Товары из категории транзисторные модули mosfet - страница 22

Производитель
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора0,27мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
12 645.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN62N80Q3, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 49А; SOT227B; винтами; 960Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора150нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
4 958.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN64N50P, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 50А; SOT227B; винтами; 625Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора200нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 198.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN64N60P, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 50А; SOT227B; винтами; 700Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора230нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
9 040.52 
Доступность: 1 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN66N85X, Модуль; одиночный транзистор; 850В; 65А; SOT227B; винтами; 830Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора380нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN80N50, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 80А; SOT227B; винтами; 694Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора195нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN80N50P, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 66А; SOT227B; винтами; 700Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора200нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
9 152.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN80N50Q3, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 63А; SOT227B; винтами; 780Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора0,19мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
5 746.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN80N60P3, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 66А; SOT227B; винтами; 960Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора240нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 207.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN82N60P, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 72А; SOT227B; винтами; 1040Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора275нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
12 626.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN82N60Q3, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 66А; SOT227B; винтами; 960Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора376нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами
96 185.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN90N170SK, Модуль; одиночный транзистор; 1,7кВ; 67А; SOT227B; винтами; SiC" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора340нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
8 659.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN90N85X, Модуль; одиночный транзистор; 850В; 90А; SOT227B; винтами; 1200Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора0,22мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
5 636.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN94N50P2, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 68А; SOT227B; винтами; 780Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности650нс Заряд затвора250нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 753.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXKN40N60C, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 40А; SOT227B; винтами; 290Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности800нс Заряд затвора360нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
12 525.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXKN45N80C, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 44А; SOT227B; винтами; 380Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности580нс Заряд затвора500нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
11 295.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXKN75N60C, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 50А; SOT227B; винтами; 560Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности450нс Заряд затвора152нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
5 370.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN102N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 76А; SOT227B; винтами; 595Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности420нс Заряд затвора500нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 058.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN110N20L2, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 100А; SOT227B; винтами; 735Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора740нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
11 410.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN120P20T, Модуль; одиночный транзистор; -200В; -106А; SOT227B; винтами" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности176нс Заряд затвора240нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN170P10P, Модуль; одиночный транзистор; -100В; -170А; SOT227B; винтами" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторные модули MOSFET — это высокомощные полупроводниковые устройства, предназначенные для управления большими токами и напряжениями в составе импульсных источников питания, частотных преобразователей, инверторов, систем бесперебойного питания (ИБП) и электроприводов.

Обеспечивают быстрое переключение, низкие потери мощности и высокую эффективность по сравнению с механическими реле и контактами.

В каталоге 7-el.ru — транзисторные модули MOSFET от проверенных производителей: KEFA, Infineon, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Vishay, Rexant. Гарантия качества, полная документация и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж