Москва
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

Модули IGBT

Производитель
Сортировать по:
От А до Я
Показать:
40
HFGM75D12V1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
0.0
HFGM75D12V1-HUA
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусV1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В Обозначение производителяHFGM75D12V1
8 200 ₽
Доступность: 10 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "HFGM75D12V1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

HPFM-00117, Module: gate driver board; PCB; 3.3kV; 14.5÷16VDC; 15kHz; 30A
0.0
HPFM-00117
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток30А Класс напряжения3,3кВ МонтажPCB Обозначение производителяHPFM-00117
67 567 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "HPFM-00117, Module: gate driver board; PCB; 3.3kV; 14.5÷16VDC; 15kHz; 30A" 1.

IFF450B12ME4PB11BPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
0.0
IFF450B12ME4PB11
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-ECONOD-6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIFF450B12ME4PB11BPSA1
38 104 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IFF450B12ME4PB11BPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

IFF600B12ME4PB11BPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
0.0
IFF600B12ME4PB11
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-ECONOD-6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIFF600B12ME4PB11BPSA1
50 031 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IFF600B12ME4PB11BPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

IXA20PG1200DHGLB, Модуль: IGBT; диод/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ; Ic: 23А
0.0
IXA20PG1200DHGLB
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSMPD-B Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXA20PG1200DHGLB Обратное напряжение макс.1,2кВ
1 642 ₽
Доступность: 30 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IXA20PG1200DHGLB, Модуль: IGBT; диод/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ; Ic: 23А" 1.

IXA30RG1200DHGLB, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 30А
0.0
IXA30RG1200DHGLB
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSMPD-B Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXA30RG1200DHGLB Обратное напряжение макс.1,2кВ
1 020 ₽
Доступность: 49 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IXA30RG1200DHGLB, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 30А" 1.

IXA40RG1200DHGLB, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 43А
0.0
IXA40RG1200DHGLB
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSMPD-B Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXA40RG1200DHGLB Обратное напряжение макс.1,2кВ
1 986 ₽
Доступность: 2 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IXA40RG1200DHGLB, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 43А" 1.

IXA70I1200NA, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 65А; SOT227B
0.0
IXA70I1200NA
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXA70I1200NA
6 718 ₽
Доступность: 12 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IXA70I1200NA, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 65А; SOT227B" 1.

IXBN42N170A, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 21А; SOT227B
0.0
IXBN42N170A
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXBN42N170A
7 280 ₽
Доступность: 4 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IXBN42N170A, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 21А; SOT227B" 1.

IXBN75N170, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 75А; SOT227B
0.0
IXBN75N170
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXBN75N170
19 071 ₽
Доступность: 1 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IXBN75N170, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 75А; SOT227B" 1.

IXBN75N170A, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 42А; SOT227B
0.0
IXBN75N170A
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXBN75N170A
10 253 ₽
Доступность: 2 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IXBN75N170A, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 42А; SOT227B" 1.

IXDN75N120, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 150А; SOT227B
0.0
IXDN75N120
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXDN75N120
7 637 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXDN75N120, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 150А; SOT227B" 1.

IXG70IF1200NA, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 86А; SOT227B
0.0
IXG70IF1200NA
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Обозначение производителяIXG70IF1200NA Обратное напряжение макс.1,2кВ
5 228 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXG70IF1200NA, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 86А; SOT227B" 1.

IXGN100N170, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 95А; SOT227B
0.0
IXGN100N170
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXGN100N170
13 823 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXGN100N170, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 95А; SOT227B" 1.

IXGN200N170, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 160А; SOT227B
0.0
IXGN200N170
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXGN200N170
12 484 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXGN200N170, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 160А; SOT227B" 1.

IXGN200N60B3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 200А; SOT227B
0.0
IXGN200N60B3
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXGN200N60B3
9 294 ₽
Доступность: 47 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IXGN200N60B3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 200А; SOT227B" 1.

IXGN400N60A3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 190А; SOT227B
0.0
IXGN400N60A3
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXGN400N60A3
10 842 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXGN400N60A3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 190А; SOT227B" 1.

IXGN400N60B3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 200А; SOT227B
0.0
IXGN400N60B3
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXGN400N60B3
8 581 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXGN400N60B3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 200А; SOT227B" 1.

