Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 113

Фильтры товаров
Тип транзистора
Напряжение коллектор-эмиттер
Топология
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность
Напряжение затвор - эмиттер
Корпус
Тип модуля
Монтаж
Ток коллектора в импульсе
Производитель
ВерсияD61 Код производителяSKM50GB12T422892000 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами
12 603.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM50GB12T422892000, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяSKM50GB12V 22892003 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
15 438.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM50GB12V 22892003, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

ВерсияD67 Код производителяSKM50GD125D 21918010 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS6 Механический монтажвинтами
71 040.63 
Доступность: 10 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM50GD125D 21918010, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 50А" 1.

ВерсияD59 Код производителяSKM600GA125D 21915560 Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами
85 625.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM600GA125D 21915560, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 400А; D59" 1.

Код производителяSKM600GA126D 21915720 Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
70 861.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM600GA126D 21915720, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 400А; винтами" 1.

Код производителяSKM600GA12E4 22892114 Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
60 948.59 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM600GA12E4 22892114, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 600А; винтами" 1.

Код производителяSKM600GA12T4 22892110 Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
61 160.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM600GA12T4 22892110, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 600А; винтами" 1.

Код производителяSKM600GA12V 22892113 Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
69 174.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM600GA12V 22892113, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 600А; винтами" 1.

Код производителяSKM600GA176D 22890432 Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
71 703.98 
Доступность: 4 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM600GA176D 22890432, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 400А; винтами" 1.

Код производителяSKM600GA17E4 22895080 Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
56 731.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM600GA17E4 22895080, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 775А; винтами" 1.

Код производителяSKM600GAL126D 21916010 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
79 296.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM600GAL126D 21916010, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяSKM600GAL12T4 22892280 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
65 589.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM600GAL12T4 22892280, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяSKM600GAR12T4 22892428 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
65 589.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM600GAR12T4 22892428, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 600А" 1.

Код производителяSKM600GB066D 21915620 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM600GB066D 21915620, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

Код производителяSKM600GB07E3 22895570 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
79 508.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM600GB07E3 22895570, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

Код производителяSKM600GB126D 22890638 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
104 182.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM600GB126D 22890638, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяSKM600GB12E4 22892092 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
95 747.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM600GB12E4 22892092, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяSKM600GB12T4 22892098 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
97 644.28 
Доступность: 12 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM600GB12T4 22892098, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяSKM600GM12E4 22892094 Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
97 434.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM600GM12E4 22892094, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2" 1.

ВерсияD61 Код производителяSKM75GAL063D Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами
8 435.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM75GAL063D, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 75А" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Хиты продаж