Товары из категории полупроводники - страница 1763

Фильтры товаров
Производитель
Вид транзистораHEMT, каскодный Вид упаковкитуба Заряд затвора22нC Код производителяGAN041-650WSBQ КорпусSOT429, TO247
5 112.44 
Доступность: 4 шт.
 

Минимальное количество для товара "GAN041-650WSBQ, Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В" 1.

Вид транзистораHEMT, каскодный Вид упаковкитуба Заряд затвора15нC Код производителяGAN063-650WSAQ КорпусSOT429, TO247
3 472.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GAN063-650WSAQ, Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В" 1.

Вид каналаобогащенный Вид транзистораHEMT Вид упаковкилента Заряд затвора6,2нC Код производителяGAN080-650EBEZ
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GAN080-650EBEZ, Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 650В; 29А; Idm: 58А; 240Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид транзистораHEMT Вид упаковкилента Заряд затвора3,5нC Код производителяGAN140-650EBEZ
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GAN140-650EBEZ, Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 650В; 17А; Idm: 32А; 113Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид транзистораHEMT Вид упаковкилента Заряд затвора3,5нC Код производителяGAN140-650FBEZ
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GAN140-650FBEZ, Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 650В; 17А; Idm: 32А; 113Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид транзистораHEMT Вид упаковкилента Заряд затвора2,8нC Код производителяGAN190-650EBEZ
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GAN190-650EBEZ, Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 650В; 11,5А; Idm: 20,5А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид транзистораHEMT Вид упаковкилента Заряд затвора2,8нC Код производителяGAN190-650FBEZ
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GAN190-650FBEZ, Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 650В; 11,5А; Idm: 20,5А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид транзистораHEMT Вид упаковкилента Заряд затвора12нC Код производителяGAN3R2-100CBEAZ
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GAN3R2-100CBEAZ, Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 100В; 60А; Idm: 230А; 394Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид транзистораHEMT Вид упаковкилента Заряд затвора7,6нC Код производителяGAN7R0-150LBEZ
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GAN7R0-150LBEZ, Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 150В; 28А; Idm: 120А; 28Вт" 1.

Вид транзистораHEMT, каскодный Вид упаковкилента Заряд затвора22нC Код производителяGPT65C0YME КорпусDFN8080
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GPT65C0YME, Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В" 1.

Вид транзистораHEMT, каскодный Вид упаковкилента Заряд затвора38нC Код производителяGPT65Z4YMR КорпусDFN8080
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GPT65Z4YMR, Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC Код производителяHP8KA1TB Конструкция диодаобщий сток
277.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HP8KA1TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 14А; Idm: 28А; 3Вт; HSOP8" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12,3/38нC
114.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HP8M31TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 60/-60В" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15/26,2нC Код производителяHP8M51TB1 КорпусHSOP8
86.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HP8M51TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 100/-100В; 4,5/-4,5А; Idm: 18А" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22/25нC Код производителяHP8MA2TB1 КорпусHSOP8
327.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HP8MA2TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 18/-15А; Idm: 48А; 7Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,1/20,2C Код производителяHS8K11TB КорпусuDFN8
160.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HS8K11TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 7/11А; Idm: 28÷44А; 2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6/7,4нC Код производителяHS8K1TB КорпусuDFN8
139.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HS8K1TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 10/11А; Idm: 40÷44А; 2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора44нC Код производителяHUF75321P3 КорпусTO220AB
245.32 
Доступность: 92 шт.
 

Минимальное количество для товара "HUF75321P3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 31А; 93Вт; TO220AB" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора85нC Код производителяHUF75332P3 КорпусTO220AB
356.05 
Доступность: 2 шт.
 

Минимальное количество для товара "HUF75332P3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 60А; 145Вт; TO220AB" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора130нC Код производителяHUF75339P3 КорпусTO220AB
335.60 
Доступность: 20 шт.
 

Минимальное количество для товара "HUF75339P3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 75А; 200Вт; TO220AB" 1.

Показать еще 20 товаров

Полупроводники – широкий ассортимент компонентов для ваших проектов!

В нашем каталоге представлены полупроводниковые компоненты: диоды, транзисторы, тиристоры, оптоэлектроника и многое другое. Мы предлагаем продукцию от ведущих производителей с гарантией качества. Выгодные цены, быстрая доставка и профессиональная поддержка. Выбирайте полупроводники у нас – надежность и качество в каждом элементе!

Хиты продаж