IXGN50N120C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А; SOT227B
0.0
IXGN50N120C3H1
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXGN50N120C3H1
8 190 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXGN50N120C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А; SOT227B" 1.

IXGN72N60C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 52А; SOT227B
0.0
IXGN72N60C3H1
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXGN72N60C3H1
6 969 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXGN72N60C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 52А; SOT227B" 1.

IXXN100N60B3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 98А; SOT227B
0.0
IXXN100N60B3H1
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXXN100N60B3H1
7 879 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXXN100N60B3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 98А; SOT227B" 1.

IXXN110N65B4H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 110А; SOT227B
0.0
IXXN110N65B4H1
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXXN110N65B4H1
4 849 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXXN110N65B4H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 110А; SOT227B" 1.

IXXN110N65C4H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 110А; SOT227B
0.0
IXXN110N65C4H1
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXXN110N65C4H1
5 046 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXXN110N65C4H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 110А; SOT227B" 1.

IXXN200N60B3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 160А; SOT227B
0.0
IXXN200N60B3
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXXN200N60B3
7 396 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXXN200N60B3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 160А; SOT227B" 1.

IXXN200N60B3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 98А; SOT227B
0.0
IXXN200N60B3H1
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXXN200N60B3H1
8 441 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXXN200N60B3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 98А; SOT227B" 1.

IXXN200N60C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 98А; SOT227B
0.0
IXXN200N60C3H1
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXXN200N60C3H1
7 667 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXXN200N60C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 98А; SOT227B" 1.

IXXN200N65A4, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 200А; SOT227B
0.0
IXXN200N65A4
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXXN200N65A4
4 465 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXXN200N65A4, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 200А; SOT227B" 1.

IXYN100N120C3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 84А; SOT227B
0.0
IXYN100N120C3
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN100N120C3
9 362 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXYN100N120C3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 84А; SOT227B" 1.

IXYN100N120C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 62А; SOT227B
0.0
IXYN100N120C3H1
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN100N120C3H1
11 791 ₽
Доступность: 2 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IXYN100N120C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 62А; SOT227B" 1.

IXYN100N65B3D1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 100А; SOT227B
0.0
IXYN100N65B3D1
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN100N65B3D1
6 253 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXYN100N65B3D1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 100А; SOT227B" 1.

IXYN100N65C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 90А; SOT227B
0.0
IXYN100N65C3H1
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN100N65C3H1
4 852 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXYN100N65C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 90А; SOT227B" 1.

IXYN120N120C3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 120А; SOT227B
0.0
IXYN120N120C3
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN120N120C3
7 170 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXYN120N120C3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 120А; SOT227B" 1.

IXYN150N60B3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 140А; SOT227B
0.0
IXYN150N60B3
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN150N60B3
8 946 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXYN150N60B3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 140А; SOT227B" 1.

IXYN30N170CV1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 30А; SOT227B
0.0
IXYN30N170CV1
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN30N170CV1
7 482 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXYN30N170CV1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 30А; SOT227B" 1.

IXYN50N170CV1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 50А; SOT227B
0.0
IXYN50N170CV1
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN50N170CV1
13 010 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXYN50N170CV1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 50А; SOT227B" 1.

IXYN75N65C3D1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 75А; SOT227B
0.0
IXYN75N65C3D1
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN75N65C3D1
5 983 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXYN75N65C3D1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 75А; SOT227B" 1.

IXYN80N90C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 900В; Ic: 70А; SOT227B
0.0
IXYN80N90C3H1
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN80N90C3H1
8 268 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXYN80N90C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 900В; Ic: 70А; SOT227B" 1.

IXYN82N120C3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 46А; SOT227B
0.0
IXYN82N120C3
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN82N120C3
8 538 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXYN82N120C3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 46А; SOT227B" 1.

IXYN82N120C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 66А; SOT227B
0.0
IXYN82N120C3H1
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN82N120C3H1
11 127 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXYN82N120C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 66А; SOT227B" 1.

MCMA240UI1600ED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ
0.0
MCMA240UI1600ED
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMCMA240UI1600ED
26 525 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MCMA240UI1600ED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Показать еще 40 товаров
Категории
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (18)