Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 110

Фильтры товаров
Тип транзистора
Напряжение коллектор-эмиттер
Топология
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность
Напряжение затвор - эмиттер
Корпус
Тип модуля
Монтаж
Ток коллектора в импульсе
Производитель
ВерсияD59 Код производителяSKM300GA12V 22892123 Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами
40 703.98 
Доступность: 11 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM300GA12V 22892123, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А; D59" 1.

Код производителяSKM300GAL066D 21920130 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
39 437.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM300GAL066D 21920130, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 300А" 1.

Код производителяSKM300GAL07E3 22895590 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
38 804.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM300GAL07E3 22895590, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 300А" 1.

Код производителяSKM300GAL12E4 22892334 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
37 961.86 
Доступность: 13 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM300GAL12E4 22892334, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяSKM300GAL12T4 22892330 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
43 022.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM300GAL12T4 22892330, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяSKM300GAR07E3 22895600 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
38 804.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM300GAR07E3 22895600, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 650В; Ic: 300А" 1.

Код производителяSKM300GAR12E4 22892418 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
28 893.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM300GAR12E4 22892418, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 324А" 1.

Код производителяSKM300GARL066T 21915370 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
85 412.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM300GARL066T 21915370, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck-boost chopper,термистор NTC" 1.

Код производителяSKM300GB066D 21915520 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
51 880.60 
Доступность: 44 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM300GB066D 21915520, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

Код производителяSKM300GB07E3 22895580 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
52 513.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM300GB07E3 22895580, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

Код производителяSKM300GB125D 22890624 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
93 427.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM300GB125D 22890624, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяSKM300GB126D 22890633 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
55 465.17 
Доступность: 1 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM300GB126D 22890633, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяSKM300GB12E4 22892077 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
57 575.46 
Доступность: 11 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM300GB12E4 22892077, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяSKM300GB12F4 22896070 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
60 527.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM300GB12F4 22896070, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяSKM300GB12T4 22892070 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
64 744.61 
Доступность: 12 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM300GB12T4 22892070, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяSKM300GB12V 22892073 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
79 929.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM300GB12V 22892073, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяSKM300GB17E4 22895070 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
72 758.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM300GB17E4 22895070, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

ВерсияD56 Код производителяSKM300GBD12T4 22892212 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами
40 070.48 
Доступность: 7 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM300GBD12T4 22892212, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Код производителяSKM300GM12T4 22892480 Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
57 364.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM300GM12T4 22892480, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2" 1.

Код производителяSKM300MLI066TAT 21916570 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
134 342.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM300MLI066TAT 21916570, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Хиты продаж