Полупроводники :: Транзисторы :: Транзисторы и модули IGBT :: Модули IGBT

A1P50S65M2, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 50А

0.0

КОД:

A1P50S65M2

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусACEPACK™1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяA1P50S65M2

11 810⁶¹ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "A1P50S65M2, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 50А" 1.

A2C50S65M2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 50А

0.0

КОД:

A2C50S65M2

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусACEPACK™2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяA2C50S65M2

17 373¹¹ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "A2C50S65M2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 50А" 1.

A2P75S12M3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 75А

0.0

КОД:

A2P75S12M3

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусACEPACK™2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяA2P75S12M3

24 161⁹³ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "A2P75S12M3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 75А" 1.

APT100GLQ65JU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 100А

0.0

КОД:

APT100GLQ65JU2

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT100GLQ65JU2

8 336¹⁷ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT100GLQ65JU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 100А" 1.

APT100GLQ65JU3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 650В; Ic: 100А

0.0

КОД:

APT100GLQ65JU3

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT100GLQ65JU3

5 568¹⁸ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT100GLQ65JU3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 650В; Ic: 100А" 1.

APT100GN120J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 70А; SOT227B

0.0

КОД:

APT100GN120J

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В

10 788⁸³ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT100GN120J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 70А; SOT227B" 1.

APT100GN120JDQ4, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 70А; SOT227B

0.0

КОД:

APT100GN120JDQ4

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В

15 990⁵³ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT100GN120JDQ4, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 70А; SOT227B" 1.

APT100GT120JR, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 67А; SOT227B

0.0

КОД:

APT100GT120JR

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В

14 847⁵⁴ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT100GT120JR, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 67А; SOT227B" 1.

APT100GT120JRDQ4, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 67А; SOT227B

0.0

КОД:

APT100GT120JRDQ4

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В

17 770⁸³ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT100GT120JRDQ4, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 67А; SOT227B" 1.

APT100GT120JU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

APT100GT120JU2

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT100GT120JU2

11 313⁴⁵ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT100GT120JU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

APT100GT120JU3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А

0.0

КОД:

APT100GT120JU3

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT100GT120JU3

11 313⁴⁵ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT100GT120JU3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А" 1.

APT150GN120J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 99А; SOT227B

0.0

КОД:

APT150GN120J

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В

9 446⁰² ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT150GN120J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 99А; SOT227B" 1.

APT150GN120JDQ4, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 99А; SOT227B

0.0

КОД:

APT150GN120JDQ4

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В

19 586¹⁷ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT150GN120JDQ4, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 99А; SOT227B" 1.

APT150GN60J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 123А; SOT227B

0.0

КОД:

APT150GN60J

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В

9 322⁹² ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT150GN60J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 123А; SOT227B" 1.

APT150GN60JDQ4, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 123А; SOT227B

0.0

КОД:

APT150GN60JDQ4

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В

11 239⁵⁸ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT150GN60JDQ4, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 123А; SOT227B" 1.

APT150GT120JR, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 90А; SOT227B

0.0

КОД:

APT150GT120JR

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В

18 199⁸¹ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT150GT120JR, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 90А; SOT227B" 1.

APT200GN60J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 158А; SOT227B

0.0

КОД:

APT200GN60J

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В

10 691²⁹ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT200GN60J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 158А; SOT227B" 1.

APT200GN60JDQ4, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 158А; SOT227B

0.0

КОД:

APT200GN60JDQ4

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В

13 674²⁴ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT200GN60JDQ4, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 158А; SOT227B" 1.

APT200GT60JR, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 100А; SOT227B

0.0

КОД:

APT200GT60JR

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В

13 502⁸⁴ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT200GT60JR, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 100А; SOT227B" 1.

APT25GLQ120JCU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А

0.0

КОД:

APT25GLQ120JCU2

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT25GLQ120JCU2

10 841⁸⁶ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT25GLQ120JCU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А" 1.

APT35GP120J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 29А; SOT227B

0.0

КОД:

APT35GP120J

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В

10 888²⁶ ^₽

Доступность: 1 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "APT35GP120J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 29А; SOT227B" 1.

APT35GP120JDQ2, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 26А; SOT227B

0.0

КОД:

APT35GP120JDQ2

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В

12 482⁹⁵ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT35GP120JDQ2, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 26А; SOT227B" 1.

APT35GT120JU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 55А

0.0

КОД:

APT35GT120JU2

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT35GT120JU2

7 224⁴³ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT35GT120JU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 55А" 1.

APT35GT120JU3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 35А

0.0

КОД:

APT35GT120JU3

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT35GT120JU3

7 224⁴³ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT35GT120JU3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 35А" 1.