S12M3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 75А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT100GLQ65JU2
7 050.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT100GLQ65JU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 100А" 1.

Показать еще 20 товаров

Модули IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это высокомощные полупроводниковые сборки, сочетающие IGBT-транзисторы и обратные диоды** в одном корпусе. Предназначены для эффективного управления высоким напряжением и током в системах преобразования энергии: частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания, сварочных аппаратах, инверторах и электроприводах.

Обеспечивают высокую эффективность, быстрое переключение и низкие потери мощности.

В каталоге 7-el.ru — модули IGBT от проверенных производителей: KEFA, Infineon, Mitsubishi Electric, Fuji Electric, Semikron, ABB, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж