Полупроводники :: Транзисторы :: Транзисторы и модули IGBT :: Модули IGBT

APT40GF120JRD, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 42А; SOT227B

0.0

КОД:

APT40GF120JRD

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В

12 208³³ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT40GF120JRD, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 42А; SOT227B" 1.

APT40GF120JRDQ2, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 42А; SOT227B

0.0

КОД:

APT40GF120JRDQ2

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В

11 836¹⁷ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT40GF120JRDQ2, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 42А; SOT227B" 1.

APT40GL120JU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 40А

0.0

КОД:

APT40GL120JU2

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT40GL120JU2

7 151⁵² ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT40GL120JU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 40А" 1.

APT40GL120JU3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 40А

0.0

КОД:

APT40GL120JU3

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT40GL120JU3

7 151⁵² ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT40GL120JU3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 40А" 1.

APT40GLQ120JCU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 40А

0.0

КОД:

APT40GLQ120JCU2

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT40GLQ120JCU2

11 639²⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT40GLQ120JCU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 40А" 1.

APT40GP60J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 40А; SOT227B

0.0

КОД:

APT40GP60J

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В

8 650⁵⁷ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT40GP60J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 40А; SOT227B" 1.

APT40GP60JDQ2, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 40А; SOT227B

0.0

КОД:

APT40GP60JDQ2

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В

11 472⁵⁴ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT40GP60JDQ2, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 40А; SOT227B" 1.

APT40GP90J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 900В; Ic: 32А; SOT227B

0.0

КОД:

APT40GP90J

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В

11 339⁰² ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT40GP90J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 900В; Ic: 32А; SOT227B" 1.

APT40GP90JDQ2, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 900В; Ic: 27А; SOT227B

0.0

КОД:

APT40GP90JDQ2

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В

13 164⁷⁷ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT40GP90JDQ2, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 900В; Ic: 27А; SOT227B" 1.

APT45GP120J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 34А; SOT227B

0.0

КОД:

APT45GP120J

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В

11 552⁰⁸ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT45GP120J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 34А; SOT227B" 1.

APT45GP120JDQ2, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 34А; SOT227B

0.0

КОД:

APT45GP120JDQ2

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В

8 578⁶⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT45GP120JDQ2, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 34А; SOT227B" 1.

APT46GA90JD40, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 900В; Ic: 46А; SOT227B

0.0

КОД:

APT46GA90JD40

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В

8 863⁶⁴ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT46GA90JD40, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 900В; Ic: 46А; SOT227B" 1.

APT47GA60JD40, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 47А; SOT227B

0.0

КОД:

APT47GA60JD40

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В

9 183⁷¹ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT47GA60JD40, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 47А; SOT227B" 1.

APT50GF120JRD, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 64А; SOT227B

0.0

КОД:

APT50GF120JRD

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В

14 037⁸⁸ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT50GF120JRD, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 64А; SOT227B" 1.

APT50GF120JRDQ3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 64А; SOT227B

0.0

КОД:

APT50GF120JRDQ3

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В

24 877⁸⁴ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT50GF120JRDQ3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 64А; SOT227B" 1.

APT50GLQ65JU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 50А

0.0

КОД:

APT50GLQ65JU2

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT50GLQ65JU2

6 837¹² ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT50GLQ65JU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 50А" 1.

APT50GP60J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 46А; SOT227B

0.0

КОД:

APT50GP60J

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В

9 239⁵⁸ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT50GP60J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 46А; SOT227B" 1.

APT50GP60JDQ2, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 46А; SOT227B

0.0

КОД:

APT50GP60JDQ2

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В

9 322⁹² ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT50GP60JDQ2, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 46А; SOT227B" 1.

APT50GR120JD30, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А; SOT227B

0.0

КОД:

APT50GR120JD30

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В

10 404³⁶ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT50GR120JD30, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А; SOT227B" 1.

APT50GT120JU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А

0.0

КОД:

APT50GT120JU2

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT50GT120JU2

7 801¹⁴ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT50GT120JU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А" 1.

APT50GT120JU3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А

0.0

КОД:

APT50GT120JU3

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT50GT120JU3

7 801¹⁴ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT50GT120JU3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А" 1.

APT60GA60JD60, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 60А; SOT227B

0.0

КОД:

APT60GA60JD60

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В

9 388²⁶ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT60GA60JD60, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 60А; SOT227B" 1.

APT60GF120JRD, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 79А; SOT227B

0.0

КОД:

APT60GF120JRD

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В

21 461¹⁷ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT60GF120JRD, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 79А; SOT227B" 1.

APT60GF120JRDQ3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 79А; SOT227B

0.0

КОД:

APT60GF120JRDQ3

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В

32 490⁵³ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT60GF120JRDQ3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 79А; SOT227B" 1.