Товары из категории модули igbt - страница 9

Производитель
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGLQ75H120T3G
23 503.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ75H120T3G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; SP3F" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT100A120T3AG
23 008.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT100A120T3AG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; IGBT x2,термистор NTC; SP3" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT100A120TG
24 104.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT100A120TG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT100DU120TG
24 045.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT100DU120TG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2; SP4" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT100SK170TG
22 222.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT100SK170TG, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор NTC; SP4" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT100TL60T3G
24 861.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT100TL60T3G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 600В; Ic: 100А; SP3" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT150A120TG
40 225.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT150A120TG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT150DH60TG
22 741.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT150DH60TG, Модуль: IGBT; диод/транзистор; асимметричный мост,термистор NTC" 1.

Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT200DU60TG
22 346.59 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT200DU60TG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2; SP4" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT20H60T1G
11 393.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT20H60T1G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; SP1" 1.

Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSP6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT225DU170G
73 924.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT225DU170G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2; SP6" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT300SK170G
48 687.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT300SK170G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,7кВ; Ic: 300А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT50A170TG
22 229.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT50A170TG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT600A60G
72 120.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT600A60G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGTQ100H65T3G
22 706.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGTQ100H65T3G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; SP3F" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGTQ200A65T3G
22 706.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGTQ200A65T3G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

Выходной ток15А Класс напряжения1,7кВ КорпусSKYPER® МонтажPCB Обозначение производителяBOARD 1 SKYPER 32PRO R L6100231
66 972.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BOARD 1 SKYPER 32PRO R L6100231, Module: gate driver adapter; SKYPER®; PCB; 1.7kV; 14.4÷15.6VDC" 1.

Выходной ток15А Класс напряжения1,7кВ КорпусSKYPER® МонтажPCB Обозначение производителяBOARD 1 SKYPER 32 R L6100131
84 144.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BOARD 1 SKYPER 32 R L6100131, Module: gate driver adapter; SKYPER®; PCB; 1.7kV; 14.4÷15.6VDC" 1.

Выходной ток30А Класс напряжения1,7кВ КорпусSKYPER® МонтажPCB Обозначение производителяBOARD 2 // 3S SKYPER 42 R L5059201
117 916.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BOARD 2 // 3S SKYPER 42 R L5059201, Module: gate driver adapter; SKYPER®; PCB; 1.7kV; 14.4÷15.6VDC" 1.

КорпусSKYPER® МонтажPCB Обозначение производителяBOARD 2 // 4S SKYPER 42 R L5059801 Применениеfor medium and high power application ПроизводительSEMIKRON DANFOSS
111 620.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BOARD 2 // 4S SKYPER 42 R L5059801, Module: gate driver adapter; SKYPER®; PCB" 1.

Показать еще 20 товаров

Модули IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это высокомощные полупроводниковые сборки, сочетающие IGBT-транзисторы и обратные диоды** в одном корпусе. Предназначены для эффективного управления высоким напряжением и током в системах преобразования энергии: частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания, сварочных аппаратах, инверторах и электроприводах.

Обеспечивают высокую эффективность, быстрое переключение и низкие потери мощности.

В каталоге 7-el.ru — модули IGBT от проверенных производителей: KEFA, Infineon, Mitsubishi Electric, Fuji Electric, Semikron, ABB, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж