Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 112

Фильтры товаров
Тип транзистора
Напряжение коллектор-эмиттер
Топология
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность
Напряжение затвор - эмиттер
Корпус
Тип модуля
Монтаж
Ток коллектора в импульсе
Производитель
Код производителяSKM400GAR17E4 22895150 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
61 582.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM400GAR17E4 22895150, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,7кВ; Ic: 400А" 1.

Код производителяSKM400GB066D 22890058 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
56 310.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM400GB066D 22890058, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

Код производителяSKM400GB07E3 22895550 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
58 839.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM400GB07E3 22895550, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

ВерсияD56 Код производителяSKM400GB125D Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами
80 774.46 
Доступность: 42 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM400GB125D, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

ВерсияD56 Код производителяSKM400GB126D22890635 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами
71 703.98 
Доступность: 15 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM400GB126D22890635, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

ВерсияD56 Код производителяSKM400GB12E4 22892087 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами
71 072.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM400GB12E4 22892087, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяSKM400GB12F4 22896080 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
75 712.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM400GB12F4 22896080, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяSKM400GB12T4 22892080 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
71 703.98 
Доступность: 7 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM400GB12T4 22892080, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяSKM400GB12V 22892083 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
70 650.08 
Доступность: 12 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM400GB12V 22892083, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяSKM400GB176D 22890710 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
92 372.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM400GB176D 22890710, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

Код производителяSKM400GB176DL3 21920000 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS9 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
199 930.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM400GB176DL3 21920000, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

Код производителяSKM400GB17E4 22895010 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
90 052.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM400GB17E4 22895010, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

Код производителяSKM400GM12T4 22892490 Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
71 072.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM400GM12T4 22892490, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2" 1.

Код производителяSKM400GM17E4 22895160 Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
90 263.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM400GM17E4 22895160, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2" 1.

Код производителяSKM450GB12E4 22892090 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
77 820.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM450GB12E4 22892090, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяSKM450GB12E4D1 22892091 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
81 195.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM450GB12E4D1 22892091, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяSKM450GB12T4 22892096 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
78 032.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM450GB12T4 22892096, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяSKM450GB12T4D1 22892097 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
81 195.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM450GB12T4D1 22892097, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяSKM450GM12E4D1 22892140 Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
81 195.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM450GM12E4D1 22892140, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2" 1.

Код производителяSKM50GAL12T4 22892290 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
12 401.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM50GAL12T4 22892290, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Хиты продаж