Товары из категории транзисторные модули mosfet - страница 17

Производитель
Вид каналаобогащенный Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±20В
5 358.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VS-FA40SA50LC, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 29А; SOT227B; винтами; 261Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±20В
6 028.59 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VS-FC420SA10, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 330А; SOT227B; винтами; 652Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±20В
7 715.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VS-FC420SA15, Модуль; одиночный транзистор; 150В; 300А; SOT227B; винтами; 909Вт" 1.

Заряд затвора0,35мкC Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV1-A-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±20В
8 689.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VUM25-05E, Модуль; диод/транзистор; 500В; 35А; V1-A-Pack; коннекторы FASTON" 1.

Заряд затвора165нC Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV1-B-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±20В
10 301.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VUM33-06PH, Модуль; диод/транзистор; 600В; 50А; V1-B-Pack; коннекторы FASTON" 1.

Заряд затвора945нC Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±20В
27 941.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VUM85-05A, Модуль; диод/транзистор; 500В; 130А; V2-Pack; Press-in PCB; 945нC" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-4...18В Напряжение сток-исток1,2кВ Обозначение производителяWMSC016H12B1P6T
12 880.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMSC016H12B1P6T, Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 85А; Press-in PCB; Idm: 170А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-4...18В Напряжение сток-исток1,2кВ Обозначение производителяWMSC020H12B1P6T
10 354.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMSC020H12B1P6T, Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 70А; Press-in PCB; Idm: 140А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-4...18В Напряжение сток-исток1,2кВ Обозначение производителяWMSC030H12B1P6T
7 443.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMSC030H12B1P6T, Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 53А; Press-in PCB; Idm: 100А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-4...18В Напряжение сток-исток1,2кВ Обозначение производителяWMSC040H12B1P6T
6 659.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMSC040H12B1P6T, Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 45А; Press-in PCB; Idm: 90А" 1.

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-10...23В
8 756.96 
Доступность: 10 шт.
 

Минимальное количество для товара "MSC017SMA120J, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 62А; SOT227B; винтами; 278Вт" 1.

Транзисторные модули MOSFET — это высокомощные полупроводниковые устройства, предназначенные для управления большими токами и напряжениями в составе импульсных источников питания, частотных преобразователей, инверторов, систем бесперебойного питания (ИБП) и электроприводов.

Обеспечивают быстрое переключение, низкие потери мощности и высокую эффективность по сравнению с механическими реле и контактами.

В каталоге 7-el.ru — транзисторные модули MOSFET от проверенных производителей: KEFA, Infineon, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Vishay, Rexant. Гарантия качества, полная документация и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж