Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 108

Категории
Полупроводники
Модули и транзисторы IGBT
Модули IGBT
Транзисторы IGBT
Obsolete
Динисторы
Диоды
Комплекты пусковые
Микросхемы
Мосты выпрямительные
Оснащение для полупроводников
Программаторы и стирающие устройства
Симисторы
+3Еще
Фильтры товаров
Тип транзистора
Напряжение коллектор-эмиттер
Топология
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность
Напряжение затвор - эмиттер
Корпус
Тип модуля
Монтаж
Ток коллектора в импульсе
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
SKM150GB12T4 22892040, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
0.0
SKM150GB12T4
Код производителяSKM150GB12T4 22892040 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
21 723.05 ₽
Доступность: 97 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM150GB12T4 22892040, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

SKM150GB12T4G22892050, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
0.0
SKM150GB12T4G
ВерсияD56 Код производителяSKM150GB12T4G22892050 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами
39 437.81 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM150GB12T4G22892050, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

SKM150GB12V 22892043, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
0.0
SKM150GB12V
Код производителяSKM150GB12V 22892043 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
35 853.23 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM150GB12V 22892043, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

SKM150GB12VG 22892052, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
0.0
SKM150GB12VG
Код производителяSKM150GB12VG 22892052 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
39 649.25 ₽
Доступность: 11 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM150GB12VG 22892052, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

SKM150GB17E4 22895050, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ
0.0
SKM150GB17E4
Код производителяSKM150GB17E4 22895050 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
23 620.23 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM150GB17E4 22895050, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

SKM150GB17E4G 22895052, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ
0.0
SKM150GB17E4G
Код производителяSKM150GB17E4G 22895052 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
48 928.69 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM150GB17E4G 22895052, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

SKM150GM12T4G 22892460, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2
0.0
SKM150GM12T4G
Код производителяSKM150GM12T4G 22892460 Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
40 281.92 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM150GM12T4G 22892460, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2" 1.

SKM195GAL07E3 22895620, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 200А
0.0
SKM195GAL07E3
Код производителяSKM195GAL07E3 22895620 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
17 990.05 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM195GAL07E3 22895620, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 200А" 1.

SKM195GAL126D 22890470, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ
0.0
SKM195GAL126D
Код производителяSKM195GAL126D 22890470 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
25 097.84 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM195GAL126D 22890470, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

SKM195GAR07E3 22895630, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 650В; Ic: 200А
0.0
SKM195GAR07E3
Код производителяSKM195GAR07E3 22895630 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
17 990.05 ₽
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM195GAR07E3 22895630, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 650В; Ic: 200А" 1.

SKM195GB066D22890052, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В
0.0
SKM195GB066D
ВерсияD61 Код производителяSKM195GB066D22890052 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами
23 061.36 ₽
Доступность: 52 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM195GB066D22890052, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

SKM195GB07E3 22895610, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В
0.0
SKM195GB07E3
Код производителяSKM195GB07E3 22895610 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
24 464.34 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM195GB07E3 22895610, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

SKM195GB126D 22890630, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
0.0
SKM195GB126D
Код производителяSKM195GB126D 22890630 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
28 048.92 ₽
Доступность: 8 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM195GB126D 22890630, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

SKM200GAL125D 22890740, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 20А
0.0
SKM200GAL125D
ВерсияD56 Код производителяSKM200GAL125D 22890740 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами
48 296.02 ₽
Доступность: 47 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM200GAL125D 22890740, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 20А" 1.

SKM200GAL126D 22890472, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ
0.0
SKM200GAL126D
Код производителяSKM200GAL126D 22890472 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
38 383.08 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM200GAL126D 22890472, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

SKM200GAL12E4 22892304, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ
0.0
SKM200GAL12E4
Код производителяSKM200GAL12E4 22892304 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
40 491.71 ₽
Доступность: 11 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM200GAL12E4 22892304, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

SKM200GAL12T4 22892320, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ
0.0
SKM200GAL12T4
Код производителяSKM200GAL12T4 22892320 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
36 274.46 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM200GAL12T4 22892320, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

SKM200GAL12VL2 22895560, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ
0.0
SKM200GAL12VL2
Код производителяSKM200GAL12VL2 22895560 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
21 089.55 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM200GAL12VL2 22895560, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

SKM200GAL176D 22890514, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ
0.0
SKM200GAL176D
Код производителяSKM200GAL176D 22890514 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
43 445.27 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM200GAL176D 22890514, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ" 1.

SKM200GAL17E4 22895110, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ
0.0
SKM200GAL17E4
Код производителяSKM200GAL17E4 22895110 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
26 572.97 ₽
Доступность: 26 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM200GAL17E4 22895110, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Хиты продаж