Товары из категории транзисторные модули mosfet - страница 12

Производитель
Вид каналаобогащенный Время готовности150нс Заряд затвора235нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
4 476.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN200N10P, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 200А; SOT227B; винтами; 680Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора193нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
2 648.61 
Доступность: 17 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN20N120P, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 20А; SOT227B; винтами; 595Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора255нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 131.68 
Доступность: 279 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN210N20P, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 188А; SOT227B; винтами; 1070Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора268нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 234.01 
Доступность: 1 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN210N30P3, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 192А; SOT227B; винтами; 1500Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности190нс Заряд затвора375нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 294.96 
Доступность: 7 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN210N30X3, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 210А; SOT227B; винтами; 695Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности128нс Заряд затвора204нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 545.52 
Доступность: 1 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN220N20X3, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 160А; SOT227B; винтами; 390Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора358нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
5 967.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN230N20T, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 220А; SOT227B; винтами; 1090Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности140нс Заряд затвора460нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
4 684.73 
Доступность: 1 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN240N15T2, Модуль; одиночный транзистор; 150В; 240А; SOT227B; винтами; 830Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности165нс Заряд затвора345нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 242.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN240N25X3, Модуль; одиночный транзистор; 250В; 240А; SOT227B; винтами; 695Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора250нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 988.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN24N100, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 24А; SOT227B; винтами; Idm: 96А" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора197нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 945.82 
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN26N100P, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 23А; SOT227B; винтами; Idm: 65А" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора255нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 164.79 
Доступность: 7 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN26N120P, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 23А; SOT227B; винтами; 695Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора160нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами
10 851.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN27N120SK, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 21,5А; SOT227B; винтами; SiC" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора279нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 242.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN300N10P, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 295А; SOT227B; винтами; 1070Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности172нс Заряд затвора375нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
8 042.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN300N20X3, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 300А; SOT227B; винтами; 695Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора310нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
13 376.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN30N120P, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 30А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности150нс Заряд затвора640нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
9 759.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN320N17T2, Модуль; одиночный транзистор; 170В; 260А; SOT227B; винтами; 1070Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора225нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
5 879.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN32N100P, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 27А; SOT227B; винтами; Idm: 75А" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора195нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
14 468.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN32N100Q3, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 28А; SOT227B; винтами; Idm: 96А" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора360нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
15 578.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN32N120P, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 32А; SOT227B; винтами; 1000Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторные модули MOSFET — это высокомощные полупроводниковые устройства, предназначенные для управления большими токами и напряжениями в составе импульсных источников питания, частотных преобразователей, инверторов, систем бесперебойного питания (ИБП) и электроприводов.

Обеспечивают быстрое переключение, низкие потери мощности и высокую эффективность по сравнению с механическими реле и контактами.

В каталоге 7-el.ru — транзисторные модули MOSFET от проверенных производителей: KEFA, Infineon, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Vishay, Rexant. Гарантия качества, полная документация и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж