Товары из категории модули igbt, стр.9

Производитель

Модули IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это высокомощные полупроводниковые сборки, сочетающие IGBT-транзисторы и обратные диоды** в одном корпусе. Предназначены для эффективного управления высоким напряжением и током в системах преобразования энергии: частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания, сварочных аппаратах, инверторах и электроприводах.

Обеспечивают высокую эффективность, быстрое переключение и низкие потери мощности.

В каталоге 7-el.ru — модули IGBT от проверенных производителей: KEFA, Infineon, Mitsubishi Electric, Fuji Electric, Semikron, ABB, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
DAGNH1001200-DCO
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHW9434 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяDAGNH1001200
10 134.39 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DAGNH1001200, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
DAGNH100600-DCO
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHW9434 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяDAGNH100600
7 968.38 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DAGNH100600, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

0.0
DAGNH1501200-DCO
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHW9434 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяDAGNH1501200
13 486.17 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DAGNH1501200, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
DAGNH2001200-DCO
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHW9434 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяDAGNH2001200
16 917.00 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DAGNH2001200, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
DAGNH200600-DCO
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHW9434 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяDAGNH200600
11 130.43 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DAGNH200600, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

0.0
DAGNH751200-DCO
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHW9434 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяDAGNH751200
8 632.41 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DAGNH751200, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
DAGNH75600-DCO
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHW9434 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяDAGNH75600
6 735.18 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DAGNH75600, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

0.0
DDB6U104N16RRBPSA1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусAG-ECONO2B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяDDB6U104N16RRBPSA1
16 937.55 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DDB6U104N16RRBPSA1, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,6кВ; Ic: 50А" 1.

0.0
DDB6U134N16RRBPSA1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусAG-ECONO2B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяDDB6U134N16RRBPSA1
19 399.21 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DDB6U134N16RRBPSA1, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,6кВ; Ic: 70А" 1.

0.0
DDB6U50N16W1RBPSA1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусAG-EASY1B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяDDB6U50N16W1RBPSA1
9 845.06 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DDB6U50N16W1RBPSA1, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,6кВ; Ic: 50А" 1.

0.0
DDB6U75N16W1RBOMA1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусAG-EASY1B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяDDB6U75N16W1RBOMA1
11 769.17 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DDB6U75N16W1RBOMA1, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,6кВ; Ic: 50А" 1.

0.0
DF400R12KE3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяDF400R12KE3HOSA1
31 125.69 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DF400R12KE3HOSA1, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 400А" 1.

0.0
F3L300R07PE4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусAG-ECONO4-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяF3L300R07PE4
40 928.06 
Доступность: 6 шт.
+

Минимальное количество для товара "F3L300R07PE4, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

0.0
F4150R12KS4BOSA1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-ECONO3-4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяF4150R12KS4BOSA1
46 336.76 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "F4150R12KS4BOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x2; Ic: 150А" 1.

0.0
F475R06W1E3
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-EASY1B-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяF475R06W1E3BOMA1
5 857.71 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "F475R06W1E3BOMA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x2; Ic: 75А" 1.

0.0
FB30R06W1E3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусAG-EASY1B-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFB30R06W1E3BOMA1
5 177.87 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FB30R06W1E3BOMA1, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 1-фазный диодный мост; Urmax: 600В" 1.

0.0
FD1000R33HE3KBPSA1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусAG-IHVB190 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFD1000R33HE3KBPSA1
468 781.03 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FD1000R33HE3KBPSA1, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck-boost chopper; Urmax: 3,3кВ" 1.

0.0
FD300R06KE3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFD300R06KE3HOSA1
17 038.74 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FD300R06KE3HOSA1, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 300А" 1.

0.0
FD300R12KE3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFD300R12KE3HOSA1
31 011.86 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FD300R12KE3HOSA1, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
FF200R12KE3
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF200R12KE3HOSA1
36 961.26 
Доступность: 9 шт.
+

Минимальное количество для товара "FF200R12KE3HOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
FF200R12KE4P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF200R12KE4PHOSA1
22 898.02 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FF200R12KE4PHOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
FF200R12KT3E
Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF200R12KT3EHOSA1
23 438.74 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FF200R12KT3EHOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2" 1.

0.0
FF200R12KT4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF200R12KT4HOSA1
13 920.95 
Доступность: 6 шт.
+

Минимальное количество для товара "FF200R12KT4HOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
FF200R17KE4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF200R17KE4HOSA1
31 011.86 
Доступность: 1 шт.
+

Минимальное количество для товара "FF200R17KE4HOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (18)
Хиты продаж