Товары из категории полупроводники - страница 1879

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Время готовности150нс Заряд затвора715нC Код производителяIXFN360N15T2 Конструкция диодаодиночный транзистор
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN360N15T2, Модуль; одиночный транзистор; 150В; 310А; SOT227B; винтами; 1070Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности180нс Заряд затвора380нC Код производителяIXFN36N100 Конструкция диодаодиночный транзистор
18 782.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN36N100, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 36А; SOT227B; винтами; Idm: 144А" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора0,35мкC Код производителяIXFN38N100P Конструкция диодаодиночный транзистор
8 621.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN38N100P, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 38А; SOT227B; винтами; Idm: 120А" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности132нс Заряд затвора365нC Код производителяIXFN400N15X3 Конструкция диодаодиночный транзистор
8 316.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN400N15X3, Модуль; одиночный транзистор; 150В; 400А; SOT227B; винтами; 695Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора310нC Код производителяIXFN40N110P Конструкция диодаодиночный транзистор
4 928.45 
Доступность: 1 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN40N110P, Модуль; одиночный транзистор; 1,1кВ; 34А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности434нс Заряд затвора300нC Код производителяIXFN40N110Q3 Конструкция диодаодиночный транзистор
4 450.60 
Доступность: 2 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN40N110Q3, Модуль; одиночный транзистор; 1,1кВ; 35А; SOT227B; винтами; 960Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора230нC Код производителяIXFN40N90P Конструкция диодаодиночный транзистор
7 287.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN40N90P, Модуль; одиночный транзистор; 900В; 33А; SOT227B; винтами; Idm: 80А" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности140нс Заряд затвора670нC Код производителяIXFN420N10T Конструкция диодаодиночный транзистор
5 631.18 
Доступность: 120 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN420N10T, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 420А; SOT227B; винтами; 670нC" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора0,35мкC Код производителяIXFN44N100P Конструкция диодаодиночный транзистор
7 505.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN44N100P, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 37А; SOT227B; винтами; Idm: 110А" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора264нC Код производителяIXFN44N100Q3 Конструкция диодаодиночный транзистор
13 220.61 
Доступность: 7 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN44N100Q3, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 38А; SOT227B; винтами; Idm: 110А" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора200нC Код производителяIXFN44N80P Конструкция диодаодиночный транзистор
5 896.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN44N80P, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 39А; SOT227B; винтами; 694Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора185нC Код производителяIXFN44N80Q3 Конструкция диодаодиночный транзистор
14 493.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN44N80Q3, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 37А; SOT227B; винтами; 780Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора150нC Код производителяIXFN48N60P Конструкция диодаодиночный транзистор
5 334.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN48N60P, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 40А; SOT227B; винтами; 625Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности26нс Заряд затвора0,1мкC Код производителяIXFN50N120SIC Конструкция диодаодиночный транзистор
16 993.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN50N120SIC, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 30А; SOT227B; винтами; 100нC" 3.

Вид каналаобогащенный Время готовности54нс Заряд затвора115нC Код производителяIXFN50N120SK Конструкция диодаодиночный транзистор
19 237.65 
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN50N120SK, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 48А; SOT227B; винтами; SiC" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности150нс Заряд затвора545нC Код производителяIXFN520N075T2 Конструкция диодаодиночный транзистор
6 062.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN520N075T2, Модуль; одиночный транзистор; 75В; 480А; SOT227B; винтами; 940Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности260нс Заряд затвора245нC Код производителяIXFN52N100X Конструкция диодаодиночный транзистор
11 569.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN52N100X, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 44А; SOT227B; винтами; Idm: 100А" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора308нC Код производителяIXFN52N90P Конструкция диодаодиночный транзистор
10 681.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN52N90P, Модуль; одиночный транзистор; 900В; 43А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора375нC Код производителяIXFN56N90P Конструкция диодаодиночный транзистор
9 401.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN56N90P, Модуль; одиночный транзистор; 900В; 56А; SOT227B; винтами; 1000Вт" 300.

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора250нC Код производителяIXFN60N80P Конструкция диодаодиночный транзистор
7 915.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN60N80P, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 53А; SOT227B; винтами; 1040Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Полупроводники – широкий ассортимент компонентов для ваших проектов!

В нашем каталоге представлены полупроводниковые компоненты: диоды, транзисторы, тиристоры, оптоэлектроника и многое другое. Мы предлагаем продукцию от ведущих производителей с гарантией качества. Выгодные цены, быстрая доставка и профессиональная поддержка. Выбирайте полупроводники у нас – надежность и качество в каждом элементе!

Хиты продаж