Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 128

Фильтры товаров
Тип транзистора
Напряжение коллектор-эмиттер
Топология
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность
Напряжение затвор - эмиттер
Корпус
Тип модуля
Монтаж
Ток коллектора в импульсе
Производитель
Код производителяVS-GT100DA120UF Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
11 746.27 
Доступность: 5 шт.
 

Минимальное количество для товара "VS-GT100DA120UF, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А; SOT227B" 1.

Код производителяVS-GT100TS065N Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусINT-A-Pak Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
15 166.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VS-GT100TS065N, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

Код производителяVS-GT100TS065S Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусINT-A-Pak Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
17 898.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VS-GT100TS065S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

Код производителяVS-GT150TS065S Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусINT-A-Pak Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
21 080.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VS-GT150TS065S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

Код производителяVS-GT180DA120U Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
9 412.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VS-GT180DA120U, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 185А; SOT227B" 1.

Код производителяVS-GT200TS065N Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусINT-A-Pak Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
20 500.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VS-GT200TS065N, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

Код производителяVS-GT200TS065S Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусINT-A-Pak Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
25 480.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VS-GT200TS065S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

Код производителяVS-GT300YH120N Конструкция диодадиод/транзистор КорпусDual INT-A-Pak Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
40 491.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VS-GT300YH120N, Модуль: IGBT; диод/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А; Trench" 1.

Код производителяVS-GT400TD60S Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусDual INT-A-Pak LP16mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
64 323.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VS-GT400TD60S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

Код производителяVS-GT80DA120U Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
9 932.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VS-GT80DA120U, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 80А; SOT227B" 1.

Код производителяVS-GT90DA120U Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
10 291.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VS-GT90DA120U, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 106А; SOT227B" 1.

Код производителяVUB116-16NOXT Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
16 060.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VUB116-16NOXT, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 84А" 1.

Код производителяVUB120-16NOX Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
12 218.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VUB120-16NOX, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 140А" 1.

Код производителяVUB120-16NOXT Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
21 941.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VUB120-16NOXT, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 140А" 1.

Код производителяVUB135-22NO1 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
34 375.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VUB135-22NO1, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,7кВ; Ic: 80А" 1.

Код производителяVUB145-16NOXT Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
25 832.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VUB145-16NOXT, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 140А" 1.

Код производителяVUB160-16NOX Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
17 500.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VUB160-16NOX, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 175А" 1.

Код производителяVUB160-16NOXT Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
18 333.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VUB160-16NOXT, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 175А" 1.

Код производителяVUB72-12NOXT Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV1-A-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
9 978.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VUB72-12NOXT, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 40А" 1.

Код производителяVUB72-16NOXT Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV1-A-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
10 759.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VUB72-16NOXT, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 40А" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Хиты продаж