Полупроводники :: Транзисторы :: Транзисторы и модули IGBT :: Модули IGBT

APT65GP60JDQ2, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 60А; SOT227B

0.0

КОД:

APT65GP60JDQ2

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В

9 285 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT65GP60JDQ2, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 60А; SOT227B" 1.

APT70GR120J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 70А; SOT227B

0.0

КОД:

APT70GR120J

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В

7 328 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT70GR120J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 70А; SOT227B" 1.

APT70GR120JD60, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 70А; SOT227B

0.0

КОД:

APT70GR120JD60

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В

9 431 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT70GR120JD60, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 70А; SOT227B" 1.

APT75GN120JDQ3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 57А; SOT227B

0.0

КОД:

APT75GN120JDQ3

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В

11 452 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT75GN120JDQ3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 57А; SOT227B" 1.

APT75GP120J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 57А; SOT227B

0.0

КОД:

APT75GP120J

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В

10 764 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT75GP120J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 57А; SOT227B" 1.

APT75GP120JDQ3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 57А; SOT227B

0.0

КОД:

APT75GP120JDQ3

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В

10 492 ₽

Доступность: 6 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "APT75GP120JDQ3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 57А; SOT227B" 1.

APT75GT120JRDQ3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 57А; SOT227B

0.0

КОД:

APT75GT120JRDQ3

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В

11 441 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT75GT120JRDQ3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 57А; SOT227B" 1.

APT75GT120JU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А

0.0

КОД:

APT75GT120JU2

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT75GT120JU2

7 830 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT75GT120JU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А" 1.

APT75GT120JU3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А

0.0

КОД:

APT75GT120JU3

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT75GT120JU3

7 572 ₽

Доступность: 10 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "APT75GT120JU3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А" 1.

APT80GP60J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 68А; SOT227B

0.0

КОД:

APT80GP60J

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В

10 161 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT80GP60J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 68А; SOT227B" 1.

APT80GP60JDQ3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 68А; SOT227B

0.0

КОД:

APT80GP60JDQ3

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В

10 151 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT80GP60JDQ3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 68А; SOT227B" 1.

APT85GR120J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 85А; SOT227B

0.0

КОД:

APT85GR120J

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В

8 608 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT85GR120J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 85А; SOT227B" 1.

APT85GR120JD60, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 85А; SOT227B

0.0

КОД:

APT85GR120JD60

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В

9 966 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APT85GR120JD60, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 85А; SOT227B" 1.

APTGL60DDA120T3G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper x2,термистор NTC

0.0

КОД:

APTGL60DDA120T3G

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGL60DDA120T3G

18 847 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APTGL60DDA120T3G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper x2,термистор NTC" 1.

APTGLQ100A120TG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

APTGLQ100A120TG

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGLQ100A120TG

23 761 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APTGLQ100A120TG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

APTGLQ100DA120T1G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор NTC; SP1

0.0

КОД:

APTGLQ100DA120T1G

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGLQ100DA120T1G

17 243 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APTGLQ100DA120T1G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор NTC; SP1" 1.

APTGLQ75H120T3G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; SP3F

0.0

КОД:

APTGLQ75H120T3G

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGLQ75H120T3G

24 178 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APTGLQ75H120T3G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; SP3F" 1.

APTGT100A120T3AG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; IGBT x2,термистор NTC; SP3

0.0

КОД:

APTGT100A120T3AG

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT100A120T3AG

23 669 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APTGT100A120T3AG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; IGBT x2,термистор NTC; SP3" 1.

APTGT100A120TG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

APTGT100A120TG

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT100A120TG

24 796 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APTGT100A120TG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

APTGT100DU120TG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2; SP4

0.0

КОД:

APTGT100DU120TG

Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT100DU120TG

24 735 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APTGT100DU120TG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2; SP4" 1.

APTGT100SK170TG, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор NTC; SP4

0.0

КОД:

APTGT100SK170TG

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT100SK170TG

22 861 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APTGT100SK170TG, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор NTC; SP4" 1.

APTGT100TL60T3G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 600В; Ic: 100А; SP3

0.0

КОД:

APTGT100TL60T3G

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT100TL60T3G

25 576 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APTGT100TL60T3G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 600В; Ic: 100А; SP3" 1.

APTGT150A120TG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

APTGT150A120TG

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT150A120TG

41 380 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APTGT150A120TG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

APTGT150DH60TG, Модуль: IGBT; диод/транзистор; асимметричный мост,термистор NTC

0.0

КОД:

APTGT150DH60TG

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT150DH60TG

23 394 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "APTGT150DH60TG, Модуль: IGBT; диод/транзистор; асимметричный мост,термистор NTC" 1.