Товары из категории модули igbt - страница 7

Производитель
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
10 325.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT40GF120JRD, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 42А; SOT227B" 1.

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
10 010.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT40GF120JRDQ2, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 42А; SOT227B" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT40GL120JU2
6 048.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT40GL120JU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 40А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT40GL120JU3
6 048.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT40GL120JU3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 40А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT40GLQ120JCU2
9 844.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT40GLQ120JCU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 40А" 1.

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
7 316.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT40GP60J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 40А; SOT227B" 1.

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
9 703.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT40GP60JDQ2, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 40А; SOT227B" 1.

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
9 590.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT40GP90J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 900В; Ic: 32А; SOT227B" 1.

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
6 744.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT40GP90JDQ2, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 900В; Ic: 27А; SOT227B" 1.

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
9 770.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT45GP120J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 34А; SOT227B" 1.

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
7 256.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT45GP120JDQ2, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 34А; SOT227B" 1.

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
7 496.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT46GA90JD40, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 900В; Ic: 46А; SOT227B" 1.

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
7 767.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT47GA60JD40, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 47А; SOT227B" 1.

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
11 873.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT50GF120JRD, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 64А; SOT227B" 1.

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
21 041.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT50GF120JRDQ3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 64А; SOT227B" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT50GLQ65JU2
5 782.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT50GLQ65JU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 50А" 1.

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
7 814.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT50GP60J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 46А; SOT227B" 1.

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
7 885.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT50GP60JDQ2, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 46А; SOT227B" 1.

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
8 799.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT50GR120JD30, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А; SOT227B" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT50GT120JU2
6 598.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT50GT120JU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А" 1.

Показать еще 20 товаров

Модули IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это высокомощные полупроводниковые сборки, сочетающие IGBT-транзисторы и обратные диоды** в одном корпусе. Предназначены для эффективного управления высоким напряжением и током в системах преобразования энергии: частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания, сварочных аппаратах, инверторах и электроприводах.

Обеспечивают высокую эффективность, быстрое переключение и низкие потери мощности.

В каталоге 7-el.ru — модули IGBT от проверенных производителей: KEFA, Infineon, Mitsubishi Electric, Fuji Electric, Semikron, ABB, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж