Товары из категории полупроводники - страница 1877

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора183нC Код производителяIXFN100N65X2 Конструкция диодаодиночный транзистор
6 326.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN100N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 78А; SOT227B; винтами; 595Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора224нC Код производителяIXFN102N30P Конструкция диодаодиночный транзистор
5 222.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN102N30P, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 86А; SOT227B; винтами; 570Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора254нC Код производителяIXFN110N60P3 Конструкция диодаодиночный транзистор
6 972.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN110N60P3, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 90А; SOT227B; винтами; 1500Вт" 100.

Вид каналаобогащенный Время готовности205нс Заряд затвора425нC Код производителяIXFN110N85X Конструкция диодаодиночный транзистор
13 565.59 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN110N85X, Модуль; одиночный транзистор; 850В; 110А; SOT227B; винтами; 1170Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности220нс Заряд затвора240нC Код производителяIXFN120N65X2 Конструкция диодаодиночный транзистор
7 523.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN120N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 108А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора68нC Код производителяIXFN130N90SK Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
44 629.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN130N90SK, Модуль; одиночный транзистор; 900В; 109А; SOT227B; винтами; SiC" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора250нC Код производителяIXFN132N50P3 Конструкция диодаодиночный транзистор
8 492.33 
Доступность: 276 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN132N50P3, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 112А; SOT227B; винтами; 1500Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности150нс Заряд затвора240нC Код производителяIXFN140N20P Конструкция диодаодиночный транзистор
5 046.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN140N20P, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 115А; SOT227B; винтами; 680Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора255нC Код производителяIXFN140N25T Конструкция диодаодиночный транзистор
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN140N25T, Модуль; одиночный транзистор; 250В; 120А; SOT227B; винтами; 690Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора185нC Код производителяIXFN140N30P Конструкция диодаодиночный транзистор
7 235.09 
Доступность: 7 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN140N30P, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 110А; SOT227B; винтами; 700Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности190нс Заряд затвора355нC Код производителяIXFN150N65X2 Конструкция диодаодиночный транзистор
9 244.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN150N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 145А; SOT227B; винтами; 1040Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора376нC Код производителяIXFN160N30T Конструкция диодаодиночный транзистор
5 535.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN160N30T, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 130А; SOT227B; винтами; 900Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности135нс Заряд затвора0,19мкC Код производителяIXFN170N25X3 Конструкция диодаодиночный транзистор
5 303.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN170N25X3, Модуль; одиночный транзистор; 250В; 146А; SOT227B; винтами; 390Вт" 300.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора258нC Код производителяIXFN170N30P Конструкция диодаодиночный транзистор
8 406.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN170N30P, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 138А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности270нс Заряд затвора434нC Код производителяIXFN170N65X2 Конструкция диодаодиночный транзистор
10 038.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN170N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 170А; SOT227B; винтами; 1170Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора240нC Код производителяIXFN180N15P Конструкция диодаодиночный транзистор
5 046.85 
Доступность: 2 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN180N15P, Модуль; одиночный транзистор; 150В; 150А; SOT227B; винтами; 680Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора364нC Код производителяIXFN180N25T Конструкция диодаодиночный транзистор
5 306.64 
Доступность: 23 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN180N25T, Модуль; одиночный транзистор; 250В; 168А; SOT227B; винтами; 900Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности150нс Заряд затвора235нC Код производителяIXFN200N10P Конструкция диодаодиночный транзистор
5 067.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN200N10P, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 200А; SOT227B; винтами; 680Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора193нC Код производителяIXFN20N120P Конструкция диодаодиночный транзистор
2 998.30 
Доступность: 17 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN20N120P, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 20А; SOT227B; винтами; 595Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора255нC Код производителяIXFN210N20P Конструкция диодаодиночный транзистор
8 073.25 
Доступность: 291 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN210N20P, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 188А; SOT227B; винтами; 1070Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Полупроводники – широкий ассортимент компонентов для ваших проектов!

В нашем каталоге представлены полупроводниковые компоненты: диоды, транзисторы, тиристоры, оптоэлектроника и многое другое. Мы предлагаем продукцию от ведущих производителей с гарантией качества. Выгодные цены, быстрая доставка и профессиональная поддержка. Выбирайте полупроводники у нас – надежность и качество в каждом элементе!

Хиты продаж